女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

MOS管的并聯使用:如何保證電流均流?

昂洋科技 ? 來源:jf_78940063 ? 作者:jf_78940063 ? 2025-02-13 14:06 ? 次閱讀

在功率電子電路中,為了滿足大電流需求,常常需要將多個MOS管并聯使用。然而,由于MOS管參數的離散性以及電路布局的影響,并聯的MOS管之間可能會出現電流分配不均的問題,導致部分MOS管過載甚至損壞。因此,如何保證并聯MOS管的電流均流,是設計中的一個關鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設計三個方面,探討實現電流均流的方法:

wKgaoWcQxaeASI0iAABNu9o0YB4775.png

1. MOS管選型與匹配

1.1 選擇參數一致的MOS管

導通電阻(Rds(on)):MOS管的導通電阻直接影響電流分配。選擇Rds(on)相近的MOS管,可以減少電流不均。

閾值電壓(Vth):閾值電壓的一致性決定了MOS管的開啟速度。Vth差異過大會導致部分MOS管提前導通,造成電流不均。

跨導(gfs):跨導影響MOS管的電流控制能力,選擇gfs一致的MOS管有助于均流。

1.2 同一批次采購

同一批次的MOS管通常具有更一致的參數特性,可以減少并聯時的電流偏差。

2. 電路布局優化

2.1 對稱布局

PCB設計時,盡量使并聯MOS管的布局對稱,確保每個MOS管的源極、漏極和柵極走線長度一致。

使用星型連接(Star Connection)方式,減少走線阻抗差異。

2.2 降低寄生參數

柵極電阻:在每個MOS管的柵極串聯一個小電阻(通常為幾歐姆),可以抑制柵極振蕩,同時平衡柵極驅動電流。

源極電感:盡量縮短源極走線,降低源極寄生電感,避免因電感差異導致的電流不均。

2.3 散熱設計

確保每個MOS管的散熱條件一致,避免因溫度差異導致Rds(on)變化,進而影響電流分配。

3. 電路設計技巧

3.1 獨立柵極驅動

為每個MOS管提供獨立的柵極驅動電路,確保柵極電壓一致,避免因驅動能力不足導致的開啟速度差異。

3.2 均流電阻

在每個MOS管的源極串聯一個小阻值電阻(通常為毫歐級別),利用電阻的負反饋作用平衡電流分配。

電阻值的選擇需權衡均流效果和功耗。

3.3 電流檢測與反饋控制

使用電流傳感器檢測每個MOS管的電流,通過反饋控制調整柵極電壓,實現動態均流。

這種方法適用于高精度要求的場景,但會增加電路復雜度。

MOS管并聯使用時的電流均流問題,需要通過選型匹配、布局優化和電路設計等多方面措施來解決。選擇參數一致的MOS管、優化PCB布局、采用獨立柵極驅動和均流電阻等方法,可以有效提高電流分配的均勻性。在實際應用中,還需結合溫度監控和動態測試,確保并聯MOS管的可靠運行。通過科學的設計和嚴格的測試,可以充分發揮并聯MOS管的性能,滿足大電流應用的需求。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOS管
    +關注

    關注

    109

    文章

    2531

    瀏覽量

    69914
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SiC MOSFET模塊并聯應用中的動態問題

    在電力電子領域,當多個SiC MOSFET模塊并聯時,受器件參數、寄生參數等因素影響,會出現動態電流不均的問題,制約系統性能。本章節帶你探究SiC MOSFET模塊并聯應用中的動態
    的頭像 發表于 05-30 14:33 ?810次閱讀
    SiC MOSFET模塊<b class='flag-5'>并聯</b>應用中的動態<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>問題

    SiC MOSFET并聯運行實現靜態的基本要求和注意事項

    通過并聯SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統的要求。本章節主要介紹了SiC MOSFET并聯運行實現靜態
    的頭像 發表于 05-23 10:52 ?430次閱讀
    SiC MOSFET<b class='flag-5'>并聯</b>運行實現靜態<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>的基本要求和注意事項

    如何準確計算 MOS 驅動電流

    驅動電流是指用于控制MOS開關過程的電流。在MOS的驅動過程中,需要將足夠的電荷注入或抽出
    的頭像 發表于 05-08 17:39 ?412次閱讀
    如何準確計算 <b class='flag-5'>MOS</b> <b class='flag-5'>管</b>驅動<b class='flag-5'>電流</b>?

    OPA541并聯不均

    使用手冊推薦的OPA541并聯電路時,當VIN給負電平時,主從,當VIN給正點是主運放輸出全部電流,從運放未輸出電流
    發表于 04-02 17:05

    MDD整流二極并聯與串聯應用:如何與提高耐壓能力?

    電力電子電路設計,有時單個整流二極電流承載能力或耐壓能力無法滿足應用需求,此時可以通過并聯或串聯方式來增強電流或耐壓能力。然而,并聯時需
    的頭像 發表于 03-17 11:45 ?579次閱讀
    MDD整流二極<b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>并聯</b>與串聯應用:如何<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>與提高耐壓能力?

    電流不大,MOS為何發熱

    在電子設備的設計與應用中,MOS(場效應)作為一種常見的開關元件廣泛應用于各種電路中。然而,有時候即使電流不大,MOS
    的頭像 發表于 02-07 10:07 ?599次閱讀
    <b class='flag-5'>電流</b>不大,<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>為何發熱

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯應用控制技術的綜述

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯應用控制技術的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當前研究進展與關鍵技術方向。
    的頭像 發表于 02-05 14:36 ?514次閱讀
    碳化硅(SiC)MOSFET<b class='flag-5'>并聯</b>應用<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>控制技術的綜述

    UPS電源“十全十測”之9:UPS并機性能測試

    一、什么是UPS并機性能UPS(不間斷電源)并機性能指的是在多臺UPS并聯運行時,各臺UPS能夠均勻分擔負載
    的頭像 發表于 01-10 17:23 ?1141次閱讀
    UPS電源“十全十測”之9:UPS并機<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>性能測試

    低功耗mos選型技巧 mos的封裝類型分析

    隨著電子設備向小型化和節能化發展,低功耗MOS(金屬氧化物半導體場效應晶體)在電源管理、信號處理等領域的應用越來越廣泛。 低功耗MOS
    的頭像 發表于 11-15 14:16 ?1308次閱讀

    MOS的導通電壓與漏電流關系

    MOS(金屬氧化物半導體場效應晶體)的導通電壓與漏電流之間的關系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對這一關系的分析: 一、
    的頭像 發表于 11-05 14:03 ?2572次閱讀

    mosMOS的使用方法

    MOS,即金屬-氧化物-半導體場效應晶體,是一種電壓驅動大電流型器件,在電路中尤其是動力系統中有著廣泛的應用。以下是MOS
    的頭像 發表于 10-17 16:07 ?2491次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>和<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的使用方法

    使用并聯功率MOSFETS的要點和范例

    引言:雙極晶體由于是基極電流驅動,因此電流平衡容易被基極-發射極電壓VBE的波動所破壞,使得并聯連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅動
    的頭像 發表于 10-15 14:30 ?1495次閱讀
    使用<b class='flag-5'>并聯</b>功率MOSFETS的要點和范例

    30V MOS 60V MOS 100V MOS-5N10N通道MOS-HC5N10 100V5A 低結電容 高性價比

    。DCDC恒流電路則用于將一個直流電源的電流轉換為另一個恒定的電流輸出。 MOS在電路中的工作原理 MOS
    發表于 10-11 09:47

    MOS泄漏電流的類型和產生原因

    MOS(金屬氧化物半導體場效應晶體)的泄漏電流是指在MOS關斷狀態下,從源極或漏極到襯底之
    的頭像 發表于 10-10 15:11 ?4542次閱讀

    mos連續漏極電流是什么

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體)的連續漏極電流是指在
    的頭像 發表于 09-18 09:56 ?3487次閱讀