在傳統MOSFET中，載流子從源極越過pn結勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。BTBT最早由Zener在1934年提出來。pn結在反偏狀態下，當n區導帶中某些未被電子占據的空能態與p區價帶中某些被電子占據的能態具有相同的能量，而且勢壘區很窄時，電子會從p區價帶隧穿到n區導帶。下圖是一個典型的雙柵結構的Si TFET示意圖，其中tox表示柵介質的厚度，tsi表示體硅的厚度。TFET是一個p+-i-n+結構，i區上方是柵介質和柵電極。它通過柵極電壓的變化調制i區的能帶來控制器件的電流。
在理想狀態下，一個p+區和n+區摻雜對稱的TFET在不同極性的柵極電壓偏置下可以表現出雙極性。所以對于n型TFET來說，p+區是源區，i區是溝道區，n+區是漏區。對于p型TFET來說，p+區是漏區，i區是溝道區，n+區是源區。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。
隧穿場效應晶體管是什么----隧穿場效應晶體管工作原理
隧穿場效應晶體管（TFET）的工作原理是帶間隧穿，其S可以突破60mV/decade的限制，而且TFET的Ioff非常低，所以TFET的工作電壓可以進一步地降低。如下圖中的虛線所示，在比較小的柵電壓條件下，TFET的Ion和Ion/Ioff都會大于傳統MOSFTE的Ion和Ion/Ioff。所以TFET被看做是非常有前景的低工作電壓和低功耗的邏輯CMOS器件。
除了使用多柵結構提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統的MOSFET等比例縮小原則假設閾值電壓也能等比例的縮小，但是實際上閾值電壓并不遵循這樣的原則。所以持續地減小工作電壓必然會導致柵極的驅動能力（Vdd-Vth）降低。當柵極驅動能力降低時，器件的驅動電流Ion會減小。Ion的減小使器件的延遲（t=CVdd/Ion）增加或者器件的開關速度減小。由于InAs和GaAs的電子遷移率高于Si的電子遷移率，Ge和InSb的空穴遷移率高于Si的空穴遷移率，如果選用上述高遷移率的材料作為器件的溝道材料可以緩解（Vdd-Vth）的降低帶來的Ion減小，所以在高速度和低功耗的集成電路中，III-V材料和Ge都是很有前景的器件溝道材料。