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　　總的來說，場效應晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能夠導電的FET。

　　這兩種類型的FET各有其特點和用途。一般，增強型FET在高速、低功耗電路中很有使用價值;并且這種器件在工作時，它的柵偏電壓的極性與漏極電壓的相同，則在電路設計中較為方便。

　　(1)MOSFET：

　　對于Si半導體器件，由于Si/SiO2界面上電荷(多半是正電荷——Na+沾污所致)的影響，使得n型半導體表面容易產生積累層，而p型半導體表面容易反型(即出現(xiàn)表面反型層)，所以比較容易制造出p溝道的增強型MOSFET(E-MOSFET)，而較難以制作出n溝道的E-MOSFET。正因為如此，故在早期工藝水平條件下，常常制作的是p溝道的E-MOSFET。

　　當然，隨著工藝技術水平的提高，現(xiàn)在已經(jīng)能夠很好地控制半導體的表面態(tài)以及表面電荷，從而就能夠方便地制作出n溝道、或者p溝道的D-MOSFET或者E-MOSFET，以適應各種應用的需要。

　　MOSFET的導電是依靠表面溝道來進行的，而在0柵偏壓下能否產生溝道，則與半導體襯底的摻雜濃度直接有關。若采用較低摻雜濃度的襯底，就可以獲得D-MOSFET;采用較高摻雜濃度的襯底，就可以獲得E-MOSFET。

　　(2)JFET：

　　對于結型場效應晶體管(JFET)，最常見到的是耗盡型JFET(D-JFET);一般，不使用增強型JFET(E-JFET)。這主要是由于長溝道E-JFET在使用時較難以產生出導電的溝道、從而導通性能不好的緣故。不過，由于高速、低功耗電路中應用的需要，有時也需要采用E-JFET。

　　JFET導電的溝道在體內。這兩種晶體管在工藝和結構上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大，以致于柵pn結的內建電壓不能把溝道完全耗盡;而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小，則柵pn結的內建電壓即可把溝道完全耗盡。

　　但是，對于短溝道E-JFET，情況則有所不同，因為這種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢壘降低，所以能夠形成導電溝道。這種E-JFET從本質上來說也就是靜電感應晶體管。