金屬柵極半導體場效應晶體管(MESFET)是通過柵極Schottky勢壘下面耗盡層厚度的變化來控制導電溝道寬度、并從而控制輸出源-漏電流的。

　　MESFET的導電溝道是金屬柵極下面的未被耗盡的半導體層——溝道層。如果溝道層的摻雜濃度較高、厚度較大，則在0柵偏壓下，柵極Schottky勢壘的內建電壓不足以耗盡整個溝道層，即存在溝道，這就是耗盡型MESFET(D-MESFET);相反，如果溝道層的摻雜濃度較低、厚度較薄，則在0柵偏壓下，柵極Schottky勢壘的內建電壓就可以耗盡整個溝道層，即不存在溝道，這就是增強型MESFET(E-MESFET)。

　　(4)HEMT：

　　高電子遷移率晶體管(HEMT)是利用調制摻雜突變異質結中的二維電子氣(2-DEG)——高遷移率的二維電子來工作的，導電溝道也就是2-DEG薄層。控制2-DEG的濃度(面密度)，即可控制輸出源-漏電流的大小。在0柵偏壓下，有否2-DEG，也就是耗盡型與增強型器件的根本區別。

　　在HEMT中，2-DEG出現在突變的調制摻雜異質結中，寬禁帶半導體一邊摻有施主雜質，窄禁帶半導體一邊不摻雜(即為本征半導體)。對于GaAs體系的HEMT，寬禁帶半導體是n型AlGaAs，窄禁帶半導體是i-GaAs;金屬柵極的下面就是n型AlGaAs層——稱為頂層，它們形成Schottky勢壘(勢壘高度一般為1eV左右)。如果n型AlGaAs頂層的摻雜濃度適當高、厚度適當大，則在0柵偏壓下就會出現2-DEG，因此是耗盡型FET。但是，如果n型AlGaAs頂層的摻雜濃度較低、厚度較薄，則在Schottky勢壘的內建電壓作用下即將耗盡2-DEG，即Schottky勢壘可伸入到i-GaAs層，則HEMT在0柵偏壓下不會導電，因此是增強型FET。總之，對于HEMT，主要是控制摻雜寬禁帶半導體層的摻雜濃度和厚度。

　　但是，如果HEMT所采用的調制摻雜異質結是極性很大的半導體異質結，那么情況將有所不同。譬如n+-Al異質結，由于其中的高遷移率2-DEG主要是由極化效應中產生出來的，因此，有時在Al控制層中即使不摻雜，也能夠得到大量的2-DEG(可高達10-2)，這時的2-DEG面密度將主要決定于極化效應的強度。