晶體管泛指所有半導體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據結構和制造工藝的不同可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結構的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管，主要分為雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET），接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。

晶體管工作原理——雙極性晶體管

雙極性晶體管，英語名稱為Bipolar Transistor，是雙極性結型晶體管的簡稱，由于其具有三個終端，因此我們通常將其稱為三極管。三極管由兩個PN結構成，兩個PN結將其分為發射區、基區和集電區，相應的產生三個電極：發射極、基極和集電極。

三極管的工作原理是醬紫的，首先，電源作用于發射結上使得發射結正向偏置，發射區的自由電子不斷的流向基區，形成發射極電流;其次，自由電子由發射區流向基區后，首先聚集在發射結附近，但隨著此處自由電子的增多，在基區內部形成了電子濃度差，使得自由電子在基區中由發射結逐漸流向集電結，形成集電極電流;最后，由于集電結處存在較大的反向電壓，阻止了集電區的自由電子向基區進行擴散，并將聚集在集電結附近的自由電子吸引至集電區，形成集電極電流。

晶體管工作原理——場效應晶體管

場效應晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場效應管，是一種通過對輸入回路電場效應的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道，接下來我們就以N溝道結型場效應管為例來對場效應管的工作原理進行說明。

對應于三極管的基極、集電極和發射極，場效應管分別是柵極、漏極和源極。在其柵-源間加負向電壓、漏-源間加正向電壓以保證場效應管可以正常工作。所加負向電壓越大，在PN結處所形成的耗盡區越厚，導電溝道越窄，溝道電阻越大，漏極電流越小;反之，所加負向電壓越小，在PN結處所形成的耗盡區越薄，導電溝道越厚，溝道電阻越小，漏極電流越大。由此通過控制柵-源間所加負向電壓完成了對溝道電流的控制。