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標簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
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友思特應用 硅片上的光影貼合:UV-LED曝光系統(tǒng)在晶圓邊緣曝光中的高效應用
晶圓邊緣曝光是幫助減少晶圓涂布過程中多余的光刻膠對電子器件影響的重要步驟。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能點光源,作為唯一可用...
生命科學、醫(yī)藥健康和電子科技三大業(yè)務協(xié)同創(chuàng)新
材料來源:化合物半導體 本刊記者 日前,旗下?lián)碛猩茖W、醫(yī)藥健康和電子科技三大業(yè)務板塊的科技公司默克重磅亮相第五屆中國國際進口博覽會(進博會),并宣布...
分析:450mm,EUV,TSV都將延遲 現(xiàn)在不用再期待了,根據(jù)IC insights公司的數(shù)據(jù),看起來兩個兩個正在顯現(xiàn)的重要的IC制造技術都將延遲,...
2010-01-26 標簽:光刻 831 0
VCSEL激光在蝕刻和光刻中應用廣泛,提高精度和效率。銀月光科技提供多波長VCSEL激光器,定制化服務,助力工業(yè)生產高效高質量。未來,更多種類VCSEL...
應對先進工藝碳排放挑戰(zhàn),Imec開發(fā)晶圓廠可持續(xù)發(fā)展評估模型
隨著技術的發(fā)展,與ic制造相關的排放量也增加了,特別是光刻和蝕刻能耗較大,例如n3工程中光刻工序產生的二氧化碳排放量約占45%。imec的工程師們半導體...
龍圖光罩科創(chuàng)板IPO獲批,募投項目技術和經濟可行性是關鍵?
龍圖光罩擁有130nm及以上節(jié)點的半導體掩模版制備頂尖技術,覆蓋 CAM、光刻、檢測全流程。在功率半導體掩模版領域,其工藝節(jié)點已能充分滿足全球主流制程的需求。
與常規(guī)紅外材料不同,富硫聚合物可溶解在有機溶劑中,這意味著其可應用于基于溶液的旋涂方法。此外,富硫聚合物擁有的粘滯彈性和動態(tài)共價二硫鍵使其可被熱納米壓印...
在本文中,首先論述半導體業(yè)界中存在著怎樣的“傻瓜的圍墻”。接下來,由于半導體行業(yè)內到處都有壁壘,所以行業(yè)內外之間存在著巨大的差異。然后進一步說明汽車與半...
SK海力士聯(lián)手TEMC開發(fā)氖氣回收技術,年度節(jié)省400億韓元
SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進行純化處理,最后回流至 SK 海力士使用。
光刻掩膜(也稱為光罩)和模具在微納加工技術中都起著重要的作用,但它們的功能和應用有所不同。 光刻掩膜版 光刻掩膜版是微納加工技術中常用的光刻工藝所使用的...
針對HBC太陽電池圖形化技術高成本的瓶頸,隆基綠能持續(xù)自主創(chuàng)新研發(fā),放棄了高成本的光刻工藝,采用全激光圖形化技術實現(xiàn)了27.09%的轉換效率。
IBM、美光、應用材料、東京電子宣布合作建設 High-NA EUV 研發(fā)中心
12 月 12 日消息,今天早些時候,紐約州長凱西?霍楚爾(Kathy Hochul )宣布與 IBM、美光、應用材料、東京電子(東京威力科創(chuàng))等半導體...
英特爾推進面向未來節(jié)點的技術創(chuàng)新,在2025年后鞏固制程領先性
英特爾正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標,目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產。...
在正性光刻過程中,掩膜版(Photomask)作為圖形轉移的關鍵工具,其性能直接影響到最終圖形的精確度和質量。以下是正性光刻對掩膜版的主要要求: 圖案準...
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