摘要

一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個(gè)開(kāi)口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個(gè)開(kāi)口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案，第二抗蝕劑圖案在基板上包括至少一個(gè)開(kāi)口。去除第一抗蝕劑圖案以露出第一抗蝕劑圖案下方的基板。

背景

半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展到更小的特征尺寸，例如縮小到 65 納米、45 納米及以下的特征尺寸。用于產(chǎn)生如此小的特征尺寸的圖案化光刻膠（抗蝕劑）層通常具有高縱橫比。由于各種原因，尤其是對(duì)于具有高縱橫比的抗蝕劑層，保持所需的臨界尺寸 (CD) 可能非常困難。引入雙重圖案化工藝以形成具有更小尺寸的各種特征。然而，傳統(tǒng)的雙重圖案化工藝涉及多個(gè)蝕刻工藝，制造成本高且產(chǎn)量低。

詳細(xì)說(shuō)明

應(yīng)當(dāng)理解，以下公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或示例，用于實(shí)現(xiàn)各種實(shí)施例的不同特征。下面描述部件和布置的具體示例以簡(jiǎn)化本公開(kāi)。當(dāng)然，這些僅是 55 個(gè)示例，并非旨在進(jìn)行限制。例如，在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征直接接觸形成的實(shí)施例，并且還可以包括其中可以在之間形成另外的60個(gè)特征的實(shí)施例。第一和第二特征，使得第一和第二特征可以不直接接觸。此外，本公開(kāi)可以在各種示例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。

底層材料層可以包括在各種應(yīng)用中具有不同功能的多個(gè)膜。在一實(shí)施例中，在基板 上形成材料層 。材料層112包括介電材料。在一個(gè)示例中，材料層 包括氧化硅和/或低介電常數(shù)（低k）材料。在其他實(shí)例中，材料層112可包括硅、多晶硅、介電材料、導(dǎo)電材料或其組合。材料層的厚度可介于約100埃至約9000埃之間。在一實(shí)例中，材料層的厚度范圍介于約1000埃至3500埃之間。在一實(shí)施例中，材料層112包括介電材料fbr層間介電(ILD)或金屬間介電(IMD)。

結(jié)論

本文還提供了雙重圖案化方法的另一個(gè)實(shí)施例。該方法包括在基板上形成正抗蝕劑圖案，該正抗蝕劑圖案包括多個(gè)正抗蝕劑特征；在襯底上和由多個(gè)正抗蝕劑特征限定的開(kāi)口內(nèi)形成負(fù)抗蝕劑層，其中正抗蝕劑圖案包括基本上沒(méi)有負(fù)抗蝕劑層的頂面；暴露負(fù)抗蝕劑層，在襯底上定義多個(gè)未暴露的負(fù)抗蝕劑特征；并施加溶劑以去除正抗蝕劑圖案。

審核編輯：符乾江