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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>光刻中接觸孔和溝槽的雙重構(gòu)圖策略

光刻中接觸孔和溝槽的雙重構(gòu)圖策略

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2023-07-16 01:50:153008

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2024-03-19 16:08:1496

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如何生產(chǎn)制造。。。。。。 近來(lái)通過(guò)閱讀《量子計(jì)算機(jī)—重構(gòu)未來(lái)》一書(shū),結(jié)合網(wǎng)絡(luò)資料,了解了一點(diǎn)點(diǎn)量子疊加知識(shí),分享給大家。 先提一下電子計(jì)算機(jī),電子計(jì)算機(jī)使用二進(jìn)制表示信息數(shù)據(jù),二進(jìn)制的信息單位是比特(bit
2024-03-13 17:19:18

刻蝕機(jī)是干什么用的 刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似,先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜,再將掩膜與待加工物料模組裝好,將樣品置于刻蝕室內(nèi),通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉,以得到所需的凹槽和溝槽
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基于SEM的電子束光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)及研究

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2024-03-04 10:19:28206

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接觸器主觸頭接觸電阻如何測(cè)量?

接觸器主觸頭接觸電阻如何測(cè)量? 接觸器主觸頭接觸電阻的測(cè)量是一項(xiàng)非常重要的測(cè)試工作,它能夠確保接觸器正常工作并滿足設(shè)計(jì)要求。 1. 什么是接觸器主觸頭接觸電阻? 首先,讓我們了解一下什么是接觸
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60 V,N溝道溝槽MOSFET BXK9Q29-60A英文資料

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2024-01-04 14:22:260

光刻膠分類與市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用,占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%,是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346

什么是雙重電源?雙重電源和雙電源區(qū)別

什么是雙重電源?雙重電源和雙電源區(qū)別 雙重電源,也被稱為雙路電源或冗余電源,是指在電力供應(yīng)系統(tǒng)中,使用兩個(gè)獨(dú)立的電源提供電能以確保設(shè)備的持續(xù)供電。雙重電源通常用于對(duì)關(guān)鍵設(shè)備、系統(tǒng)或場(chǎng)所的電力供應(yīng)進(jìn)行
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光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度,ASML認(rèn)為其物理極限在0.25,k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們?cè)趧蚰z時(shí),是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:56442

光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類

光學(xué)模型是基于霍普金斯(Hopkins)光學(xué)成像理論,預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)(TCCs),從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中,經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光源,通過(guò)光刻機(jī)的照明系統(tǒng),照射在掩模上。如果在實(shí)際光刻
2023-12-11 11:35:32288

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

光刻膠國(guó)內(nèi)市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283

不僅需要***,更需要光刻

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹(shù)脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550

西隴科學(xué)9天8板,回應(yīng)稱“未生產(chǎn)、銷售光刻膠”

 20日,西隴科學(xué)(株)發(fā)布公告稱,該公司沒(méi)有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營(yíng)業(yè)收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315

雙重絕緣、加強(qiáng)絕緣和功能絕緣的概念

雙重絕緣 定義:由基本絕緣和輔助絕緣組成的絕緣 1、雙重絕緣是由基本絕緣和附加絕緣組成的防觸電措施; 2、雙重絕緣中基本絕緣和附加絕緣是相互獨(dú)立的;雙重絕緣是指包含基本絕緣和附加絕緣兩者的絕緣
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光刻膠黏度如何測(cè)量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571

ASML攜全景光刻解決方案亮相進(jìn)博會(huì)

第六屆進(jìn)博會(huì)于近日在上海國(guó)家會(huì)展中心正式收官,ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年,ASML繼續(xù)以“光刻未來(lái),攜手同行”為主題,攜全景光刻解決方案驚艷亮相,還創(chuàng)新性地帶來(lái)了“芯”意滿滿的沉浸
2023-11-11 15:23:53595

什么是EUV光刻?EUV與DUV光刻的區(qū)別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

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FirePrime_V10結(jié)構(gòu)圖

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RH119:高性能雙重比較數(shù)據(jù)表 ADI

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NUC240如何使用雙重CAN

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什么是光刻工藝?光刻的基本原理

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2023-08-23 10:47:531586

浸沒(méi)式光刻,拯救摩爾定律

2000年代初,芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬(ArF)光源光刻技術(shù)過(guò)渡到157納米氟(F 2 )光源光刻技術(shù)。
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代碼重構(gòu)的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

具體的重構(gòu)手段可參考《代碼大全2》或《重構(gòu):改善既有代碼的設(shè)計(jì)》,本文不再班門弄斧,而側(cè)重重構(gòu)時(shí)一些粗淺的“方法論”,旨在提高重構(gòu)效率。
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2023-08-22 07:08:00

首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線

2023年8月1日,九峰山實(shí)驗(yàn)室6寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測(cè)試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
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光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō),光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對(duì)硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
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EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng),復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對(duì)于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02396

AI重構(gòu)工業(yè)視覺(jué) | 阿丘科技受邀中信證券產(chǎn)業(yè)策略會(huì)精選問(wèn)答

近日,阿丘科技CEO黃耀受邀出席參與了由中信證劵舉辦的"獨(dú)角獸十問(wèn)十答"產(chǎn)業(yè)策略會(huì),以"AI重構(gòu)工業(yè)視覺(jué)"為主題,分享了工業(yè)視覺(jué)領(lǐng)域市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀,當(dāng)前AI
2023-08-05 08:28:24458

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上!

半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的,盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止,但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130

詳解電機(jī)控制中的電壓重構(gòu)

導(dǎo)讀:本期文章主要介紹電機(jī)控制中的電壓重構(gòu)重構(gòu)的電壓用于磁鏈估計(jì)等模塊必須的輸入,對(duì)整體控制而言,顯得尤為重要。
2023-07-15 11:32:461273

光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀

GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù),通過(guò)將光線通過(guò)
2023-07-07 11:46:07

基于機(jī)器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過(guò)程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-29 10:02:17327

光刻對(duì)準(zhǔn)原理與精度控制

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過(guò)程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-26 17:00:19766

一文了解光刻的歷史

如今,光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)容錯(cuò)率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用激光器之一以及比太陽(yáng)表面爆炸還高的熱度,在硅上刻出微小的形狀,尺寸僅為幾納米。
2023-06-26 16:59:16569

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成

兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部,挖出來(lái)的溝槽里面,叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu),對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021451

光刻中承上啟下的半導(dǎo)體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,除了光刻機(jī)等設(shè)備外,光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來(lái)說(shuō),這個(gè)承載設(shè)計(jì)圖形的材料,經(jīng)過(guò)曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984

綜述:聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類,第一類能夠自由形成任意圖案,主要包括掃描探針刻印(SPL)和噴墨打印;第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材的輔助下形成復(fù)雜的圖案,包括區(qū)域選擇性沉積(ASD)、納米壓印(NIL)、微接觸印刷(mCP)
2023-06-21 15:49:50522

氧化鎵(Ga2O3)溝槽二極管的相關(guān)研究進(jìn)展

Ga2O3技術(shù)成熟的一個(gè)主要障礙是器件過(guò)熱。對(duì)于Ga2O3溝槽器件,盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比,[100]溝槽側(cè)壁的熱導(dǎo)率(kT[010])更高,但具有[100]溝槽的Ga2O3溝槽器件很少被采用。
2023-06-21 11:40:58572

千萬(wàn)不能小瞧的PCB半

必須要有0.25mm的在板內(nèi),否則在生產(chǎn)過(guò)程壁的銅會(huì)脫落,導(dǎo)致無(wú)銅,成品無(wú)法使用。 半間距 半板最小成品孔徑為 0.5mm ,在生產(chǎn)制造過(guò)程孔徑需要進(jìn)行補(bǔ)償,補(bǔ)償之后的半與半的間距
2023-06-20 10:39:40

高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵的場(chǎng)效晶體管

高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場(chǎng)效晶體管
2023-06-16 10:07:03

PCB做了盲埋,還有必要再做盤(pán)工藝嗎

。 今天上山去朝拜,期待一切都如意。 另一個(gè)美女趕忙附和著說(shuō),你這PCB是靈隱寺前上過(guò)香,大雄寶殿開(kāi)過(guò)光,HDI加盤(pán),成品做出來(lái)絕對(duì)拉風(fēng)。 明明說(shuō)等等,你能把板子情況詳細(xì)描述下,我以前聽(tīng)大師說(shuō)做HDI
2023-06-14 16:33:40

面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過(guò)程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-14 10:16:38226

鐵氧體在可重構(gòu)天線中的應(yīng)用

這篇文章針對(duì)鐵氧體在外置磁場(chǎng)下磁導(dǎo)率發(fā)生變化這個(gè)特點(diǎn),探討鐵氧體在可重構(gòu)天線中的應(yīng)用。文中對(duì)鐵氧體材料的選擇,磁導(dǎo)率數(shù)學(xué)模型的建立等進(jìn)行分析,給出鐵氧體可重構(gòu)天線的設(shè)計(jì)流程,以及樣件仿真與實(shí)測(cè)結(jié)果的對(duì)比。
2023-06-13 15:40:07616

芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試,實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝,技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205857

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個(gè)環(huán)節(jié),即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688

知識(shí)分享---光刻模塊標(biāo)準(zhǔn)步驟

通常,光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的,其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征,以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像,并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041790

平面型與溝槽型IGBT特性上有哪些區(qū)別?

在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的,而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向
2023-05-11 11:18:53723

樹(shù)脂塞的設(shè)計(jì)與應(yīng)用,你了解多少?

設(shè)計(jì),可以實(shí)現(xiàn)更高密度布線。 5 可以消除雜質(zhì)進(jìn)入導(dǎo)通,或避免卷入腐蝕雜質(zhì)。 樹(shù)脂塞的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用 當(dāng)設(shè)計(jì)要求過(guò)孔塞,或者不允許過(guò)孔發(fā)紅,且有盤(pán)時(shí),建議做樹(shù)脂塞;當(dāng)過(guò)孔打在BGA焊點(diǎn)上
2023-05-05 10:55:46

PCB板為什么要做樹(shù)脂塞

上貼片設(shè)計(jì),可以實(shí)現(xiàn)更高密度布線。 5 可以消除雜質(zhì)進(jìn)入導(dǎo)通,或避免卷入腐蝕雜質(zhì)。 樹(shù)脂塞的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用 當(dāng)設(shè)計(jì)要求過(guò)孔塞,或者不允許過(guò)孔發(fā)紅,且有盤(pán)時(shí),建議做樹(shù)脂塞;當(dāng)過(guò)孔打在
2023-05-04 17:02:26

PADS小技巧,如何一起選中同一類

  然后就出現(xiàn)PCB板的所有過(guò)孔,你選中一種,點(diǎn)確定,就能選中想要選中的了。如下圖所示。   上圖就把所有同一類的過(guò)孔都選中了。這個(gè)還有其它類型可以操作的,并不是這一種過(guò)孔。還可以選同類
2023-04-28 17:54:05

EUV光刻的無(wú)名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689

SiC MOSFET:是平面柵還是溝槽柵?

溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:023037

淺談光刻技術(shù)

在整個(gè)芯片制造過(guò)程中,幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開(kāi)光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331243

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260

什么是光刻技術(shù)

光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

光刻技術(shù)簡(jiǎn)述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過(guò)程
2023-04-25 09:55:131057

分享一下波峰焊與通回流焊的區(qū)別

  通回流焊可實(shí)現(xiàn)在單一步驟同時(shí)對(duì)穿孔元件和表面貼裝元件(SMC/SMD)進(jìn)行回流焊;波峰焊工藝是比較傳統(tǒng)的電子產(chǎn)品插件焊接工藝。  波峰焊工藝特點(diǎn)  波峰焊工藝  波峰焊是讓插件板的焊接面直接
2023-04-21 14:48:44

求分享FS26喚醒策略

FS26 喚醒策略
2023-04-21 06:33:08

負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

關(guān)于螺釘敷銅問(wèn)題

目前有個(gè)問(wèn)題,螺釘在原理圖中接地,但PCB板中鋪地銅時(shí),卻無(wú)法在螺釘上鋪,總是被隔離出來(lái)。不知道什么原因,向大神求解。
2023-04-13 13:19:21

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā),必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

PCB板在組裝過(guò)程過(guò)波峰焊時(shí)爬錫不良的原因都有哪些?

PCB板在組裝過(guò)程過(guò)波峰焊時(shí)爬錫不良的原因都有哪些?銅爬錫不好是啥原因?
2023-04-11 16:55:09

基于ArkUI框架開(kāi)發(fā)-ImageKnife渲染層重構(gòu)

:支持圖像像素源圖片變換效果。●支持用戶配置參數(shù)使用:(例如:配置是否開(kāi)啟一級(jí)內(nèi)存緩存,配置磁盤(pán)緩存策略,配置僅使用緩存加載數(shù)據(jù),配置圖片變換效果,配置占位圖,配置加載失敗占位圖等)。更多細(xì)節(jié)請(qǐng)?jiān)L問(wèn)源碼
2023-04-06 10:01:28

音圈電機(jī)模組在主流光刻掩模臺(tái)系統(tǒng)中的應(yīng)用

光刻機(jī)是芯片智造的核心設(shè)備之一,也是當(dāng)下尤為復(fù)雜的精密儀器之一。正因?yàn)榇耍商m光刻機(jī)智造商阿斯麥通研制的EUV光刻機(jī)才會(huì)“千金難求”。 很多人都對(duì)光刻機(jī)有所耳聞,但其實(shí)不同光刻機(jī)的用途并不
2023-04-06 08:56:49679

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329

PCB半工藝設(shè)計(jì)需要注意的細(xì)節(jié)問(wèn)題

焊接到一起。  ■ 半的難點(diǎn)  如何控制好板邊半金屬化成型后的產(chǎn)品質(zhì)量,如壁銅刺脫落翹起、殘留一直是加工過(guò)程的一個(gè)難題。如果這些半金屬化內(nèi)殘留有銅刺,在插件廠家進(jìn)行焊接的時(shí)候,將導(dǎo)致焊腳不牢
2023-03-31 15:03:16

剖析Android項(xiàng)目組件化重構(gòu)架構(gòu)

重構(gòu)前的代碼業(yè)務(wù)封裝在宿主app中,業(yè)務(wù)耦合嚴(yán)重,如果修改一個(gè)業(yè)務(wù)模塊,需要對(duì)整個(gè)app進(jìn)行完整測(cè)試,測(cè)試工作量巨大 而**重構(gòu)后,我們只需要對(duì)單一app進(jìn)行獨(dú)立調(diào)試即可
2023-03-30 10:41:54662

板內(nèi)盤(pán)設(shè)計(jì)狂飆,細(xì)密間距線路中招

去吃魚(yú)。”林如煙笑笑說(shuō),就這么滴。話音剛落,大師兄突然抬起頭說(shuō):“理工,客戶有個(gè)PCB,,板上有個(gè)0.5mm bga,PCB設(shè)計(jì)時(shí)有焊盤(pán)夾線,板內(nèi)其它非BGA區(qū)域有盤(pán)設(shè)計(jì),結(jié)果導(dǎo)致板子生產(chǎn)不良率
2023-03-27 14:33:01

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計(jì)算光刻庫(kù)可以將計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍。這對(duì)于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說(shuō)
2023-03-23 18:55:377489

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