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      標(biāo)簽　>　光刻

      光刻

      +關(guān)注7人關(guān)注

      光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術(shù)。

      文章：281個 瀏覽：30602次 帖子：5個

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      2022-01-17 標(biāo)簽：集成電路光刻 3359 0

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      雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了...

      2022-05-12 標(biāo)簽：工藝光刻蝕刻 3053 0

      新思科技x Multibeam推出業(yè)界首款可量產(chǎn)電子束光刻系統(tǒng) 無需掩膜

      ? 基于掩膜的傳統(tǒng)光刻技術(shù)，其成本正呈指數(shù)級攀升。而無掩膜的電子束光刻技術(shù)提供了補充性選項，可以幫助芯片制造商更快地將產(chǎn)品推向市場。電子束光刻技術(shù)采用電...

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      新型反射顯示:基于等離子超體表面無光刻制程

      該技術(shù)的實施還需要借助高成本的納米光刻制造技術(shù)。

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      光刻14nm、5nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)

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      2011-03-08 標(biāo)簽：節(jié)點光刻14nm 2876 0

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      擺脫光刻技術(shù)的沮喪看來遙遙無期。今天的193nm浸入式光刻技術(shù)仍然遠遠領(lǐng)先。業(yè)界一度認為193nm浸入式光刻會在32nm遭遇極限

      2011-03-21 標(biāo)簽：光刻 2874 0

      蘇大維格：***已實現(xiàn)向國內(nèi)龍頭芯片企業(yè)銷售

      據(jù)介紹，目前蘇大維格正在重點擴大微納米光學(xué)技術(shù)/產(chǎn)品。國家文件和證明書中的防偽材料、電子紙張和反射式液晶電光材料、ar/mr和ar-hud衍射材料、透明...

      2023-09-14 標(biāo)簽：芯片光刻微納米 2872 0

      好消息！國產(chǎn)EDA龍頭，華大九天支持5nm先進工藝，已開始商業(yè)化！

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      2023-04-20 標(biāo)簽：芯片集成電路eda 2823 0

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      大家好，我是硬件花園，一名樂于分享的硬件工程師。關(guān)注我，了解更多精彩內(nèi)容！ 近日，華中科技大學(xué)劉世元教授團隊成功打破國外壟斷，成功研發(fā)中國首款完全自主可...

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      我們所知道的第一個半導(dǎo)體路線圖可能是摩爾觀察到的，以他為名字的“摩爾定律”預(yù)計，芯片的計算能力隨著時間的增長呈指數(shù)增長。

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      多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個階段，接下來詳細為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段，內(nèi)層穿過化學(xué)制劑生產(chǎn)...

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      有關(guān)芯片光刻路線圖的一些知識

      IRDS路線圖中More Moore部分預(yù)測了傳統(tǒng)邏輯和存儲芯片的改進。這部分升級是由大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算和性能改進的一般需求驅(qū)動的。據(jù)預(yù)測，高性能邏...

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      據(jù)本文介紹，錫液滴發(fā)生器是激光等離子型極紫外線（lpp-euv）光刻光源中最重要的核心部件之一。錫液滴目標(biāo)具有高反復(fù)頻率，小直徑和穩(wěn)定性好的特性。這篇論...

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      BOE（京東方）開發(fā)的量子點直接光刻（DP-QLED）工藝，僅需要涂膜、曝光、顯影三步即實現(xiàn)了一種量子點的圖案化；相對于其它光刻圖案化工藝，步驟減少，無...

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      光刻膠經(jīng)曝光后，其化學(xué)性質(zhì)會發(fā)生改變。更準(zhǔn)確地說，經(jīng)曝光后，光刻膠在顯影液中的溶解度發(fā)生了變化：曝光后溶解度上升的物質(zhì)稱作正性（Positive）光刻膠...

      2023-01-31 標(biāo)簽：集成電路晶圓光刻 2191 0

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        +關(guān)注
        AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時，AMS1117器件的最小壓差保證不超過1.3V，并隨負載電流的減小而逐漸降低。
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        +關(guān)注
        德州儀器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件，它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合，專為在便攜式測量應(yīng)用中延長電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個強大的16位 RISCCPU，16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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        TTP223是觸摸鍵檢測IC，提供1個觸摸鍵。觸摸檢測IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點。111
      • 1N4148
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        +關(guān)注
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