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      標(biāo)簽　>　光刻

      光刻

      +關(guān)注7人關(guān)注

      光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

      文章：281個(gè) 瀏覽：30602次 帖子：5個(gè)

      光刻資訊

      光刻工藝的苛刻高精度、重復(fù)性和穩(wěn)定性要求

      光刻技術(shù)，顧名思義就是一種用光刻印的技術(shù)，它廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造行業(yè)以及許多其他納米技術(shù)應(yīng)用中；

      2019-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 5918 0

      關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識(shí)點(diǎn)集合

      關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識(shí)點(diǎn)集合

      最近光博會(huì)上看到一本關(guān)于光刻的小冊(cè)子，里面有一點(diǎn)內(nèi)容，分享給大家。 關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。 開(kāi)篇 光刻的原理 表面處理：一般的...

      2021-10-13 標(biāo)簽：探測(cè)器光刻光刻膠 5188 0

      臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破

      今年4月開(kāi)始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或...

      2018-10-17 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電光刻 5136 0

      全球首臺(tái)！蘇大維格光刻設(shè)備投入運(yùn)行；臺(tái)積電上半年專利申請(qǐng)數(shù)量375件奪冠…

      7月28日，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)有關(guān)單位公布統(tǒng)計(jì)指出，受到疫情影響，今年上半年中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)專利申請(qǐng)件數(shù)為33,954件，與去年同期相比下降4%；發(fā)明專利申請(qǐng)人中...

      2020-07-30 標(biāo)簽：臺(tái)積電光刻 5102 0

      不使用EUV突破1nm極限？美國(guó)推出全新光刻系統(tǒng)，分辨率0.768nm！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，一家名為Zyvex Labs的美國(guó)公司宣布推出亞納米分辨率的光刻系統(tǒng)Zyvex Litho 1，據(jù)稱分辨率可以達(dá)到0...

      2022-09-27 標(biāo)簽：光刻EUV 4999 0

      南大光電高黏附性的ArF光刻膠樹(shù)脂專利揭秘

      在國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域，我國(guó)雖已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(guó)，但整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國(guó)內(nèi)光刻膠廠布局較晚，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)相較于海外先進(jìn)技術(shù)差距較大，...

      2020-03-06 標(biāo)簽：光刻 4676 0

      2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％

      2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％

      按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹(shù)脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用...

      2021-05-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻 4484 0

      關(guān)于芯片光刻的性能分析和介紹

      關(guān)于芯片光刻的性能分析和介紹

      為避免對(duì)被處理表面的任何損傷，應(yīng)當(dāng)使用低溫下溫和的化學(xué)方法。超聲波的應(yīng)用也可以增強(qiáng)剝離效能。因?yàn)橛懈g問(wèn)題、一些已知的剝離液不能作用與鋁等金屬表面；在此...

      2019-09-05 標(biāo)簽：芯片集成電路光刻 4405 0

      突發(fā)！ASML對(duì)手，宣布破產(chǎn)！

      荷蘭的芯片機(jī)制造是世界有名的，其中的ASML就是世界領(lǐng)先的佼佼者，但是，上周有消息傳出，其荷蘭的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手、代

      2019-01-05 標(biāo)簽：芯片電子光刻 4396 0

      開(kāi)啟新時(shí)代，臺(tái)積電將打造“系統(tǒng)超級(jí)芯片”

      世界領(lǐng)先半導(dǎo)體廠商臺(tái)積電首席技術(shù)官兼研發(fā)副總裁孫元成透露了未來(lái)臺(tái)積電主導(dǎo)“系統(tǒng)超級(jí)芯片”市場(chǎng)的詳細(xì)計(jì)劃。

      2013-05-16 標(biāo)簽：CMOS臺(tái)積電3D 4384 0

      SK海力士的M16工廠將用上最先進(jìn)的EUV光刻工藝

      今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲(chǔ)芯片工廠M14落成時(shí)SK Hynix宣布的46萬(wàn)億韓元投資計(jì)劃中的...

      2018-12-22 標(biāo)簽：光刻SK海力士 4332 0

      光刻工藝中使用的曝光技術(shù)

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      根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖...

      2022-07-27 標(biāo)簽：光刻曝光 4319 0

      光刻成為摩爾定律的前沿 制造工藝成主要瓶頸

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      十多年來(lái)，半導(dǎo)體制造行業(yè)一方面一直在期待EUV能夠拯救摩爾定律，但另一方面又擔(dān)心該技術(shù)永遠(yuǎn)都不會(huì)出現(xiàn)。不過(guò)最終，它還是來(lái)了，而且不久便將投入使用。

      2020-01-26 標(biāo)簽：摩爾定律光刻EUV 3985 0

      偷偷賺著大把鈔票的ASML

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      ASML脫胎于飛利浦、成立于1984年，其唯一產(chǎn)品類型就是集成電路制造環(huán)節(jié)中最核心的設(shè)備——光刻機(jī)。光刻機(jī)設(shè)備通過(guò)光源將掩模上的電路圖曝光至涂滿光刻膠的...

      2018-03-06 標(biāo)簽：光刻光刻技術(shù)ASML 3870 0

      臺(tái)積電 | 首次加入EUV極紫外光刻技術(shù) 7nm+工藝芯片已量產(chǎn)

      臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。

      2019-05-28 標(biāo)簽：臺(tái)積電光刻EUV 3837 0

      EUV光刻工藝終于商業(yè)化 新一代EUV光刻工藝正在籌備

      隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多...

      2018-10-30 標(biāo)簽：光刻EUV 3816 0

      掩膜版行業(yè)基本概述

      掩膜版（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。

      2023-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造業(yè)光刻 3659 0

      日美大戶橫行,阿斯麥光刻市場(chǎng)的崛起之路

      阿斯麥的地位有多重要？可以這么說(shuō)，如果它停產(chǎn)，全球半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)將會(huì)停擺。

      2019-06-03 標(biāo)簽：光刻ASML 3637 0

      中國(guó)終于打破日本在光刻膠的壟斷地位

      昨夜晚間，寧波南大光電發(fā)表公告稱，公司自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品 近日成功通過(guò)客戶的使用認(rèn)證。

      2020-12-18 標(biāo)簽：光刻光刻膠 3613 0

      美國(guó)泛林宣布與ASML、IMEC合作開(kāi)發(fā)出新的EUV光刻技術(shù) 成本大幅降低

      2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開(kāi)發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠...

      2020-02-29 標(biāo)簽：光刻IMECEUV 3603 0

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        +關(guān)注
        AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計(jì)用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時(shí)，AMS1117器件的最小壓差保證不超過(guò)1.3V，并隨負(fù)載電流的減小而逐漸降低。
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        +關(guān)注
        德州儀器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件，它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合，專為在便攜式測(cè)量應(yīng)用中延長(zhǎng)電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個(gè)強(qiáng)大的16位 RISCCPU，16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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        +關(guān)注
        反向電壓是什么意思？反向電壓怎么產(chǎn)生的？我們這邊為大家分享一下正向電壓和反向電壓的區(qū)別；光電效應(yīng)反向電壓；解讀最大反向電壓怎么求？二極管最高反向工作電壓？最高反向工作電壓的計(jì)算公式等知識(shí)點(diǎn)。
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        +關(guān)注
        MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問(wèn)題，減少了大量的封裝空間。
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        總線收發(fā)器，典型的CMOS型三態(tài)緩沖門(mén)電路，八路信號(hào)收發(fā)器，。由于單片機(jī)或CPU的數(shù)據(jù)/地址/控制總線端口都有一定的負(fù)載能力，如果負(fù)載超過(guò)其負(fù)載能力，一般應(yīng)加驅(qū)動(dòng)器。
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        　　基準(zhǔn)電壓是指?jìng)鞲衅髦糜?℃的溫場(chǎng)（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實(shí)際上就是0點(diǎn)電壓。其表示符號(hào)為V（0），該值出廠時(shí)標(biāo)定，由于傳感器的溫度系數(shù)S相同，則只要知道基準(zhǔn)電壓值V（0），即可求知任何溫度點(diǎn)上的傳感器電壓值，而不必對(duì)傳感器進(jìn)行分度。
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        MAX3232 器件由兩個(gè)線路驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)線路接收器和一個(gè)雙路電荷泵電路組成，具有端子間（串行端口連接端子，包括 GND）±15kV ESD 保護(hù)。
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        DA轉(zhuǎn)換器一般指數(shù)模轉(zhuǎn)換器。它是把數(shù)字量轉(zhuǎn)變成模擬的器件。D/A轉(zhuǎn)換器基本上由4個(gè)部分組成，即權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)電源和模擬開(kāi)關(guān)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器中一般都要用到數(shù)模轉(zhuǎn)換器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器即A/D轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)稱ADC，它是把連續(xù)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡x散的數(shù)字信號(hào)的器件。
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        +關(guān)注
        TTP223是觸摸鍵檢測(cè)IC，提供1個(gè)觸摸鍵。觸摸檢測(cè)IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計(jì)的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點(diǎn)。111
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        MAX485是一個(gè)八引腳的RS485電平收發(fā)器（只能單工或半雙工）。內(nèi)部含有一個(gè)輸入信號(hào)接收器R、一個(gè)輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)器D。
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