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SK海力士的M16工廠將用上最先進(jìn)的EUV光刻工藝

cMdW_icsmart ? 來源:xx ? 2018-12-22 11:09 ? 次閱讀

今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠,這是2015年全球最大的存儲芯片工廠M14落成時(shí)SK Hynix宣布的46萬億韓元投資計(jì)劃中的一部分,M15工廠位于韓國忠清南道的清州市,投資額高達(dá)15萬億韓元,主要生產(chǎn)3D NAND閃存,初期將生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆棧3D NAND,不過明年初就會轉(zhuǎn)向96層堆棧的3D NAND閃存。

著NAND閃存及DRAM內(nèi)存不斷降價(jià),2019年存儲芯片市場將迎來一輪熊市。為了應(yīng)對降價(jià)導(dǎo)致的損失,三星、SK Hynix及美光都計(jì)劃削減資本支出,不過削減并不意味著他們不再建設(shè)芯片工廠了。

就在本周三,也就是12月19日,SK海力士位于無錫的M16工廠正式舉行開工典禮,預(yù)計(jì)2020年正式建成,總投資額還沒確定,不過也不會低于15萬億韓元,其中基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)就要3.5萬億韓元,占地面積30英畝。這座工廠最終會生產(chǎn)DRAM內(nèi)存還是NAND閃存都沒確定,SK Hynix表示這要看落成時(shí)的市場需求以及工廠的技術(shù)水平來決定。

不過有一點(diǎn)可以肯定的,M16工廠將會用上最先進(jìn)的EUV光刻工藝——存儲芯片跟邏輯芯片不同,雖然對EUV光刻工藝的需求沒那么高,不過三星、SK Hynix依然計(jì)劃在未來使用EUV工藝生產(chǎn)存儲芯片,而美光對EUV的態(tài)度就比較保守,未來兩代的內(nèi)存芯片依然不會用到EUV光刻工藝。

據(jù)ASML證實(shí),此次入駐SK海力士無錫工廠確為NXT2000i,也即NXT2000。ASML解釋道,i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的機(jī)器。

今年8月份曾有消息表示,ASML已經(jīng)開始出貨新品Twinscan NXT2000i DUV(NXT2000i雙工件臺深紫外***),可用于7nm和5nm節(jié)點(diǎn)。

NXT2000i將是NXE3400B EUV***的有效補(bǔ)充,畢竟臺積電/GF的第一代7nm都是基于DUV工藝。

同時(shí),NXT2000i也成為了ASML旗下套刻精度(overlay)最高的產(chǎn)品,達(dá)到了和3400B一樣的1.9nm(5nm要求至少2.4nm,7nm要求至少3.5nm)。

當(dāng)時(shí)ASML只表示這款性能出眾的***將于本年度末正式量產(chǎn),尚未確定***的價(jià)格。根據(jù)媒體的估計(jì),按照目前ASML的定位,這款***的定價(jià)應(yīng)該在幾千萬至上億美元之間。ASML的3400B EUV***的報(bào)價(jià)是1.2億美元一臺,而14nm節(jié)點(diǎn)的***報(bào)價(jià)則在7200萬美元。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:中國首臺EUV光刻機(jī)正式入駐SK海力士無錫工廠

文章出處:【微信號:icsmart,微信公眾號:芯智訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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