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SK海力士用更加環保的氟氣替代三氟化氮用于芯片清潔工藝

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2024-07-26 15:44 ? 次閱讀

SK 海力士,作為全球領先的半導體制造商,近期在環保領域邁出了重要一步,宣布在其芯片生產的關鍵清洗工藝中,將采用更為環保的氣體——氟氣(F2)來替代傳統的三氟化氮(NF3)。這一舉措不僅彰顯了SK 海力士對環境保護的堅定承諾,也標志著半導體行業向綠色生產邁出的新步伐。

據SK 海力士2024年可持續發展報告披露,過去,公司在芯片生產過程中使用三氟化氮作為清洗氣體,以有效去除沉積過程中腔室內殘留的雜質。然而,三氟化氮的全球變暖潛能值(GWP)高達17200,對環境構成較大壓力。為了減輕這一影響,SK 海力士積極探索并成功實施了氟氣替代方案。氟氣不僅具有優異的清洗效果,其GWP值更是低至0,從源頭上降低了生產過程中的溫室氣體排放。

此外,SK 海力士還進一步加大了氫氟酸(HF)的使用量,這種氣體在低溫蝕刻設備中表現出色,且其GWP值僅為1或更低,遠遠優于過去用于NAND通道孔蝕刻的氟碳氣體。這一系列環保措施的實施,不僅提升了SK 海力士的生產效率,更在保護地球環境方面發揮了積極作用。

SK 海力士的這一轉型,不僅是對自身可持續發展的負責任態度,也為整個半導體行業樹立了綠色生產的典范。未來,隨著更多企業加入到環保生產的行列中來,半導體行業將迎來更加綠色、可持續的發展前景。

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