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標簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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隨著半導體制造工藝節點不斷發展至100納米甚至更小的10納米級別,如何制作出尺寸精度高、表面特征優秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個行業面臨的挑戰。
鼎龍股份投資300噸KrF/ArF光刻膠產業化項目,增資擴股?
據了解,潛江新材料主營業務含電子專用材料研發、銷售、制造,及工程和技術研究發展、新材料技術研發等多個領域。本次增資后,鼎龍股份對潛江新材料的持股比例減至...
High NA EUVL 的出現將進一步提高分辨率并減小特征尺寸,同時降低焦深。這當然會導致薄膜(film)厚度縮小,這需要實施新的光刻膠和underl...
在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要...
本次榮獲“首批新材料”稱號的藍色顯示光刻膠,歷經公司多年密集研發,同行業相較其關鍵參數處于領先地位,多項性能優于國際同類產品,目前暢銷于多個行業知名品牌。
為了成功紫外曝光并且根據所需要的分辨率,光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置,不要有任何干擾。如要這樣做,可檢查如下幾件事。 首先,光掩模和晶圓...
隨著半導體器件的應用范圍越來越廣,晶圓制造技術也得到了快速發展。其中,光刻技術在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料,其質量直...
2025-01-03 標簽:光刻膠 673 0
近日,據相關報道,三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了重要技術突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據悉,三星已經制定了未來NAND閃存...
9.5.9 KrF和ArF深紫外光刻膠∈《集成電路產業全書》
DUVPhotoresistforKrFandArF撰稿人:北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人:復旦大學鄧海...
2022-02-14 標簽:光刻膠 614 0
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