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國產光刻膠通過半導體工藝量產驗證

半導體芯科技SiSC ? 來源:太紫微公司 ? 作者:太紫微公司 ? 2024-10-17 13:22 ? 次閱讀
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來源:太紫微公司

近日,光谷企業在半導體專用光刻膠領域實現重大突破:武漢太紫微光電科技有限公司(以下簡稱“太紫微公司”)推出的T150 A光刻膠產品,已通過半導體工藝量產驗證,實現配方全自主設計,有望開創國內半導體光刻制造新局面。

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眾所周知,光刻膠是半導體芯片制造過程中所必須的關鍵材料,其研發和生產過程復雜且嚴格。光刻膠是指經過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射后,溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料,主要應用于積體電路和分立器件的細微圖形加工。
光刻工藝流程包括前處理、涂膠、軟烘烤、對準曝光、PEB(Post Exposure Bake)、顯影、硬烘烤和檢驗等八個環節。在這些環節中,光刻膠的性能直接影響到集成電路芯片的質量和性能。
光刻膠通常使用在紫外光波段或更小的波長(小于400納米)進行曝光。由于目前光刻機曝光光源一共有六種,分別是紫外全譜(300~450nm)、 G 線(436nm)、 I 線(365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV),相對應于各曝光波長的光刻膠也應運而生,對應分別為,g 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF光刻膠、 ArF光刻膠、EUV光刻膠。

該產品對標國際頭部企業主流KrF光刻膠系列。相較于被業內稱之為“妖膠”的國外同系列產品UV1610,T150 A在光刻工藝中表現出的極限分辨率達到120nm,且工藝寬容度更大,穩定性更高,堅膜后烘留膜率優秀,其對后道刻蝕工藝表現更為友好,通過驗證發現T150 A中密集圖形經過刻蝕,下層介質的側壁垂直度表現優異。

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值得注意的是,太紫微公司成立于2024年5月,由華中科技大學武漢光電國家研究中心團隊創立。團隊立足于關鍵光刻膠底層技術研發,在電子化學品領域深耕二十余載。

企業負責人、英國皇家化學會會員、華中科技大學教授朱明強表示:“以原材料的開發為起點,最終獲得具有自主知識產權的配方技術,這只是個開始,我們團隊還會發展一系列應用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠,為國內相關產業帶來更多驚喜?!?/span>

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太紫微核心研發團隊成員(前排左一為朱明強教授)

太紫微公司致力于半導體專用高端電子化學品材料的開發,并以新技術路線為半導體制造開辟新型先進光刻制造技術,同時為材料的分析與驗證提供最全面的手段。

“無論是從國內半導體產業崛起的背景來看,還是從摩爾定律演變的規律展望未來,‘百家爭鳴’的局面已形成,光刻領域還會有很多新技術、新企業破繭成蝶,但擁有科技創新的力量是存活下去的必要前提?!碧衔⑼馄笇<翌檰柋硎尽?/span>

審核編輯 黃宇

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