女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何成功進(jìn)行微流控SU-8光刻膠的紫外曝光?

蘇州汶顥 ? 來(lái)源:jf_73561133 ? 作者:jf_73561133 ? 2024-08-23 14:39 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

為了成功紫外曝光并且根據(jù)所需要的分辨率,光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置,不要有任何干擾。如要這樣做,可檢查如下幾件事。
首先,光掩模和晶圓之間的灰塵或任何其他元素的存在都會(huì)導(dǎo)致不完美的接觸。在曝光的過(guò)程中,通過(guò)清潔光掩模和仔細(xì)的操作可以很容易的避免這個(gè)問(wèn)題。
但是還有另一個(gè)不可避免的現(xiàn)象,那就是在SU-8光刻膠曝光的過(guò)程中,可能會(huì)有一個(gè)巨大的后果。事實(shí)上,如果SU-8光刻膠通過(guò)旋涂技術(shù)來(lái)涂覆,那么在晶圓的周?chē)鷷?huì)有一個(gè)喇叭圖形。喇叭圖形的出現(xiàn)是由光刻膠的表面張力引起的。在曝光的過(guò)程中,光掩模首先與喇叭圖形接觸,并且不會(huì)粘在整個(gè)晶圓的表面上。這種現(xiàn)象不可避免的導(dǎo)致了分辨率的損失。
喇叭圖形的大小并不是固定的,但主要取決于SU-8光刻膠的粘度和SU-8光刻膠的種類(lèi)。例如,對(duì)于100μm的SU-8光刻膠層,可以測(cè)量大約幾個(gè)微米。這是無(wú)法避免的,但是可以通過(guò)一個(gè)被稱(chēng)為“切割”的步驟來(lái)予以抑制。切割在于通過(guò)一層薄薄的丙酮射流(例如使用注射器)來(lái)移除晶圓邊緣上的樹(shù)脂(通常有半個(gè)厘米)。
通常,光掩模和晶圓之間良好接觸的指標(biāo)是界面處的干涉條紋的顯現(xiàn)。如果您手動(dòng)進(jìn)行接觸,那么請(qǐng)按壓知道Moire圖案出現(xiàn)。
水分
光刻膠根據(jù)其交聯(lián)過(guò)程可以分為兩類(lèi):陽(yáng)離子型或自由基型。對(duì)于我們的應(yīng)用和SU-8光刻膠的使用,反應(yīng)是陽(yáng)離子的。光引發(fā)劑是一些對(duì)濕度敏感的酸。
不建議在相對(duì)濕度超過(guò)70%的情況下曝光SU-8光刻膠,相反,較弱的濕度會(huì)導(dǎo)致更快的交聯(lián)。
SU-8光刻膠烘烤
烘烤步驟影響加工過(guò)程的結(jié)果,但也影響其他步驟包括曝光步驟。事實(shí)上,第一次SU-8光刻膠烘烤太短會(huì)使其變得柔軟和粘稠,并且在曝光的過(guò)程中,掩膜有可能會(huì)被卡住。此外,如果軟烘的時(shí)間太長(zhǎng),太多的溶劑將會(huì)被蒸發(fā)掉而且最優(yōu)的曝光時(shí)間也將會(huì)有所不同。
SU-8曝光之前和之后的時(shí)間
一旦SU-8樹(shù)脂第一次烘烤(軟烘烤)完成后,SU-8光刻膠可以長(zhǎng)時(shí)間(至少一個(gè)月)的保存在盒子里和黑暗條件下,并且可以始終曝光,烘烤和顯影。所以,曝光前的時(shí)間不是一個(gè)關(guān)鍵的參數(shù)。
相反,曝光之后,在進(jìn)行第二次SU-8烘烤(the Post Exposure Bake,曝光后烘烤)之前,必須檢查時(shí)間。事實(shí)上,在SU-8曝光期間,光引發(fā)劑被激活但是需要額外的能量輸入才能繼續(xù)交聯(lián)反應(yīng)。
SU-8紫外曝光之前的掩膜對(duì)齊
一些工藝在掩膜和晶圓之間需要有對(duì)齊功能,但是,實(shí)際上,只有很少的UV燈可以提供這個(gè)功能,如果你必須使用它,請(qǐng)確保您的設(shè)備能夠進(jìn)行這樣的操作。為了對(duì)齊,您需要一些對(duì)齊線(xiàn)來(lái)確認(rèn)晶圓的位置以及何時(shí)對(duì)齊。
曝光波長(zhǎng)
曝光的波長(zhǎng)是非常重要的,因?yàn)樗枰ヅ溆诿糠N光刻膠。為了曝光SU-8光刻膠,必須使用波長(zhǎng)為365nm的紫外光。曝光波長(zhǎng)的變化可以改變光刻膠層發(fā)生交聯(lián)所需要的能量,有時(shí)候,也可以通過(guò)調(diào)整曝光時(shí)間來(lái)改變光刻膠層交聯(lián)反應(yīng)所需要的能量。
曝光時(shí)間
最重要的參數(shù)之一顯然是曝光時(shí)間。SU-8的曝光時(shí)間是光刻膠被UV照亮的時(shí)間。曝光時(shí)間也與UV線(xiàn)的功率有關(guān),并且它們一起確定了照射到光刻膠的能量。曝光時(shí)間太短或太長(zhǎng)將會(huì)導(dǎo)致光刻膠曝光不足或曝光過(guò)度,從而導(dǎo)致分辨率下降。更確切的說(shuō),膠層壁的設(shè)計(jì)寬度和外觀(guān)可以通過(guò)改變曝光時(shí)間來(lái)顯著的進(jìn)行調(diào)節(jié)。如果曝光時(shí)間太短,那么光刻膠可能不會(huì)在整個(gè)深度上發(fā)生交聯(lián)反應(yīng),因此,光刻膠層在顯影的步驟中將會(huì)發(fā)生剝離。如果曝光時(shí)間太長(zhǎng),通道的寬度將會(huì)增加。
如何檢查您的SU-8光刻是否成功?
PEB期間,SU-8圖案的出現(xiàn)
PEB過(guò)程中,SU-8圖案在膠層的表面上將會(huì)更加清晰可見(jiàn)。
顯影時(shí)間和沒(méi)有SU-8白色標(biāo)志
從PEB的最后,未曝光的樹(shù)脂被顯影,然后用異丙醇沖洗晶圓。在干燥的過(guò)程中,白色標(biāo)志的出現(xiàn)表明了SU-8未完全顯影,因此,晶圓需要更長(zhǎng)時(shí)間的顯影。如果顯影時(shí)間看起來(lái)真的比工藝表中標(biāo)明的時(shí)間還要長(zhǎng)或者更短,那么這意味著在SU-8旋涂或曝光的過(guò)程中,出現(xiàn)了一些問(wèn)題,此時(shí),可能需要檢查SU-8旋涂或者曝光的工藝過(guò)程。
控制SU-8圖案的形狀和尺寸
顯影后,在顯微鏡下觀(guān)察允許您:
知道SU-8光刻膠是否顯影良好
對(duì)圖案形狀給出第一個(gè)指示
知道圖案的寬度
測(cè)量SU-8圖案的厚度
為了檢查旋涂的合格性,最后一個(gè)測(cè)試時(shí)測(cè)量膠層的厚度。有幾種方法是可以被采用的。通常,厚度是通過(guò)光學(xué)或者機(jī)械輪廓儀來(lái)測(cè)量的。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 微流控
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    582

    瀏覽量

    19921
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    339

    瀏覽量

    30941
  • 掩膜
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    28

    瀏覽量

    11865
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材,尤其高端材料長(zhǎng)期被日美巨頭壟斷,國(guó)外企業(yè)對(duì)原料和配方高度保密,我國(guó)九成以上光刻膠依賴(lài)進(jìn)口。不過(guò)近期,國(guó)產(chǎn)光刻膠領(lǐng)域捷報(bào)頻
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?2087次閱讀

    減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?294次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    ,是指通過(guò)紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等光照或輻射,溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來(lái)說(shuō),光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?203次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造與納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?218次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠的類(lèi)型及特性

    光刻膠類(lèi)型及特性光刻膠(Photoresist),又稱(chēng)光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類(lèi)型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?2222次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類(lèi)型及特性

    機(jī)轉(zhuǎn)速對(duì)控芯片精度的影響

    控芯片制造過(guò)程中,勻是關(guān)鍵步驟之一,而勻機(jī)轉(zhuǎn)速會(huì)在多個(gè)方面對(duì)控芯片的精度產(chǎn)生影響:
    的頭像 發(fā)表于 03-24 14:57 ?330次閱讀

    控中的烘技術(shù)

    一、烘技術(shù)在控中的作用 提高光刻膠穩(wěn)定性 在 控芯片 制作過(guò)程中,
    的頭像 發(fā)表于 01-07 15:18 ?438次閱讀

    光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料

    光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料,在整個(gè)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹(shù)脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
    的頭像 發(fā)表于 12-19 13:57 ?984次閱讀

    光刻膠清洗去除方法

    光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時(shí)的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
    的頭像 發(fā)表于 11-11 17:06 ?1672次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>清洗去除方法

    一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見(jiàn)光刻膠

    共讀好書(shū)關(guān)于常用光刻膠型號(hào)也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號(hào)資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編信掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2474次閱讀

    光刻膠的使用過(guò)程與原理

    本文介紹了光刻膠的使用過(guò)程與原理。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 15:59 ?1560次閱讀

    國(guó)產(chǎn)光刻膠通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證

    設(shè)計(jì),有望開(kāi)創(chuàng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。 ? 眾所周知,光刻膠是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中所必須的關(guān)鍵材料,其研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜且嚴(yán)格。光刻膠是指經(jīng)過(guò)紫外光、深
    的頭像 發(fā)表于 10-17 13:22 ?655次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>光刻膠</b>通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證

    如何成功的烘烤SU-8光刻膠

    控PDMS芯片加工的過(guò)程中,需要使用烘臺(tái)或者烤設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物
    的頭像 發(fā)表于 08-27 15:54 ?794次閱讀

    如何成功的旋涂SU-8光刻膠

    控PDMS芯片或SU-8模具制作的過(guò)程中,需要把PDMSSU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度
    的頭像 發(fā)表于 08-26 14:16 ?845次閱讀

    低成本控芯片的加工與鍵合方法

    控芯片加工方法。其中,使用SU8光刻膠作為模具對(duì)PDMS進(jìn)行模塑成型較為常見(jiàn),將
    的頭像 發(fā)表于 07-23 16:46 ?1491次閱讀
    低成本<b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>流</b>控芯片的加工與鍵合方法