描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2，DDR3，DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ)，此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩沖的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 采用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2? 模式，此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外，此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放電（軟關閉）。 它包括具有低側 MOSFET RDS（接通）感測的可編程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時采用 20引腳，3mm x 3mm QFN 封裝并且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓范圍：3V 至 28V輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V 0.8% VREF精度 D-CAP2 針對陶瓷輸出電容器的模式 可選 500kH/670kHz 開關頻率 自動跳躍功能優化了輕負載和重負載時的效率支持 S4/S5 狀態中的軟啟動 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護 電源正常輸出2A LDO(VTT)，經緩沖基準 (VTTREF)2A（峰值）灌電流和拉電流只需 10μF 陶瓷輸出電容器 經緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持軟關閉熱關斷 20 引腳，3mm x 3mm，四方扁平無引線 (QFN) 封裝