ADRF5132 0.7 GHz至5.0 GHz高功率、20 W峰值、硅SPDT、反射式開關(guān)

數(shù)據(jù)： ADRF5132產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊

優(yōu)勢和特點(diǎn)

反射式 50 Ω 設(shè)計(jì)
低插入損耗：典型值0.6 dB（2.7 GHz）
T_CASE = 105°C 時(shí)高功率處理能力
- 長期（使用壽命>10 年）
  - 峰值功率：43 dBm
  - CW功率：38 dBm
  - LTE平均功率 (8 dB PAR)：35 dBm
單次事件（工作時(shí)間<10 秒）
- LTE平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
高線性度
- P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
- IP3：65 dBm（典型值，2.0 GHz至4.0 GHz時(shí)）
ESD 額定值
- HBM：2 kV，2 級
- CDM：1.25 kV
單正電源：5 V
正控制，CMOS/TTL 兼容
16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP 封裝

產(chǎn)品詳情

ADRF5132是一款高功率、反射式、0.7 GHz至5.0 GHz、單刀雙擲(SPDT)反射式開關(guān)，采用無引腳、表貼封裝。該開關(guān)非常適合高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如長期演進(jìn)(LTE)基站。ADRF5132具有35 dBm LTE（在105°C時(shí)的平均典型值）高功率處理能力、0.6 dB (2.7 GHz)低插入損耗、65 dBm（典型值）輸入3階交調(diào)點(diǎn)和42.5 dBm的0.1 dB壓縮(P0.1dB)。片內(nèi)電路在5 V單正電源電壓下工作，典型電源電流為1.1 mA（典型值），使其成為基于引腳二極管開關(guān)的理想替代器件。

該器件提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。