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ADGM1144 0 Hz/DC至18 GHz、SP4T、MEMS開關技術手冊

要長高 ? 2025-05-15 14:20 ? 次閱讀

概述
ADGM1144 是一款寬帶單刀四擲 (SP4T) 開關,使用 ADI 公司的微機電系統(tǒng) (MEMS) 開關技術制造。該技術可實現(xiàn)小尺寸、寬射頻帶寬、高線性、低插入損耗開關,工作頻率低至 0 Hz/DC,使其成為滿足各種射頻和精密設備開關需求的理想解決方案。

集成驅(qū)動器芯片會產(chǎn)生高電壓,從而以靜電方式驅(qū)動可以由并行接口和串行外設接口 (SPI) 控制的開關。所有四個開關均可獨立控制。

該器件采用 24 引腳、5 mm × 4 mm × 1.0 毫米,焊盤網(wǎng)格陣列封裝 (LGA)。

ADGM1144 集成了避免懸空節(jié)點所需的 10 MΩ 電阻器。這些集成的 10 MΩ 電阻器可節(jié)省電路板空間并消除開關上的懸空節(jié)點。為確保 ADGM1144 以最佳方式工作,請參考數(shù)據(jù)手冊中的“關鍵運行要求”部分。

在本數(shù)據(jù)手冊全文中,多功能引腳(例如 IN1/SDI)可能使用引腳全稱或引腳的單一功能指代,例如 IN1(如果僅與該功能相關時)。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADGM1144 0 Hz DC至18 GHz、SP4T、MEMS開關技術手冊.pdf

應用

  • 自動測試設備 (ATE) 負載和探針板
  • 具有高速數(shù)字測試功能的直流
  • 繼電器替代方案
  • RF 測試儀器儀表
  • ATE:RF/數(shù)字和混合信號
  • 射頻無線通信
  • 高性能 RF 開關

特性

  • 全性能工作頻率范圍:DC至18 GHz(典型值)
  • RF性能特性
    • 插入損耗:-1.7 dB(典型值,16 GHz)
    • 隔離:-18.5 dB(典型值,6 GHz)
    • IIP3:73 dBm(典型值)
    • RF功率:33 dBm(最大值)
  • 導通電阻:1.9 Ω(典型值)
  • 直流電流處理:200 mA
  • 驅(qū)動壽命:2億個周期(最小值)
  • 開關導通時間:200 μs(典型值)
  • 集成3.3 V驅(qū)動器,通過并行和SPI接口實現(xiàn)簡單控制
  • 獨立控制開關
  • 節(jié)省空間的集成式無源組件
    • 開關上無需浮空節(jié)點
  • 5 mm × 4 mm × 1.0 mm、24引腳基板柵格陣列封裝
  • 溫度范圍:?40°C至+85°C
  • 開關位置未知,無電源電壓

框圖
image.png

引腳配置描述
image.png

典型性能特征
image.png

工作原理

開關設計

ADGM1144是一款寬帶單刀四擲(SP4T)開關,采用亞德諾半導體Analog Devices, Inc.)的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關技術制造。該技術能夠?qū)崿F(xiàn)高性能、低功耗、低失真的千兆赫茲級開關,以滿足嚴苛的射頻(RF)應用需求。

MEMS技術的一個關鍵優(yōu)勢在于,它能同時實現(xiàn)高頻性能與出色的直流精度,在高達6GHz的頻率下展現(xiàn)卓越表現(xiàn),同時具備優(yōu)異的可靠性和極小的表面貼裝封裝尺寸,使MEMS開關成為射頻及精密信號儀器應用的理想之選。

這些開關采用靜電驅(qū)動的MEMS結構。板載電荷泵在內(nèi)部產(chǎn)生偏置電壓(60V),以驅(qū)動開關。

并行數(shù)字接口

ADGM1144可通過并行接口進行控制。標準互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管 - 晶體管邏輯(LVTTL)信號通過該接口控制ADGM1144所有開關通道的獨立開啟和關閉。

設置引腳6(PIN/SPI)置低可啟用并行控制接口。引腳1、2、3和4(IN1、IN2、IN3和IN4)控制ADGM1144的開關功能。當向這些引腳中的一個施加邏輯1時,相應的開關開啟。反之,施加邏輯0時,開關關閉。實際上,一次只能將一個RFx輸入連接到RFC。真值表見表7。

當引腳23(V DD )未施加電源電壓時,所有開關均處于不確定狀態(tài)。

image.png

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