概述
ADGM1001/[ADGM1002]/[ADGM1003]是一款寬帶、單刀雙擲(SP2T)開關(guān),采用ADI公司的微型機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)制造而成。利用該技術(shù)可實現(xiàn)小型、寬RF帶寬、高線性、低插入損耗開關(guān),其工作頻率可低至0 Hz/DC,可滿足各種RF和精密設(shè)備開關(guān)需求。該器件采用24引腳5.00 mm × 4.00 mm × 0.90 mm基板柵格陣列(LGA)封裝。
集成式控制芯片可產(chǎn)生靜電驅(qū)動該開關(guān)所需的高壓,通過互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容型并行接口進行控制。所有開關(guān)都可單獨進行控制。
多功能引腳名稱只能通過相關(guān)功能來引用。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADGM1001 ADGM1002 ADGM1003 0 Hz DC至34 GHz SPDT MEMS開關(guān)技術(shù)手冊.pdf
特性
- ADGM1001: 直流至 34 GHz
- 插入損耗
- 18 GHz 時為 0.8 dB(典型值)
- 34 GHz 時為 1.5 dB(典型值)
- IIP3:76 dBm(典型值)
- 最大射頻功率:33 dBm
- 導(dǎo)通電阻:3.4 Ω(典型值)
- 最大直流電流:200 mA
- 驅(qū)動壽命:1億次循環(huán)(最少)
- 開關(guān)時間
ON):200 μ小號(典型) - 集成 3.3 V 驅(qū)動器,可通過并行和 SPI 進行簡單控制
- 可獨立控制的開關(guān)
- 節(jié)省空間的集成無源元件
- 小,5.00 毫米× 4.00 mm× 0.90 毫米、24 引腳 LGA
- 溫度范圍:–40°C 至 +85°C
框圖
時序圖
引腳配置描述
典型性能特征
開關(guān)設(shè)計
ADGM1001是一款寬帶單刀雙擲(SP2T)開關(guān),采用亞德諾半導(dǎo)體(Analog Devices)的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)制造。該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高功率、低損耗、低失真的寬帶(GHz范圍)開關(guān),滿足嚴苛的射頻(RF)應(yīng)用需求。
MEMS技術(shù)在該類產(chǎn)品中的一個關(guān)鍵優(yōu)勢是,能同時實現(xiàn)高頻性能與出色的直流精度,這一特性結(jié)合卓越的可靠性以及極小的表面貼裝封裝尺寸,使MEMS開關(guān)成為所有射頻及精密信號儀器應(yīng)用的理想開關(guān)解決方案。
并行數(shù)字接口
ADGM1001可通過并行接口進行控制。通過該接口施加的標(biāo)準(zhǔn)互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管 - 晶體管邏輯(LVTTL)信號,可控制所有開關(guān)通道的獨立開啟與關(guān)閉。
將引腳6(PIN/SPI)置低,可在雙工SP2T模式下啟用并行控制接口。引腳1和引腳2(IN1和IN2)控制ADGM1001的開關(guān)功能。當(dāng)向這些引腳中的一個施加邏輯1時,相應(yīng)的開關(guān)開啟。反之,施加邏輯0時,開關(guān)關(guān)閉。在SP2T模式下,一次最多可將一個RFx輸入連接到RFC。真值表見表11。
在并行模式下,引腳3和引腳4(AGND/SCLK和AGND/SDO)分別必須連接到地。
當(dāng)引腳23(V DD )未施加電源電壓時,所有開關(guān)均處于不確定狀態(tài)。
SPI數(shù)字接口
當(dāng)引腳6(PIN/SPI)置高時,ADGM1001可通過SPI數(shù)字接口進行控制。ADGM1001可使用SPI模式0或模式3,工作時SCLK頻率最高為10MHz。使用SPI時,活動(active)、可尋址(addressable)模式為默認模式,此時通過16位SPI命令訪問設(shè)備寄存器。ADGM1001也可在菊花鏈模式下工作。
ADGM1001的SPI引腳為(overline{CS})、SCLK、SDI和SDO 。使用SPI時,保持(overline{CS})為低電平。SDI上的數(shù)據(jù)在SCLK上升沿被捕獲,SDO上的數(shù)據(jù)在SCLK下降沿輸出。SDO采用推挽式輸出驅(qū)動器架構(gòu),因此無需上拉電阻。兩種可用的SPI操作模式均為可尋址模式和菊花鏈模式。
可尋址模式
上電后,可尋址模式為ADGM1001的默認模式。可尋址模式下的單個SPI幀由(overline{CS})下降沿起始,(overline{CS})上升沿結(jié)束。它由16個SCLK周期組成。圖52展示了SPI模式0下可尋址模式的時序圖。
SPI命令的第一位指示該命令是讀命令還是寫命令。接下來的七位確定目標(biāo)寄存器地址。剩余八位提供要寫入目標(biāo)寄存器的數(shù)據(jù)。讀命令期間忽略最后八位,因為在此類時鐘周期中,SDO輸出目標(biāo)寄存器中存儲的數(shù)據(jù)。
在模式0中,(overline{CS})下降沿時,SDO在SCLK下降沿發(fā)送輸出數(shù)據(jù)位(在模式3中,如圖53所示,第一個SCLK下降沿被忽略 )。在SDO上觀察到的對齊位為0x25。
目標(biāo)寄存器地址在第八個SCLK上升沿確定。該寄存器的數(shù)據(jù)在第八個SCLK下降沿從SDO輸出。讀操作期間,第十五個SCLK下降沿輸出數(shù)據(jù)。寫操作期間,第十六個SCLK上升沿對寄存器進行寫入。
-
開關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3274瀏覽量
94814 -
mems
+關(guān)注
關(guān)注
129文章
4059瀏覽量
192725
發(fā)布評論請先 登錄
開創(chuàng)性的5 kV ESD MEMS開關(guān)技術(shù)
ADGM1304 集成驅(qū)動器的DC至14 GHz、單刀四擲MEMS開關(guān)

ADGM1004 帶集成驅(qū)動器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS開關(guān)

ADGM1304: 0 Hz/DC 至14 GHz、集成驅(qū)動器的單刀四擲MEMS開關(guān)

AN-1360: ADGM1304和ADGM1004如何增加測試儀器儀表的通道密度和測試功能

EVAL-ADGM1004SDZ EVAL-ADGM1004SDZ評估板
EVAL-ADGM1304 EVAL-ADGM1304評估板
ADGM1001 SPDT MEMS開關(guān)如何簡化數(shù)字/RF片上系統(tǒng)的測試流程
ADGM1304和ADGM1004如何增加測試儀器儀表的通道密度和測試功能

ADGM1121 0 Hz/DC 至 18 GHz,DPDT MEMS開關(guān)技術(shù)手冊

ADGM1144 0 Hz/DC至18 GHz、SP4T、MEMS開關(guān)技術(shù)手冊

ADGM1004帶集成驅(qū)動器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS開關(guān)技術(shù)手冊

評論