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蝕刻工藝 蝕刻過程分類的課堂素材4（上）
- 蝕刻工藝(11669)
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蝕刻機遠程監控與智能運維物聯網解決方案
行業背景 隨著工業技術的不斷發展，物聯網作為新興生產力正在改變許多行業的工作方式。在半導體芯片行業，自動蝕刻機的物聯網應用正在助力企業達到監控設備更加便利、故障運維更加高效、數據分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
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東京電子新型蝕刻機研發挑戰泛林集團市場領導地位
根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109
109半導體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306
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PCB正片和負片的區別
通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學作用硬化，隨后的顯影過程將在下一工序中沖走無硬襯底的干膜
2024-01-17 15:33:35163
163中科院提出名為“Zhejiang”的大芯片將使用22 納米工藝制造
光罩限制（光穿過芯片掩模以在硅晶圓上蝕刻晶體管的孔徑大小）不僅定義了小芯片的設計方式，而且還限制了離散計算和內存塊的大小單個晶圓。
2024-01-05 16:23:111976
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PCB板制作過程中怎么會出現甩銅現象
銅箔蝕刻過度，市場上使用的電解銅箔一般為單面鍍鋅（俗稱灰化箔）及單面鍍銅（俗稱紅化箔），常見的甩銅一般為70um以上的鍍鋅銅箔，紅化箔及18um以下灰化箔基本都未出現過批量性的甩銅。
2023-12-28 16:30:4786
86Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻
中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現精確的圖案轉移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術尚未被發現。幸運的是
2023-12-28 10:39:51131
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PCB為什么發生甩銅？這3個原因給說全了
還有一種情況就是PCB蝕刻參數沒有問題，但蝕刻后水洗及烘干不良，造成銅線也處于PCB便面殘留的蝕刻液包圍中，長時間未處理，也會產生銅線側蝕過度而甩銅。
2023-12-27 16:24:54114
114PCB銅片脫落的三大原因
客戶線路設計好過蝕刻線的時候，若銅箔規格變更后而蝕刻參數未變，造成銅箔在蝕刻液中的停留時間過長。因鋅本來就是活潑金屬類，當LED廣告屏PCB上的銅線長時間在蝕刻液中浸泡時，必將導致線路側蝕過度，造成某些細線路背襯鋅層被完全反應掉而與基材脫離，即銅線脫落。
2023-12-26 16:28:43119
119光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326
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揭秘***與蝕刻機的神秘面紗
在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371
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針對氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進行原子層蝕刻的研究
技術提供了典型應用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294
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基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制
GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188
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半導體工藝中的蝕刻工藝的選擇性
刻蝕的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。
2023-12-11 10:24:18250
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PCB的蝕刻工藝及過程控制
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45263
263半導體制造之光刻工藝講解
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241335
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不同氮化鎵蝕刻技術的比較
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259
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泛林集團獨家向三星等原廠供應HBM用TSV設備
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備，深度蝕刻到晶片內部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57331
331在氮化鎵和AlGaN上的濕式數字蝕刻
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166
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什么是四探針測量技術？ 什么是渦流測量技術？
在半導體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經過金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導電連接。
2023-11-29 09:15:31434
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氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻法
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241
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PCB加工之蝕刻質量及先期問題分析
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217
217自動蝕刻機物聯網助力監控運維更加高效
自動蝕刻機是利用電解作用或化學反應對金屬板進行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設備，廣泛應用于芯片、數碼、航空、機械、標牌等領域中?，F有一家蝕刻機設備制造商，要求對全國各地的蝕刻機設
2023-11-08 13:59:52146
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等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性
近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上，化學機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環境不友好的化學品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188
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無氫氟蝕刻劑中鈦選擇性濕蝕刻銅的研究
眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結構對真核細胞和原核細胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發這種結構提供了一種無藥物的方法來對抗感染，這被認為是一種替代釋放抗菌劑的常見抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16136
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等離子刻蝕工藝技術基本介紹
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788
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印制電路噴淋蝕刻精細線路流體力學模型分析
在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產品質量合格率重要的工序之一?，F有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數都只停留在表象的研究中，并沒有從本質上認識噴淋蝕刻中出現的問題。
2023-10-17 15:15:35164
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PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553
553東京電子3D NAND蝕刻新技術或挑戰泛林市場領導地位
據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368
368基于Cl2/BCl3電感偶聯等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244
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關于氮化鎵的干蝕刻綜述
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319
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降低半導體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281
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PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細節問題
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670
670應對先進工藝碳排放挑戰，Imec開發晶圓廠可持續發展評估模型
隨著技術的發展，與ic制造相關的排放量也增加了，特別是光刻和蝕刻能耗較大，例如n3工程中光刻工序產生的二氧化碳排放量約占45%。imec的工程師們半導體制造過程中產生的尾氣可以建模軟件平臺開發，可持續半導體技術及系統計劃（ssts）的使用率
2023-09-13 10:56:53290
290淺談PCB蝕刻質量及先期存在的問題
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474
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低能量電子束曝光技術
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292
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pcb蝕刻是什么意思
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811
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酸蝕刻對鈦醫藥材料納米形態表面特性及活化能的影響
鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發形成的鈍化膜而具有優異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內部活性鈦金屬免受侵蝕性介質的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經常被用于各種應用，包括光催化劑、化學傳感器和醫療植入物。
2023-09-01 10:18:07187
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集成電路按照實現工藝分類可以分為哪些？
集成電路按照實現工藝分類可以分為哪些？ 集成電路 (Integrated Circuit，簡稱IC) 是一種半導體器件，通過將許多電子元器件集成在單一的芯片上，實現了高度的集成度和電路的升級
2023-08-29 16:28:551707
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什么是光刻工藝？光刻的基本原理
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586
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使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導制造與蝕刻材料對非晶硅進行納米級厚度控制
我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239
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多種不同工藝的PCB流程簡介
下料磨邊→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫、蝕刻退錫→二次鉆孔→檢驗→絲印阻焊→鍍金插頭→熱風整平→絲印字符→外形加工→測試→檢驗
2023-08-18 14:25:02345
345通宵加班設計的儲能板不能用？厚銅PCB設計這個問題一定要注意
，內層線路加工是把需要的圖形用干膜或濕膜保護起來，將不需要留下來的銅箔用酸性藥水蝕刻掉。
現有線路板上線路的線寬/間距一般都是一次性曝光-蝕刻形成的，由于化學蝕刻過程中的水池效應，致使金屬線路產生側蝕
2023-08-18 10:08:02
半導體蝕刻系統市場預計增長到2028年的120億美元，復合年增長率為2.5%
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319
319如何實現PCB蝕刻工藝中的均勻性呢？有哪些方法？
PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013
1013刻蝕工藝流程和步驟 酸性蝕刻和堿性蝕刻的區別
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140
4140【芯聞時譯】Greene Tweed推出Chemraz G57高性能彈性體
來源：半導體芯科技編譯 干法等離子蝕刻工藝中的污染最小。 Greene Tweed推出了全氟彈性體Chemraz G57，由Greene Tweed材料科學家和應用工程師專門研發，用來滿足侵蝕性干法
2023-07-19 16:32:11222
222瑞鑫環保：致力于讓PCB生產廢物“變廢為寶”
電解提銅過程中，陽極區的氫離子會透過陽離子膜遷移到陽極區中，使藥水酸度增加，正好可以補充蝕刻過程中藥水酸度的損耗，使蝕刻液可以不斷循環使用。
2023-07-18 15:01:43383
383深度解讀硅微納技術之的蝕刻技術
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183
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深度解讀硅微納技術之蝕刻技術
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2023-07-12 09:26:03190
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淺談半導體制造中的光刻工藝
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史?，F在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:472427
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鋁等離子體蝕刻率的限制
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318
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日本芯片技術突破！400層堆疊 3D NAND閃存將至！
在介紹日本電子公司研發的全新蝕刻技術之前，我們需要了解蝕刻技術的歷史。蝕刻技術是芯片制造基礎工藝之一，它是指對光刻技術制作的圖案進行蝕刻，得到具有一定幾何形狀和結構的微細孔洞和凹坑的工藝。
2023-06-26 15:58:18897
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鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053
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四大因素解析：常規阻抗控制為什么只能是10%？
，我們可以看到，本質上阻抗偏差與材料及加工過程有關。板材來料本身偏差、線路蝕刻偏差、層壓帶來的流膠率偏差，以及銅箔表面粗糙度、PP玻纖效應、介質的DF頻變效應等都會對阻抗公差有影響。
一、覆銅板的來料
2023-06-25 10:25:55
常規阻抗控制為什么只能是10%？華秋一文告訴你
，我們可以看到，本質上阻抗偏差與材料及加工過程有關。板材來料本身偏差、線路蝕刻偏差、層壓帶來的流膠率偏差，以及銅箔表面粗糙度、PP玻纖效應、介質的DF頻變效應等都會對阻抗公差有影響。
一、覆銅板的來料
2023-06-25 09:57:07
Atonarp 質譜儀通過數字分子分析推進半導體過程控制
上海伯東日本 Atonarp Aston? Impact 和 Aston? Plasma 是超緊湊型質譜儀, 適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析.
2023-06-21 10:21:08197
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Atonarp 質譜分析儀應用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器
3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質譜分析儀適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應用中: 實時過程
2023-06-21 10:09:13197
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Aston 質譜儀對小開口區域的蝕刻有更高的靈敏度
上海伯東日本 Aston? 質譜儀能夠進行準確且可操作的端點檢測, OA% 是傳統 OES 計量解決方案的一個數量級（1/10）. Aston? 質譜儀解決方案適用于具有高蝕刻吞吐量和大量重復相同
2023-06-20 17:28:31258
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Aston? 質譜分析儀保護 CVD 工藝免受干泵故障的影響
上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質譜儀 Aston? 為半導體生產而設計, 作為一個強大的平臺, Aston? 可以取代多種傳統工具, 提供半導體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE
2023-06-20 17:18:12231
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半導體八大工藝之刻蝕工藝：干法刻蝕
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163689
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半導體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989
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上海伯東大口徑射頻離子源成功應用于12英寸IBE 離子束蝕刻機
均勻性（1 σ）達到 離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足
2023-06-15 14:58:47665
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利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526
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遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑
為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779
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凸塊制造技術演變及發展歷史
凸塊制造過程一般是基于定制的光掩模，通過真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環節而成，該技術是晶圓制造環節的延伸，也是實施倒裝（FC）封裝工藝的基礎及前提。
2023-06-12 09:35:42771
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電鍍對印制PCB電路板的重要性有哪些？
：線路電鍍和全板鍍銅，現敘述如下。 1、線路電鍍 該工藝中只在設計有電路圖形和通孔的地方接受銅層的生成和蝕刻阻劑金屬電鍍。在線路電鍍過程中，線路和焊墊每一側增加的寬度與電鍍表面增加的厚度大體相當，因此
2023-06-09 14:19:07
載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452
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淺談蝕刻工藝開發的三個階段
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071
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硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618
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濕式化學蝕刻法制備硅片微孔
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846
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如何在蝕刻工藝中實施控制？
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575
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熱環境中結晶硅的蝕刻工藝研究
微電子機械系統（MEMS）是將機械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術來實現尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現有的表面加工技術，目前大多數的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352
352高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用
蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700
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硅晶片的酸基蝕刻：傳質和動力學效應
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584
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簡述晶圓減薄的幾種方法
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979
979PCB主板不同顏色代表什么意思？
其實不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經過蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經過蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699
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《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118
118PCB制造過程分步指南
PCB對準圖。 為了實現所有膠片的完美對準，應在所有膠片上打上定位孔。孔的精確度可通過調節膠片所在的工作臺來實現。當工作臺的微小校準導致最佳匹配時，就打孔。這些孔將在成像過程的下一步中裝入定位銷
2023-04-21 15:55:18
印制電路板PCB的制作及檢驗
的保護膜，使用貼膜機把感光膠膜貼在覆銅板上?！ 。?b class="flag-6" style="color: red">4）蝕刻 蝕刻也稱爛板。是生產過程的一個重要環節，它的成敗關系到印制電路板的后續工序。它是利用化學方法除去板上不需要的銅箔，留下組成圖形的焊盤、印制
2023-04-20 15:25:28
《炬豐科技-半導體工藝》金屬氧化物半導體的制造
半導體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機 ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247
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淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164
1164干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004
1004濕式半導體工藝中的案例研究
半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408
408多晶硅蝕刻工藝講解
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節點。從45nm節點后，雙重圖形化技術已經應用在柵圖形化工藝中。隨著技術節點的繼續縮小，MOSFET柵極關鍵尺寸CD繼續縮小遇到了困難，IC設計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452
2452PCB加工的蝕刻工藝
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
886板內盤中孔設計狂飆，細密間距線路中招
6-16um之間，最終加上二次電鍍的銅厚，外層成品銅厚大概在26-36um之間。外層銅越厚，線路蝕刻時向下蝕刻時間長，對線路左右的側蝕量大，導致線路變細或斷掉開路。外層線路加工流程：外層線路蝕刻的過程及效果圖
2023-03-27 14:33:01
使用 ClF 3 H 2遠程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:49402
402pcb線路板入門基礎培訓
（Packaging）二． 多層板工藝流程：內層覆銅板（CCL）銅箔（Copper Foil）下料（Cut）→內層圖形制作（Inner-layer Pattern）→內層蝕刻（Inner-layer Etch
2023-03-24 11:24:22
工商網監
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