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Atonarp 質譜分析儀應用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器

hakutovacuum ? 來源:hakutovacuum ? 作者:hakutovacuum ? 2023-06-21 10:09 ? 次閱讀

Aston?質譜分析儀應用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器
3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston?質譜分析儀適用于先進半導體工藝(如沉積和蝕刻)所需的定量氣體分析. 沉積應用中: 實時過程氣體監控,以驅動自動化工具調整以實現過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現層的化學計量工程; 蝕刻應用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產品, 啟用端點腔室清潔.


3D NAND 工藝概述

工藝步驟

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堆疊沉積: 交替氧化物(藍色)和氮化物(綠色)薄膜沉積(每個堆疊 >200 對) 通道蝕刻: 沉積硬掩模, 形成開口, 高縱橫比通道貫穿所有層(每個晶片>1 萬億個孔) 階梯蝕刻: 字線的接觸焊盤是使用產生階梯結構的受控蝕刻來創建的.
ASTON 優勢 均勻的厚度對電氣性能至關重要. Aston?質譜分析儀可實現厚度控制, 層定義和化學計量工程. 高縱橫比通道孔需要從上到下完整且均勻, 沒有彎曲或扭曲. Aston?質譜能夠在腔內測量蝕刻反應物. 蝕刻輪廓控制精度(埃). 蝕刻深度能力(微米).
Aston?質譜儀通過動態測量化學物質來實現蝕刻
工藝步驟

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狹縫蝕刻: 沉積硬掩模層, 形成硬開口圖案, 蝕刻狹縫以分離通道孔列. 這將創建一個存儲單元陣列. 字線沉積: 在一些 3D NAND 方案中, 除去氮化物層, 然后使用由內向外的原子層沉積工藝(紫色)創建鎢字線. 晶圓上最終 3D NAND 結構的橫截面
ASTON優勢 Aston?質譜儀通過連續測量反應物來實現蝕刻的均勻性和精度. 除去氮化層并填充鎢. Aston?質譜儀實現了分子水平的控制.

來源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM

Aston? 質譜儀優勢
ppb 級靈敏度的高速采樣
非常適合高縱橫比的 3D 結構
耐腐蝕性氣體, 堅固緊湊
易于集成到工具平臺中
沉積應用中: 實時過程氣體監控,以驅動自動化工具調整以實現過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現層的化學計量工程
蝕刻應用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產品, 啟用端點腔室清潔

Atonarp Aston? 技術參數

類型 Impact-300 Impact-300DP Plasma-200 Plasma-200DP Plasma-300 Plasma-300DP
型號 AST3007 AST3006 AST3005 AST3004 AST3003 AST3002
質量分離 四級桿
真空系統 分子泵 分子泵
隔膜泵
分子泵 分子泵
隔膜泵
分子泵 分子泵
隔膜泵
檢測器 FC /SEM
質量范圍 2-285 2-220 2-285
分辨率 0.8±0.2
檢測限 0.1 PPM
工作溫度 15-35“℃
功率 350 W
重量 15 kg
尺寸 299 x 218 x 331 LxWxH(mm) 400 x 240 x 325 LxWxH(mm)


若您需要進一步的了解 Atonarp Aston?在線質譜分析儀詳細信息或討論, 請聯絡

上海伯東版權所有, 翻拷必究

審核編輯黃宇

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