一、經典防反接電路

1、二極管防反接

這種電路使用一個二極管將電源的正極與負極相連，當電源的極性正確時，二極管處于正向導通狀態，電流可以正常流過；而當電源的極性反接時，二極管處于反向截止狀態，電流無法通過，從而起到了防反接的作用。

缺點：利用二極管的單向導電性實現電源防反接，但電路經過二極管后會有壓降，拉低負載電路電壓。

2、整流橋防反接保護電路：

這種電路使用了一個整流橋，它由4個二極管組成，可以將電源的正負極性自動糾正。當電源的極性正確時，整流橋的輸出與電源的輸出相同；而當電源的極性反接時，整流橋會自動將電源的正負極性進行調換，從而實現了防反接的功能。

缺點：產生兩個二極管的壓降，拉低負載電路電壓。

3、PMOS管防反接

這種電路使用了一個PMOS管作為開關，當電源的極性正確時，MOS管處于導通狀態，電流可以正常流過；而當電源的極性反接時，MOS管處于截止狀態，電流無法通過，從而實現了防反接的作用。

優點：MOS管導通電阻非常小，因此導通壓降可以忽略不計。

區別：在正常的MOS管應用電路中VDS<0，但此處VDS>0。下面會進行詳細解釋。

4、保險絲+穩壓管防反接

這種電路使用了一個保險絲+穩壓管，當電源的極性正確時，保險絲處于正常工作狀態；而當電源的極性反接時，穩壓管反向導通，保險絲會熔斷，切斷電路，從而保護后級電路的安全運行。

優點：既能防止反接，還能防止過壓和過流。

二、MOS管防反接電路詳解

1、如下圖所示為：VDS<0的MOS管防反接電路。

電源正接時，PMOS的寄生二極管是截止的。

VS=5v,VG=0V,VGS=0-5V=-5V<-VGS(th) PMOS導通

電源反接時，寄生二極管會導通，電源與負載電路未完全斷開，因此不可靠。

2、如下圖所示為：VDS>0的MOS管防反接電路。

VS=5v-0.7=4.3V,VG=0V,VGS=0-4.3V=-4.3V<-VGS(th) PMOS導通

電源反接時寄生二極管和MOS管都斷開，電源與負載電路斷開，可靠

三、MOS管寄生電容與GS端的串并聯電阻

寄生電容

上圖中的C(GD) C(GS) C(DS)為二極管的寄生電容。

寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。

一個電阻等效于一個電容，一個電感，一個電阻的串聯，低頻情況下表現不明顯，而高頻情況下，等效值會增大。

MOS管經常被要求數十K乃至數M的開關頻率，頻率越高，交流成分越大，寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流，形成柵極電流。消耗的電能、產生的熱量不可忽視。

MOS管的寄生電容是指由于MOS管的結構和構造而產生的電容。它主要包括輸入電容（Ciss）、輸出電容（Coss）和反向傳輸電容（Crss）三個參數。

輸入電容（Ciss）是指當MOS管的輸入端施加一個信號時，所需要的電荷量。它由MOS管的柵極和源極之間的電容以及柵極和漏極之間的電容組成。

輸出電容（Coss）是指當MOS管的輸出端施加一個信號時，所需要的電荷量。它由MOS管的漏極和源極之間的電容以及柵極和漏極之間的電容組成。

反向傳輸電容（Crss）是指當MOS管的柵極施加一個信號時，所需要的電荷量。它由MOS管的柵極和漏極之間的電容組成。

這些寄生電容會影響到MOS管的開關速度和性能。在使用MOS管構建電路時，我們需要考慮到這些寄生電容的存在，以免與外部電路沖突，并確保電路的正常運行

GS間的并聯電阻

1、泄放電阻、釋放寄生電容Cgs的電流。

2、保證MOS管有效關斷，當G級開路時，DS端的電壓會給C(GD)充電，導致G級電壓升高，MOS不能有效關斷。

有并聯電阻后，G級開路，則GS端等電位，保證了MOS管的有效關斷。

G級串聯電阻

1、減小電流，G級串聯電阻，與 Ciss（Ciss = Cgd+Cgs）形成一個RC充放電電路，可以減小瞬間電流值。

2、減小振蕩，MOS管接入電路，也會有引線產生的寄生電感的存在，與寄生電容一起，形成LC振蕩電路。

對于開關方波波形，是有很多頻率成分存在的，那么很可能與諧振頻率相同或者相近，形成串聯諧振電路。

串聯一個電阻，可以減小振蕩電路的Q值，是振蕩快速衰減，不至于引起電路故障。

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