電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠(yuǎn)）提及芯片制造技術(shù)，首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。眾所周知在芯片行業(yè)，光刻是芯片制造過程中最重要、最繁瑣、最具挑戰(zhàn)也最昂貴的一項工藝步驟。在光刻機(jī)的支持下，摩爾定律
2023-07-16 01:50:15
3008 
光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒步進(jìn)式投影光刻機(jī)和極紫外式光刻機(jī)。
2024-03-21 11:31:4142 
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:0060 
與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50195 
本文從光刻圖案設(shè)計、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。
2024-03-17 14:33:52174 
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18399 光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:16131 
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28206 
據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達(dá)15億元，旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
2024-01-26 09:18:43207 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升，中國有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:24340 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
如果我們假設(shè)光刻機(jī)成本為 3.5 億至 4 億美元，并且 2024 年 10 個光刻機(jī)的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。
2023-12-28 11:31:39406 所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點。
2023-12-28 11:14:34379 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56442 
光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當(dāng)前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 本期和大家分享下關(guān)于涂層附著力的原理和影響因素，首先我們都知道涂層和基材之間是可以通過機(jī)械咬合、物理吸附、形成氫鍵和化學(xué)鍵、互相擴(kuò)散等作用結(jié)合在一起，由于這些作用產(chǎn)生的附著力，決定了涂層與基材的附著力。
2023-12-14 10:05:32415 近期，萬潤股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時透露，其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項目已經(jīng)順利投入運(yùn)營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328 光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過優(yōu)化的光源，通過光刻機(jī)的照明系統(tǒng)，照射在掩模上。如果在實際光刻
2023-12-11 11:35:32288 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
據(jù)報道，韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283 
據(jù)悉，skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米，與東進(jìn)半導(dǎo)體（DONGJIN SEMICHEM）向三星提供的產(chǎn)品相似。日本jsr公司的類似產(chǎn)品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550 20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層光刻膠，再使用電子束光刻，顯影，在光刻膠上做出預(yù)期的圖形，之后進(jìn)行Cr的刻蝕，最后去除光刻膠，即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
第六屆進(jìn)博會于近日在上海國家會展中心正式收官，ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續(xù)以“光刻未來，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案驚艷亮相，還創(chuàng)新性地帶來了“芯”意滿滿的沉浸
2023-11-11 15:23:53595 
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚集和分離。新的設(shè)計結(jié)構(gòu)將需要超薄光刻膠和底層組合。
2023-11-06 11:23:15402 
如何保持pcb銅箔附著力？
2023-11-06 10:03:18552 股，募集資金人民幣850,000,002.24元，用于瑞紅蘇州先進(jìn)制程工藝半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑業(yè)務(wù)的研發(fā)、采購、生產(chǎn)和銷售及相關(guān)投資。
2023-11-02 10:59:26555 生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術(shù)的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138 
熱噴涂附著力測試通過施加拉力來評估熱噴涂涂層與基材之間的結(jié)合強(qiáng)度，以確保涂層牢固粘附在基材上。
2023-11-01 10:08:39416 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615 。 在材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，涂層附著力的測試成為了一個重要的研究領(lǐng)域。測試涂層的附著力不僅可以提供有關(guān)材料性能的重要信息，還有助于改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)工藝，以滿足不斷演進(jìn)的市場需求。 本文科準(zhǔn)測控小編將深入探討如何
2023-10-30 09:57:21220 
光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185 
光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
FPC電鍍的前處理 柔性印制板FPC經(jīng)過涂覆蓋層工藝后露出的銅導(dǎo)體表面可能會有膠黏劑或油墨污染，也還會有因高溫工藝產(chǎn)生的氧化、變色，要想獲得附著力良好的緊密鍍層必須把導(dǎo)體表面的污染和氧化層去除，使導(dǎo)體表面清潔。
2023-10-12 15:18:24342 黃光的波長遠(yuǎn)離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
光刻是通過一系列操作，除去外延片表面特定部分的工藝，在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。
2023-10-08 10:11:23696 貼膏附著力試驗機(jī)貼膏劑黏著力試驗設(shè)備是一種用于測試貼膏劑產(chǎn)品黏附性能的專業(yè)設(shè)備。通過該設(shè)備，我們能夠準(zhǔn)確地評估貼膏劑在皮膚或其他表面的粘附力，以確定其質(zhì)量和適用性。本文將詳細(xì)介紹貼膏劑黏著力試驗設(shè)備
2023-09-28 15:00:33
電暈處理機(jī)在學(xué)術(shù)上被成為介質(zhì)阻擋放電。主要用于塑料薄膜類或塑料板材類制品以及金屬鋁箔、銅箔鍍鋁膜等金屬箔的表面電暈處理，提升材質(zhì)的表面活性，附著力，達(dá)因值。
2023-09-25 16:42:453086 
線路板的光刻技術(shù)
2023-09-21 10:20:34607 
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586 
2000年代初，芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術(shù)過渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術(shù)。
2023-08-23 10:33:46798 
湖州國資消息，寧波微芯新材料科技有限公司的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地項目總投資3.5億元人民幣，用地35畝，年產(chǎn)1000噸的電子級光刻膠原材料（光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料）基地建設(shè)。”全部達(dá)到，預(yù)計年產(chǎn)值可達(dá)到約5億元。
2023-08-21 11:18:26942 會上，經(jīng)開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測項目、超級功率電池及鋰電池PACK產(chǎn)線項目、氫能產(chǎn)業(yè)集群項目、高性能電池項目進(jìn)項現(xiàn)場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》發(fā)布儀式。
2023-08-16 15:30:38483 光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù)，是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復(fù)制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480 
EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02396 當(dāng)談到該創(chuàng)新工藝時，不可避免地要與傳統(tǒng)的光刻工藝體系進(jìn)行對比。光刻工藝體系是一種減法工藝：首先要在襯底表面沉積一層材料，例如銅；然后在材料層表面涂布一層光刻膠；接著將光刻膠圖形化曝光并顯影，形成有圖案的光刻覆蓋區(qū)域
2023-07-29 11:01:50835 
半導(dǎo)體技術(shù)的未來通常是通過光刻設(shè)備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問題幾乎永無休止，但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來的工藝節(jié)點提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130 
在UV三防漆各項性能中，附著力驗證是非常重要的一項內(nèi)容。對UV三防漆進(jìn)行附著力驗證能夠直接反應(yīng)三防漆防護(hù)性能，如果常溫下UV三防漆附著力差，便保證不了長期的防護(hù)性，可靠性就更不用提了。
2023-07-12 12:57:50691 
光刻膠（光敏膠）進(jìn)行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026 
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-30 10:06:02261 
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-29 10:02:17327 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597 中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-26 17:00:19766 
如今，光刻技術(shù)已成為一項容錯率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度，在硅上刻出微小的形狀，尺寸僅為幾納米。
2023-06-26 16:59:16569 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚(yáng)）在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，除了光刻機(jī)等設(shè)備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設(shè)計圖形的材料，經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984 近日，湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝，用于柔性及不規(guī)則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507 
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-14 10:16:38226 
來源：欣奕華材料 據(jù)欣奕華材料官微消息，近日，國內(nèi)光刻膠龍頭企業(yè)阜陽欣奕華材料科技有限公司（以下簡稱“阜陽欣奕華”）完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據(jù)悉，本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00552 光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試，實現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205857 
芯片前道制造可以劃分為七個環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765 
極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418 
來源：每日經(jīng)濟(jì)新聞，記者：程雅 編輯：張海妮，謝謝 編輯：感知芯視界 5月24日晚，國產(chǎn)光刻膠大廠彤程新材發(fā)布公告稱，于近日收到實控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知，二人
2023-05-29 09:33:44187 中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。
2023-05-26 14:59:17528 
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561 
集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關(guān)鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設(shè)計尺寸的偏離都會直接影響最終器件的性能
2023-05-24 09:25:193491 
EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041790 
光刻（Photolithography） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。
2023-05-17 09:30:338513 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機(jī)是推動制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122 
光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
通過金徠等離子體處理，可以提高金屬表面的活性，改善金屬表面的結(jié)合力、增強(qiáng)涂層附著力等性質(zhì)，使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外，等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度，使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23526 
晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
在整個芯片制造過程中，幾乎每一道工序的實施都離不開光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù)，占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033 根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331243 
清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260 
光刻技術(shù)簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程
2023-04-25 09:55:131057 
光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程，是芯片制造過程的起始階段，包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:16696 
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920 光刻機(jī)是芯片智造的核心設(shè)備之一，也是當(dāng)下尤為復(fù)雜的精密儀器之一。正因為此，荷蘭光刻機(jī)智造商阿斯麥通研制的EUV光刻機(jī)才會“千金難求”。 很多人都對光刻機(jī)有所耳聞，但其實不同光刻機(jī)的用途并不
2023-04-06 08:56:49679 
光刻是將設(shè)計好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個核心流程：涂膠、對準(zhǔn)和曝光以及光刻膠顯影，整個過程涉及光刻機(jī)，涂膠顯影機(jī)、量測設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備，其中價值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機(jī)。
2023-03-25 09:32:394952 ，如鍍金、鍍銀等。
3. 增強(qiáng)電鍍附著力。對于附著力差的金屬，通常在電鍍前將銅的底部抽頭，以增強(qiáng)附著力。可見電鍍，如鍍銅。
4. 提高可焊性。由于原材料對錫的附著力較差，在表面電鍍一定厚度
2023-03-24 10:39:32990 GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導(dǎo)體光刻 計算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計算光刻庫可以將計算光刻技術(shù)提速40倍。這對于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說
2023-03-23 18:55:377489 
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