引言 ? 光刻膠又稱(chēng)“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線(xiàn)路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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荷蘭造價(jià)上億的龐大機(jī)器到位并組裝好后，并不意味著EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)工作完全準(zhǔn)備就緒。隨著先進(jìn)工藝晶圓制造中圖案化策略和分辨率重視程度的攀升，為了滿(mǎn)足這些需求，與EUV光刻技術(shù)相關(guān)的材料同樣需要納入考量，尤其是光刻膠和防護(hù)膜。 ? EUV光
2022-07-22 07:49:002403 了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過(guò)明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來(lái)提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對(duì)光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131396 
光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀(guān)點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688 
波長(zhǎng)不同，可分為g線(xiàn)（436nm）、i線(xiàn)（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及EUV光刻膠，其中KrF、ArF和EUV光刻膠被認(rèn)為是高端光刻膠，目前國(guó)內(nèi)幾乎空白。 ? 日本壟斷全球光刻膠大部分市場(chǎng)份額，全球排名前四的光刻膠廠(chǎng)商都來(lái)自日本，包括合成橡膠
2021-07-03 07:47:0023641 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠(chǎng)商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商在光
2021-08-12 07:49:005380 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對(duì)未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將
2022-07-19 10:47:09648 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 ，購(gòu)買(mǎi)或者開(kāi)發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類(lèi)型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫(huà)”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問(wèn)題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
、分立器件及液晶顯示器件的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，無(wú)論是紫外膠還是248nm、 193nm EUV光刻膠及離子束、電子束膠，由于它們之間用途不盡相同，且不可互替，所以應(yīng)繼續(xù)跟蹤國(guó)際光刻膠的發(fā)展，進(jìn)行更深入研究，開(kāi)發(fā)出更高水平光刻膠，以滿(mǎn)足未來(lái)市場(chǎng)需求[15]。 :
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
Futurrex,成立于1985年，位總部設(shè)在美國(guó)新澤西州，富蘭克林市。 公司業(yè)務(wù)范圍覆蓋北美、亞太以及歐洲。Futurrex在開(kāi)發(fā)最高端產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長(zhǎng)的歷史，尤其是其光刻膠
2010-04-21 10:57:46
環(huán)境濕度太大，使膠與玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環(huán)境的溫，濕度及清潔工作。2）光刻膠配制有誤或膠陳舊不純，膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好，使膠與ITO層成健能力差，或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介：新型的化學(xué)增幅型負(fù)像 SU- 8 膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹(shù)脂型、近紫外線(xiàn)光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導(dǎo)致的深寬比不足的問(wèn)題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過(guò)程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對(duì)光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問(wèn)題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對(duì)準(zhǔn)時(shí),硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備。可對(duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
AI實(shí)現(xiàn)的特點(diǎn)有哪些？AI芯片設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？
2021-11-02 09:19:08
機(jī)器開(kāi)發(fā)人員面臨哪些軟件挑戰(zhàn)以及硬件挑戰(zhàn)？如何去應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)？
2021-06-26 07:27:31
本人是菜鳥(niǎo) 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請(qǐng)哪位高人指點(diǎn)一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過(guò)了
2010-12-02 20:40:41
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2離線(xiàn)光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測(cè)儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測(cè)傳感器，可以對(duì)超純水、自來(lái)水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無(wú)機(jī)化學(xué)品、有機(jī)化學(xué)品、有機(jī)溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線(xiàn)光刻膠液體粒子計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進(jìn)行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線(xiàn)聚焦到光刻膠上，通過(guò)掩膜版（也稱(chēng)為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 光刻膠是用來(lái)制作圖案的光敏聚合物，它是造成隨機(jī)性效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)字弧８鶕?jù)定義，隨機(jī)效應(yīng)描述了具有光量子隨機(jī)變化的事件。它們是不可預(yù)測(cè)的，沒(méi)有穩(wěn)定的模式。
2018-03-27 08:09:0010811 
隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱(chēng)為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來(lái)了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:005861 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過(guò)機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-06-27 15:43:5011776 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:403376 干膜光刻膠是由預(yù)先配制好的液態(tài)光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機(jī)上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經(jīng)烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
2019-01-30 16:49:1410707 
隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371712 
7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線(xiàn)，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-07-18 16:14:594862 據(jù)businessKorea報(bào)道，自去年7月日本開(kāi)始限制對(duì)韓國(guó)的出口以來(lái)，三星仍沒(méi)有找到為EUV技術(shù)提供足夠光刻膠的替代供應(yīng)商。到2030年成為全球代工行業(yè)老大的目標(biāo)恐遇阻。
2019-11-29 15:42:102733 盡管三星方面沒(méi)有透露具體的公司名字，但出售EUV光刻膠的應(yīng)該是日本JSR公司與比利時(shí)微電子中心IMEC合作成立的公司，2016年成立，主要由JSR比利時(shí)比利時(shí)子公司持股。
2019-12-09 13:56:082931 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線(xiàn)，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:527318 2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開(kāi)發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來(lái)的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來(lái)3年仍以年均5%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。
2020-03-01 19:02:484098 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類(lèi)光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 來(lái)源：浙商證券研究院 光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1416535 全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。
2020-09-21 11:28:043290 
光刻膠是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過(guò)紫外光
2022-12-06 14:53:541238 ASML的EUV光刻機(jī)是目前全球唯一可以滿(mǎn)足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機(jī)必不可缺。一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)為1.48億歐元，折合人民幣高達(dá)11.74億元
2020-10-19 12:02:499647 
將先完成，預(yù)計(jì)2021年2月開(kāi)始量產(chǎn)，屆時(shí)信越化學(xué)將得以在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)可與極紫外光（EUV）光刻技術(shù)兼容的光刻膠，以滿(mǎn)足臺(tái)積電等臺(tái)廠(chǎng)客戶(hù)的需求。 日本的工廠(chǎng)將建在新瀉縣，預(yù)計(jì)2022年開(kāi)始運(yùn)作。屆時(shí)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的光刻膠將增產(chǎn)50%，日本
2020-10-22 17:25:323413 光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專(zhuān)家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168 稱(chēng)，“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家“02 專(zhuān)項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過(guò)，標(biāo)志著“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國(guó)內(nèi)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn) ArF 光刻膠。? 此舉意味著國(guó)產(chǎn)193nm ArF 光刻膠產(chǎn)
2020-12-25 18:24:096227 由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠(chǎng)積極擴(kuò)產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國(guó)大陸多家一線(xiàn)晶圓廠(chǎng)限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠(chǎng)停止供貨KrF光刻膠
2021-06-25 16:12:28784 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤(pán)即走強(qiáng)，截至收盤(pán)，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線(xiàn)拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 華為開(kāi)發(fā)者大會(huì)2021的直播已經(jīng)開(kāi)始了，HarmonyOS 應(yīng)用于服務(wù)開(kāi)發(fā) 直播中，UI界面開(kāi)發(fā)面臨的問(wèn)題有哪些，一起來(lái)直播間看看吧！
2021-10-23 10:56:481099 
光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話(huà)說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線(xiàn)將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23756 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42872 
臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過(guò)程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:202077 
HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來(lái)源：架構(gòu)
?現(xiàn)場(chǎng)EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 中國(guó)芯的進(jìn)步那是有目共睹，我國(guó)在光刻機(jī)，特別是在EUV光刻機(jī)方面，更是不斷尋求填補(bǔ)空白的途徑。
2022-07-05 10:38:3516742 光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:077000 說(shuō)到芯片，估計(jì)每個(gè)人都知道它是什么，但說(shuō)到光刻，許多人可能不知道它是什么。光刻機(jī)是制造芯片的機(jī)器和設(shè)備。沒(méi)有光刻機(jī)的話(huà)，就無(wú)法生產(chǎn)芯片，因此每個(gè)人都知道光刻機(jī)對(duì)芯片制造業(yè)的重要性。那么euv光刻
2022-07-10 11:42:276977 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線(xiàn)，EUV是非常深的紫外線(xiàn)。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 euv光刻機(jī)原理是什么 芯片生產(chǎn)的工具就是紫外光刻機(jī)，是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備，對(duì)芯片技術(shù)有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。那么euv光刻機(jī)原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1015099 灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871 與此同時(shí)，在ASML看來(lái)，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來(lái)了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒(méi)法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開(kāi)始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:082010 光刻膠產(chǎn)品說(shuō)明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過(guò)國(guó)家“02專(zhuān)項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻膠的組成：樹(shù)脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415831 用Seeed Studio BeagleBone Green Wireless開(kāi)發(fā)板解決物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)面臨的挑戰(zhàn)
2022-11-02 08:16:210 過(guò)去二十年見(jiàn)證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開(kāi)發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 13.5 納米軟 X 射線(xiàn)作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。
2023-02-02 11:49:592234 其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng)，再到光掩模，再到對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，再到晶圓載物臺(tái)，再到光刻膠化學(xué)成分，再到鍍膜機(jī)和顯影劑，再到計(jì)量學(xué)，再到單個(gè)晶圓。
2023-03-07 10:41:581134 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 晶圓廠(chǎng)通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041792 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597 EUV掩膜，也稱(chēng)為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399 近20年來(lái)，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12563 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類(lèi)的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱(chēng)，該公司沒(méi)有生產(chǎn)銷(xiāo)售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷(xiāo)售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營(yíng)業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧蚰z時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56442 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50200 
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