隨機(jī)變化需要新方法、新工具,以及不同公司之間的合作。
極紫外(EUV)光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn),但是隨機(jī)性變化——又稱為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面,并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來了更多的挑戰(zhàn)。
GlobalFoundries、英特爾、三星和臺(tái)積電希望將EUV光刻技術(shù)加入到7nm和5nm生產(chǎn)中。但就像以前一樣,EUV由幾部分組件組成,在芯片制造商能夠引入之前,它們必須整合在一起。包括光刻機(jī)、光源、光刻膠和掩膜。最近,行業(yè)已經(jīng)開始發(fā)布關(guān)于量子隨機(jī)效應(yīng)的警報(bào),這種現(xiàn)象會(huì)引起光刻圖案隨機(jī)變化。
有些組件已經(jīng)準(zhǔn)備就緒,而有些則發(fā)展緩慢。事實(shí)上,EUV團(tuán)隊(duì)首次將光刻膠及其相關(guān)問題列為EUV的最大挑戰(zhàn),超過了電源。經(jīng)過多年的推遲,EUV光源功率終于滿足了大批量生產(chǎn)(HVM)的要求。
光刻膠是用來制作圖案的光敏聚合物,它是造成隨機(jī)性效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)字弧8鶕?jù)定義,隨機(jī)效應(yīng)描述了具有光量子隨機(jī)變化的事件。它們是不可預(yù)測的,沒有穩(wěn)定的模式。
在EUV的情況下,光子擊中光刻膠并引起光化學(xué)反應(yīng)。但是對于EUV光刻膠而言,由于量子非定域效應(yīng),每個(gè)或多個(gè)反應(yīng)期間可能出現(xiàn)新的不同的反應(yīng)。因此EUV容易發(fā)生涉及隨機(jī)效應(yīng)。一般來說,該行業(yè)將隨機(jī)性主要?dú)w咎于光刻膠,但EUV的光掩膜和其他部分(EUV光子平均自由程較大)也可能會(huì)出現(xiàn)隨機(jī)變量。
隨機(jī)效應(yīng)并不新鮮。事實(shí)上,這一現(xiàn)象多年來一直困擾著EUV團(tuán)隊(duì)。眾所周知,隨機(jī)效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致光刻圖案的變化。行業(yè)一直在努力解決這個(gè)問題,但人們要么低估了問題,要么沒能及時(shí)解決問題,要么兩者兼而有之。
新情況是,行業(yè)終于迎來了另一個(gè)問題。一顆先進(jìn)的邏輯芯片集成了十億個(gè)甚至更多的微小通孔。 如果EUV光刻過程中出現(xiàn)問題,芯片可能會(huì)遭受由于隨機(jī)效應(yīng)引發(fā)的失效或缺陷(通孔缺失contact missing)。換言之,一顆芯片可能會(huì)因?yàn)橐粋€(gè)觸點(diǎn)通孔的缺陷而失效。
這可能是一廂情愿的想法,但芯片制造商相信他們可以躲避7nm工藝節(jié)點(diǎn)潛在的由隨機(jī)性引發(fā)的缺陷。事實(shí)上,EUV可能出現(xiàn)在7nm工藝節(jié)點(diǎn)。但在5nm甚至是7nm工藝節(jié)點(diǎn)的情況下,芯片制造商可能無法避免這些和其他問題,除非行業(yè)出現(xiàn)一些新的突破。GlobalFoundries高級(jí)研究員兼高級(jí)技術(shù)研究總監(jiān)Harry Levinson表示:“公平地講,我們的行業(yè)非常樂觀地看待我們向EUV光刻前進(jìn)的方向。我們正準(zhǔn)備將第一代引入到大批量生產(chǎn)中,展望第二代EUV光刻技術(shù),抵抗隨機(jī)效應(yīng)絕對是最重要的問題之一。”
無論節(jié)點(diǎn)如何,EUV隨機(jī)效應(yīng)都為芯片制造商、晶圓廠工具供應(yīng)商和IC設(shè)計(jì)團(tuán)體帶來了麻煩。西門子公司DFM項(xiàng)目總監(jiān)David Abercrombie表示:“從設(shè)計(jì)的角度來看,隨機(jī)效應(yīng)確實(shí)是隨機(jī)的,因?yàn)槟銦o法預(yù)測變化的位置和數(shù)量。因此,沒有系統(tǒng)的方法可以說一個(gè)特定的布局特征應(yīng)該在這個(gè)區(qū)域還是在另一個(gè)區(qū)域中進(jìn)行修改。換言之,除了避免的所有敏感特性的出現(xiàn),將其轉(zhuǎn)化成傳統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)則約束以外,完全沒有辦法在設(shè)計(jì)過程中補(bǔ)償隨機(jī)效應(yīng)影響。”
作為回應(yīng),該行業(yè)正在采取措施解決一些問題。其中包括:
? 供應(yīng)商正在改進(jìn)EUV光刻膠。
? Applied Materials和ASML正在開發(fā)一種新的電子束測量工具,承諾可以檢測出隨機(jī)性缺陷。此外,創(chuàng)業(yè)公司Fractilia已經(jīng)設(shè)計(jì)了一種方法來輔助測量。
? 然后,通過這些新的測量數(shù)據(jù),芯片制造商請求有競爭力的晶圓廠工具供應(yīng)商進(jìn)行合作,并一起對信息進(jìn)行整合。
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