動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-10 01:00

  英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅(qū)動器系列，適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動器電源

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設(shè)計人員提供了隔離式柵極驅(qū)動器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實現(xiàn)非對稱輸出電壓，以經(jīng)濟(jì)高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極

  電源 英飛凌 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2024-12-07 01:05

  新品 | 電動汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊

  

  新品電動汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片，帶NTC和PressFIT壓接針腳技術(shù)。DDB2

  變換器 電動汽車 直流

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 01:02

  英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！

  

  作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領(lǐng)域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發(fā)出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的

  氮化鎵 電壓 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-12-04 01:04

  新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品

  

  新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11擴(kuò)展了Easy系列在1000VDC系統(tǒng)中產(chǎn)品組合，可以實現(xiàn)高開關(guān)頻率應(yīng)用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B

  三電平 高速芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-12-03 01:03

  功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來描述。一個帶銅基板的

  功率器件 熱設(shè)計 等效模型

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• 發(fā)布了文章 2024-11-29 01:03

  新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封裝

  

  新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 01:00

  英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

  

  英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動器。CoolGaN650VG5晶體管最新一代CoolGaN晶體管可直接替代Co

  分立器件 晶體管 氮化鎵 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-11-26 01:02

  功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——Rth/Zth基礎(chǔ)：IEC60747-9即GB/T29332半導(dǎo)體器件分立器件

  功率器件 測量 熱設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2024-11-24 01:01

  第三屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽啟航

  

  電力電子技術(shù)，這一在新能源發(fā)電、輸配電及高效用電領(lǐng)域扮演著舉足輕重角色的科技力量，已悄然滲透至我們生活的各個層面。它憑借高效的功率變換技術(shù)，不僅推動了生產(chǎn)活動的綠色節(jié)能轉(zhuǎn)型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環(huán)保無憂。然而，這位在幕后默默奉獻(xiàn)的英雄——電力電子技術(shù)，卻往往不為廣大公眾所熟知。身為電力電子行業(yè)的耕耘者，你是否曾夢想過以通俗易懂的語言

  電力電子 電源 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-11-23 01:04

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

  

  新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引腳封裝，以第1代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiCMOSFET第2代在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常

  MOSFET SiC 封裝

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