作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領(lǐng)域，再次推動(dòng)了氮化鎵革命，率先成功開發(fā)出了全球首個(gè)300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)，進(jìn)一步推動(dòng)了GaN市場快速增長。

目前，英飛凌全新一代的氮化鎵產(chǎn)品CoolGaN G3和CoolGaN G5系列震撼來襲！采用英飛凌自主研發(fā)的高性能200mm晶圓工藝制造，將氮化鎵的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40V至700V！快一起來看看吧！

圖1.CoolGaN G3系列晶體管和CoolGaN G5系列晶體管

CoolGaN G3中壓晶體管

CoolGaN G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關(guān)（BDS）器件，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費(fèi)應(yīng)用。

CoolGaN G5高壓晶體管

CoolGaN G5系列基于GIT(Gate Injection Transistor，柵注入晶體管)技術(shù)推出新一代650V晶體管，以及基于G5的IPS驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，適用于消費(fèi)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和太陽能領(lǐng)域的應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

CoolGaN BDS 650V和850V：采用真正的常閉單片雙向開關(guān)，具有四種工作模式。通過使用一個(gè)BDS代替四個(gè)傳統(tǒng)晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應(yīng)用能夠從中受益并大幅節(jié)約成本

CoolGaN BDS 40V：基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術(shù)的常閉單片雙向開關(guān)，能阻斷兩個(gè)方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化，以取代電池供電消費(fèi)產(chǎn)品中用作斷開開關(guān)的背對背MOSFET

相比背對背硅FET，使用40V GaN BDS的優(yōu)點(diǎn)包括節(jié)省50%-75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本

目標(biāo)應(yīng)用和市場涵蓋移動(dòng)設(shè)備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等

2kV的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應(yīng)以實(shí)現(xiàn)峰值電流控制和過流保護(hù)

電流檢測響應(yīng)時(shí)間約為200ns，小于等于普通控制器的消隱時(shí)間

具有極高的兼容性

目標(biāo)應(yīng)用和市場涵蓋消費(fèi)電子設(shè)備的充電器和適配器

圖2.CoolGaN BDS和CoolGaN Smart Sense

新產(chǎn)品供貨期現(xiàn)已公布

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與英飛凌一起，再次推動(dòng)了氮化鎵革命！