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• 發布了文章 2025-07-08 17:08

  新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ產品

  

  新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產品線現擴充ThinTOLL8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號，將導通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴展至20mΩ到60mΩ，提供更精細的選型梯度。ThinTOLL封裝是標準8x8尺寸下發揮CoolS

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2025-07-07 18:47

  三相四線變換器拓撲與原理簡介

  

  三相四線制配電具有穩定性高、適用范圍廣等優點，多應用于工商業、民用等低壓配電場景，在傳統的APF、UPS等應用里，三相四線變換器已被大量采用，近年來，工商業側儲能正以其經濟性、電網友好性等特點蓬勃發展，其中離網應用場景下，不平衡負載的帶載能力、諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。SiCMOSFET結合三相四橋臂變換器在此應用場景具有明顯的應用優勢，本文上篇將

  PCS 三相四線 變壓器 變換器

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• 發布了文章 2025-07-05 08:32

  多相電機的奇妙世界(3)：多相電機的應用場景

  

  簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。3多相電機的應用場景經過前面的介紹，相信大家已經對多相電機的優點有了進一步的認識。然而你可能會疑惑為什么多相電機有這么多優點但實際生活中卻很少見到呢？這是因為多相電機往往應用于功率需求較大或高可靠性的場合，且與之配套的變頻器往往需要獨立

  變頻器 多相電機 電力電子

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• 發布了文章 2025-07-04 17:09

  新品 | 650V CoolMOS™ 8超結 (SJ) MOSFET

  

  新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V電壓裕量，有助于滿足數據中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態斷路器（SSCB）應用提供額外的浪涌保護。我們的650V

  MOS MOSFET

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• 發布了文章 2025-07-02 17:06

  揭秘SiC肖特基二極管的關斷電容效應

  

  /引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統硅（Si）器件，成為高效能電子系統中的新寵。那么，SiC到底有何獨特之處？特別是在反向恢復特性方面，它們又是如何改變游戲規則的呢？讓我們一探究竟！1什么是反向恢復？在傳統硅功率器件中，反向恢復現象主要與它們內部的寄生二極管有關，指二極管從導通狀態（正向偏置）切換到反向阻斷狀態（反向偏置）時

  SiC 電容效應 肖特基二極管

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• 發布了文章 2025-07-01 17:03

  新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導通電阻（RDS(on)）范圍擴展至7mΩ至75mΩ等10款產品可選，為用戶提供更精準的選擇。基于第一代技術，第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封裝，

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2025-06-28 08:33

  多相電機的奇妙世界(2)：三相電機vs多相電機

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。上期回顧多相電機的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越本期文章將繼續帶您探索多相電機的奇妙世界。2三相電機vs多相電機：不僅僅是數字的堆砌2.2共模電壓抑制——電磁干擾克星如果說容錯能力是多相電機的“硬實力”，那么共模電壓抑制則是其“軟實力”

  三相電機 多相電機 電力電子

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• 發布了文章 2025-06-26 17:07

  TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

  

  新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業界最高質量標準，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產品現已新增采用底部冷卻技術的TOLL和DFN封裝，其創新設計可降低各類工業及消費電子應用中的功率損耗。產品型號：■IGT65R025D2A

  DFN 功率晶體管 氮化鎵

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• 發布了文章 2025-06-24 17:04

  IPAC碳化硅直播季丨如何應用CoolSiC™ MOSFET設計高能效系統？

  

  碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量，“打鐵需趁熱”，第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰場，第二期就必須得火力全開，好好嘮嘮怎么把碳化硅的優勢發揮到極致。7月2日14:00碳化硅直播季第二期，邀您一同解鎖未來能源科技的神秘密碼！光儲應用熱門賽道，眾多企業競相角逐。如何憑借碳化硅技術突出重圍，效率比拼的天花板到底有多高？EV充電樁真的是國產的天下嗎？Coo

  MOSFET 碳化硅 能效

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• 發布了文章 2025-06-23 17:36

  CoolSiC™ MOSFET G2如何正確選型

  

  之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產品特點及導通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOSFETG2導通特性解析），今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了RDS(on)，開關損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常

  MOSFET SiC 仿真電路

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