動態

• 發布了文章 2025-02-15 08:32

  星際電涌：未來紀元(1)

  

  故事梗概《星際電涌：未來紀元》以一場震撼宇宙的能源革命為背景,講述了年輕科學家塞拉斯·沃克的傳奇故事，從深海探險的意外發現，到與虛空能源集團的生死較量，再到星淵聯盟的壯麗誓言，這是一場關于勇氣、智慧與犧牲的旅程，更是對人類未來無限可能的深情憧憬。讓我們一同見證這場震撼人心的

  電涌 能源

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• 發布了文章 2025-02-14 18:02

  功率半導體驅動電源設計（一）綜述

  

  工業應用中，功率半導體的驅動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單低成本的電路并不容易，主要難點有幾點：1電路要求簡潔，占用線路板面積要小一個EasyPACK2B1200V100A六單元IGBT模塊，周長20cm，占板面積27cm2，很小，在四周要安排布置6路驅動和4-6路隔離電源并不容易，如果需要正負電源就更復雜。2電力電子系統需要滿足相應的安規和絕緣

  功率半導體 電源設計 移動電源

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• 發布了文章 2025-02-13 18:06

  新品 | 76毫米晶閘管/晶閘管功率啟動模塊

  

  新品76毫米晶閘管/晶閘管模塊，電壓為1600V和1800V壓力接觸技術英飛凌76mm晶閘管功率啟動器（1600V和1800V，3400A）模塊采用壓裝技術，適用于軟啟動應用，是一種經濟高效的全集成解決方案，過載電流最高可達5100A。PowerStartSTT3400N16P76和STT3400N18P76的設計重點在于降低復雜性和減少元件數量。與現有的軟

  功率 晶閘管 英飛凌

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• 發布了文章 2025-02-11 17:04

  新品 | 集成溫度傳感器工業和汽車級CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET 10mΩ

  

  新品集成溫度傳感器工業和汽車級CoolMOSS7T和S7TASJMOSFET10mΩ，采用Q-DPAKTSC和BSC封裝CoolMOSS7T和S7TA現可提供10mΩ的超低RDS(on)。集成溫度傳感器提高了結溫測量的準確性和穩健性。器件測溫簡單，并實現了功能安全。該器件針對低頻和大電流應用進行了優化，它非常適合固態繼電器、固態斷路器和SMPS中的輸入整流等

  MOSFET 工業 溫度傳感器

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• 發布了文章 2025-02-10 17:05

  驅動電路設計（一）—— 驅動器的功能綜述

  

  驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細講解如何正確理解和應用這些驅動器的功能。每一個功率開關都需要一個驅動器，功率開關在系統中會承受高壓大電流，如何使得功率半導體優雅地開通和關斷，驅動電路功不可沒。另外，驅動電路還需要承

  功率半導體 英飛凌 驅動器 驅動電路

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• 發布了文章 2025-02-08 11:26

  主驅逆變器應用中不同 Zth 模型對分立 IGBT Tvj 計算的影響

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權發布/摘要/在xEV應用的主驅逆變器中，關于IGBT分立器件熱阻網絡建模和虛擬結溫計算的研究和論文相對較少。本文基于最新的可回流焊接分立式IGBT產品(TO247)，通過AnsysFEM3D建模和熱阻提取，以及典型逆變器條件下的PLECS仿真,比較和分析了分立式IGBT的三種不同熱阻網絡模型(外殼和冷卻水之間)，以及其對IGBT

  IGBT 熱阻 逆變器

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• 發布了文章 2025-02-08 11:26

  磁懸浮軸承——電力電子在高速旋轉機械領域的應用

  

  本文是生活中的電、電源與電力電子科普征文大賽的二等獎作品，原標題《磁懸浮軸承——電力電子在高速旋轉機械領域的應用》，作者：蔣棟，孫宏博，楊佶昌，劉自程，帥逸軒，來自華中科技大學，強電磁工程與新技術國家重點實驗室。1磁懸浮軸承背景介紹電動機想必大家都有所了解，轉子“呼呼呼”旋轉，帶動工業的發展。在工業和國防領域，旋轉機

  旋轉機械 電力電子 磁懸浮 軸承

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• 發布了文章 2025-02-08 11:25

  高鐵跑得快，不靠車頭帶

  

  邀請你一起來創作科普作品，點擊報名火車跑得快，全靠車頭帶。這句有問題嗎？如果擱以前那種“況且、況且、況且。。。”的火車肯定沒毛病。或者呢，如果你是年終總結會上講給你領導聽，想拍馬屁多要點年終獎，那這句話也是一點兒毛病都沒有。但是如果你想用這句話描述當今高鐵列車的動力系統，那毛病大了。今天就來和大家聊聊，高鐵跑得那么快，既不是車頭帶的，又不是你領導帶的，那到底

  動車組 變壓器 高鐵

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• 發布了文章 2025-02-08 11:24

  英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

  

  英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/DiscreteD

  MOSFET SiC 功率器件

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• 發布了文章 2025-02-08 08:34

  新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交

  MOSFET SiC 分立器件

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