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新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品2025-05-27 17:03
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柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用2025-05-26 18:07
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新品 | 采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET交錯調制圖騰柱5kW PFC評估板2025-05-22 17:03
新品采用電平位移驅動器碳化硅SiCMOSFET交錯調制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網,導致電網失真,威脅著供電系統的穩定性和效率。為此,電源設計中需要采用先進的功率因數校正(PFC)電路。PFC通過同步輸入電流和電壓波形來確保高功率因數。通過使用PFC,電源系統可以減少失真,保持穩定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交 -
新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側柵極驅動器 1ED21x7 系列2025-05-21 17:07
新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側柵極驅動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比,提供了一種更穩健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅動器,可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開關。設計采用英飛凌的絕緣體上硅(SOI)技術,1ED -
英飛凌攜手優優綠能,助力電能轉換效率新突破2025-05-20 10:35
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英飛凌碳化硅產品創新的四大支柱綜述(二)2025-05-19 17:32
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電力電子中的“摩爾定律”(2)2025-05-17 08:33
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新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊2025-05-16 17:08
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IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵,孰是王者?2025-05-15 17:05