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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業半導體文章

  • 新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品2025-05-27 17:03

    新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品,專為各種工業應用開發,包括工業驅動、電動汽車充電、太陽能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能,更易于組裝,從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比,頂部散熱器件可實現更
    MOSFET SiC 65瀏覽量
  • 柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用2025-05-26 18:07

    碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用,其潛力毋庸置疑。然而,從當前高功率碳化硅MOSFET來看,仍存在一個難題:即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiCMOSFET技術先進性的關鍵參數,但其它標準,例如可靠性,也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用,導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此,合理的器
    MOSFET SiC 半導體 204瀏覽量
  • 一枚葉片的獨白2025-05-24 08:32

    我是一枚發電機上的葉片。出生不久,我就開始審視自己的身體:身上滿是絕妙飄逸的曲線,身材完美豐盈,真是美的不可方物。我開始無限自戀起來。如果看一下自己的體重,說實話愛上自己的身體不免有些讓人害羞,然而我迷戀的不僅是自己的美,還有各種大小不一的自己。世界上還有更大或者更小的各種葉片,從超過35米長的風力發
    發電機 葉片 31瀏覽量
  • 新品 | 采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET交錯調制圖騰柱5kW PFC評估板2025-05-22 17:03

    新品采用電平位移驅動器碳化硅SiCMOSFET交錯調制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網,導致電網失真,威脅著供電系統的穩定性和效率。為此,電源設計中需要采用先進的功率因數校正(PFC)電路。PFC通過同步輸入電流和電壓波形來確保高功率因數。通過使用PFC,電源系統可以減少失真,保持穩定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交
  • 新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側柵極驅動器 1ED21x7 系列2025-05-21 17:07

    新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側柵極驅動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比,提供了一種更穩健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅動器,可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開關。設計采用英飛凌的絕緣體上硅(SOI)技術,1ED
  • 英飛凌攜手優優綠能,助力電能轉換效率新突破2025-05-20 10:35

    在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下,充換電行業正迎來高質量發展的關鍵期。近日,英飛凌科技宣布與深圳優優綠能股份有限公司深化合作,通過提供英飛凌先進的CoolMOS和TRENCHSTOPIGBT,CoolSiCMOSFET和EiceDRIVER驅動器等全套功率半導體解決方案,全面賦能優優綠能新一
  • 英飛凌碳化硅產品創新的四大支柱綜述(二)2025-05-19 17:32

    本文是作者2024年“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會”演講稿第二部分,第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術創新的四大支柱綜述(一)》。英飛凌SiC技術創新到豐富產品的四大支柱SiC技術創新到豐富產品的四個支柱簡單講,就是技術,質量,產量和產品。技術優勢要做好碳化硅MOSFET,在技術上需要做好兩件事情:性能穩定的體二極管垂直結構的功率MOSFE
  • 電力電子中的“摩爾定律”(2)2025-05-17 08:33

    04平面磁集成技術的發展在此基礎上,平面磁集成技術開始廣泛應用于高功率密度場景,通過將變壓器的繞組(winding)設計在pcb電路板上從而代替利茲線,從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大,一般不會超過4oz(140μm),因此想要通過pcb傳輸大電流會有極大的損耗。為
  • 新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊2025-05-16 17:08

    新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開發的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技術。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳,配備NTC溫度傳感器,并針對儲能應用進行了優化,非常適用于1000VDC100kW功率變換系統。產
    IGBT 三電平 儲能 185瀏覽量
  • IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵,孰是王者?2025-05-15 17:05

    直播時間:5月20日14:00直播主題:溝槽柵VS平面柵,孰是王者?立即掃碼報名吧!直播間不定時會有禮品掉落,速速掃碼預約!520碳化硅首場直播,帶你直擊可靠性核心戰場!平面柵和溝槽柵,簡約設計與繁復工藝的碰撞,單元均勻性與底部電場聚焦的較量,溝槽柵緣何在可靠性領域持續“占鰲”,成為行業標桿?高溫下溝槽柵SiC電阻漂移,真的會成為其可靠性路上的“絆腳石”?低
    碳化硅 英飛凌 121瀏覽量