動態

• 發布了文章 2025-06-07 08:34

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（2）- 失真類效果器

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上海科技大學李晨曦的投稿。為了得到失真音色，人們往往需要把音箱的音量開到很大，這樣做不僅擾民，而且得到的聲音也很不穩定，那么有沒有一種方法能夠在較小的音量下得到失真音色呢？隨著半導體技術的發展，失真類效果器應運而生。在介紹失真類效果器之前，需要先簡單介紹一下二極管削波電路。二極管削波電路通常由一個或多個二極管、

  效果器 電吉他

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• 發布了文章 2025-06-05 19:45

  倒計時7天 | OktoberTech™ 2025 高峰論壇嘉賓及議程揭曉

  

  當大規模AI訓練的能耗在全社會用電量中占比持續攀升；當全球汽車產業加速向電動化、智能化轉型；當第三代半導體的應用有效減少了風力發電傳輸中的能量損耗、提高供電效率……在這場席卷全球的變革浪潮中，科技無疑是助力我們跨越挑戰與把握機遇的關鍵力量。而我們所憧憬的未來，也將依托于各領域的創新解決方案，如綠色高效的能源、智能安全的物聯網以及環保安全的交通出行等，它們將共

  AI 英飛凌

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• 發布了文章 2025-06-04 18:33

  論壇日程發布丨OktoberTech™英飛凌生態創新峰會現場高能搶先看

  

  OktoberTech是由英飛凌主辦的年度全球技術峰會，旨在展示前瞻性的技術如何推動低碳化和數字化的發展。每一年的OktoberTech，都是我們與產業、客戶、合作伙伴相聚一堂、共話未來的珍貴時刻。在為期一天的活動期間，英飛凌與眾多相關領域的意見領袖與技術專家將匯聚一趟，共同探討行業趨勢、創新合作及不同領域最新的產品及解決方案等議題。2025年恰逢英飛凌在華

  低碳 英飛凌

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• 發布了文章 2025-06-03 17:34

  新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模塊

  

  新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiCSiCMOSFET增強型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點技術和氮化鋁陶瓷DCB。目標應用直流-直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統等。產品型號：■FF6MR20

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2025-05-31 08:37

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（1）- 缺陷創造的美

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上海科技大學李晨曦的投稿。如果你是一位音樂愛好者，當你戴上耳機，聆聽著美妙的音樂時，吉他那多變的音色一定能夠吸引你的注意。它時而清脆明亮，仿佛陽光燦爛；時而沉穩厚重，帶著歲月的厚重感；時而又尖銳狂放，如同沖破束縛的熱情。而這些獨特的音色，如今大多數都是由數字芯片經特定算法采樣處理所生成的。為什么音樂人們要用數字

  效果器 數字芯片 電吉他

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• 發布了文章 2025-05-29 17:04

  新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動汽車充電、太陽能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2025-05-27 17:03

  新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品

  

  新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動汽車充電、太陽能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實現更

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2025-05-26 18:07

  柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用

  

  碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiCMOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器

  MOSFET SiC 半導體

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• 發布了文章 2025-05-24 08:32

  一枚葉片的獨白

  

  我是一枚發電機上的葉片。出生不久，我就開始審視自己的身體：身上滿是絕妙飄逸的曲線，身材完美豐盈，真是美的不可方物。我開始無限自戀起來。如果看一下自己的體重，說實話愛上自己的身體不免有些讓人害羞，然而我迷戀的不僅是自己的美，還有各種大小不一的自己。世界上還有更大或者更小的各種葉片，從超過35米長的風力發

  發電機 葉片

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• 發布了文章 2025-05-22 17:03

  新品 | 采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET交錯調制圖騰柱5kW PFC評估板

  

  新品采用電平位移驅動器碳化硅SiCMOSFET交錯調制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網，導致電網失真，威脅著供電系統的穩定性和效率。為此，電源設計中需要采用先進的功率因數校正（PFC）電路。PFC通過同步輸入電流和電壓波形來確保高功率因數。通過使用PFC，電源系統可以減少失真，保持穩定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交

  SiC MOSFET 碳化硅 評估板 驅動器

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