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采用高性能DCB的Easy B系列

CoolSiC 2kV SiC MOSFET模塊

英飛凌EasyDUAL和EasyPACK 2B 2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiC SiC MOSFET增強(qiáng)型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷DCB。目標(biāo)應(yīng)用直流-直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統(tǒng)等。

產(chǎn)品型號：

■FF6MR20W2M1HB70

■F3L6MR20W2M1HB70

產(chǎn)品特點(diǎn)

同類最佳封裝，高度為12毫米

先進(jìn)的WBG材料

模塊雜散電感極低

柵源電壓范圍寬

開關(guān)和導(dǎo)同損耗低

過載運(yùn)行溫度最高可達(dá)175°C

應(yīng)用價值

提高系統(tǒng)效率

降低冷卻要求

實(shí)現(xiàn)更高頻率

提高功率密度

緊湊型設(shè)計

與1500V直流母線完美匹配

競爭優(yōu)勢

擴(kuò)展2kV產(chǎn)品組合，為客戶提供可擴(kuò)展的解決方案，滿足更高的應(yīng)用要求

新模塊配備了最新的高性能陶瓷(AlN)DCB，有助于延長系統(tǒng)使用壽命和/或支持更高的額定功率

應(yīng)用領(lǐng)域

直流-直流變換器

電動汽車充電

光伏

儲能系統(tǒng)