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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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動態

  • 發布了文章 2025-06-23 17:36

    CoolSiC™ MOSFET G2如何正確選型

    之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產品特點及導通特性(參考閱讀:CoolSiCMOSFETGen2性能綜述,CoolSiCMOSFETG2導通特性解析),今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下,如何進行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了RDS(on),開關損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常
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  • 發布了文章 2025-06-21 08:33

    多相電機的奇妙世界(1):從三相到多相的跨越

    本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。1從三相到多相的跨越——電機系統的技術進步之路交流電機,作為現代工業的“心臟”,已逐漸成為支撐國民經濟發展和國防重要裝備建設的關鍵與核心。在現代社會,大至國之重器的“上天入地”,小至日常生活的“衣食住行”,處處都能看見交流電機的身影。電機系
  • 發布了文章 2025-06-20 17:10

    招生通知|第二期 IGBT模塊:技術、驅動和應用培訓班

    對于每一位從事電力電子技術的工程師來說,功率半導體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰性的工作。IGBT作為現代電力電子系統的核心元件,其性能直接影響到系統的效率和可靠性。然而,IGBT的高頻、高壓工作特性和對驅動電路的復雜要求,使得許多工程師在實際應用中面臨諸多挑戰:精確控制:IGBT的開關速度和損耗管理需
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  • 發布了文章 2025-06-19 17:05

    新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板

    新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評估板該虛擬設計(提供設計文件,不提供實物產品)為3L-ANPC拓撲,是帶隔離的三相三電平逆變器板。優化的PCB布局最大限度地減少了換流回路電感,降低了開關損耗和電壓過沖。該設計是工程師和研究人員實驗、驗證和優化工業電機驅動器和光伏組串逆變器3L-ANPC系統的理想選擇。產品型號:■EVAL
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  • 發布了文章 2025-06-18 17:49

    2025 OktoberTech™精彩回顧二: 新能源與工業應用大咖齊聚,共同奏響產業創新“交響曲”

    近日,英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區生態創新峰會在上海順利落下帷幕。來自新能源和工業應用領域的多位重磅級演講嘉賓分享主題演講,共同探討在中國速度及產業挑戰背景下,如何通過跨界合作培育本土創新生態體系,合力推動科技創新,促進產業的智能化、綠色化和融合化發展,攜手共創數字低碳未來。鄭大為先生伊頓電氣亞太區電能質量研發副總裁伊頓電氣亞太區
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  • 發布了文章 2025-06-17 17:58

    2025 OktoberTech™精彩回顧一: CoolSiC™碳化硅新品發布, 性能指標領跑全行業

    近日,英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區生態創新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中,英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產品,憑借卓越的性能指標和創新封裝設計,繼續全面領跑半導體行業,為電力電子系統的高效、可靠運行提供了強有力的支
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  • 發布了文章 2025-06-16 17:34

    CoolSiC™ MOSFET G2導通特性解析

    上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產品特性(參考文章:CoolSiCMOSFETG2性能綜述)。那么在實際應用中,G2如何進行正確的選型呢?接下來兩篇文章會和大家仔細探討這個問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設計選型過程中,工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
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  • 發布了文章 2025-06-14 10:00

    探索吉他音色與效果器的奇妙世界(3)- 時延和哇音效果器

    本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自上海科技大學李晨曦的投稿。時延類效果器如果失真類效果器是拿信號的幅值開刀,那么時延類效果器則是在信號的時域特性上做文章。根據原理的不同,可以將時延類效果器大致分為兩類,混響、延遲。1混響(Reverb)混響效果器旨在模擬大型音樂廳中的混響效果,混響效果器能夠為音頻信號增添情感和氛圍,使得聲音聽起來更加宏大、夢幻
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  • 發布了文章 2025-06-12 17:33

    新品 | 用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板

    新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板評估板是用于評估采用1ED3890MC12M柵極驅動器的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模塊。用戶可以通過雙脈沖測試來評估器件性能。目標應用為電動汽車充電,ESSPFC,直流-直流變換器和太陽能等。這是一個用于測試半橋配置的2kVCoolSiC
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  • 發布了文章 2025-06-10 17:06

    新品 | 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊,增強型1代M1H芯片、集成NTC溫度傳感器和PressFIT引腳,還可提供預涂導熱材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪結構,用于直接液體冷卻(FF1MR12
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