近日，英飛凌在上海舉辦的2025 OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)在上海順利落下帷幕。本次活動(dòng)中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，憑借卓越的性能指標(biāo)和創(chuàng)新封裝設(shè)計(jì)，繼續(xù)全面領(lǐng)跑半導(dǎo)體行業(yè)，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運(yùn)行提供了強(qiáng)有力的支持。

CoolSiC MOSFET G2 1200V：

業(yè)內(nèi)最低開關(guān)損耗

TO – 247以及QDPAK封裝的1200V CoolSiC MOSFET G2系列，開關(guān)損耗達(dá)到了業(yè)內(nèi)最低水平。同時(shí)，門級(jí)瞬態(tài)電壓范圍擴(kuò)大至 - 10 ~ 25V，使得器件能夠更好地應(yīng)對(duì)復(fù)雜多變的電路環(huán)境。200°C的短時(shí)過載結(jié)溫以及2微秒的短路能力，進(jìn)一步增強(qiáng)了器件在惡劣工況下的耐受能力，確保了設(shè)備在極端條件下的安全運(yùn)行。

CoolSiC MOSFET G2 1400V：

適應(yīng)更高母線電壓

1400V CoolSiC MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封裝，面對(duì)高母線電壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，能夠輕松適應(yīng)母線電壓大于1000V的場景，該系列產(chǎn)品的功率管腳加粗至2mm，使得器件能夠承受更大的電流，背板回流焊的設(shè)計(jì)，提升了產(chǎn)品的可靠性，為高壓電力電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。

CoolSiC Diode G5 1200V & 2000V：

業(yè)內(nèi)最大電流

CoolSiC Diode G5 1200V以及2000V系列產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最大電流輸出。其中，1200V產(chǎn)品可提供高達(dá)150A的電流，2000V產(chǎn)品則能達(dá)到80A的電流輸出能力，更好地滿足了高功率應(yīng)用場景對(duì)大電流的需求。.XT擴(kuò)散焊創(chuàng)新技術(shù)不僅簡化了拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，還顯著提高了功率密度，為設(shè)備的小型化和輕量化設(shè)計(jì)提供了可能。

CoolSiC MOSFET G2 Easy 1200V

碳化硅模塊：全新封裝，業(yè)內(nèi)首發(fā)

業(yè)內(nèi)首發(fā)的1200V CoolSiC MOSFET G2 Easy模塊采用全新封裝實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗，同時(shí)，具備更高的工作虛擬結(jié)溫，支持更長的系統(tǒng)壽命要求，為設(shè)備在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力保障。

CoolSiC XHP 2 2.3kV/3.3kV

碳化硅模塊：全球首款

CoolSiC XHP 2 2.3kV和3.3kV碳化硅模塊作為全球首款高電壓碳化硅模塊產(chǎn)品，集成體二極管，采用XHP 2創(chuàng)新封裝和.XT銀燒結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了10倍的功率密度提升、10倍的可靠性能加強(qiáng)，以及10倍的節(jié)能降耗顯著效果，為高壓、大功率應(yīng)用場景提供了更高效、更可靠的解決方案，將推動(dòng)軌道交通、可再生能源等領(lǐng)域的發(fā)展邁向新的高度。

CIPOS Maxi 1200V

碳化硅智能功率模塊：全球首款

CIPOS Maxi 1200V全碳化硅高性能車規(guī)智能功率模塊作為全球首款車規(guī)級(jí)同類產(chǎn)品，集成車規(guī)級(jí)1200V CoolSiC MOSFET G2和1200V C5SOI驅(qū)動(dòng)IC，功率輸出高達(dá)12kW以上。同時(shí)，該模塊通過AQG324 / AEC-Q認(rèn)證，可靠性獲權(quán)威認(rèn)可，為汽車電力電子系統(tǒng)提供更高效、更可靠的解決方案。