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英飛凌工業(yè)半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產(chǎn)品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經(jīng)驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2024-09-27 08:05

    新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V

    新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結(jié)合在一起,同時改善了系統(tǒng)成本。400VSiCMOSFET可在2電平和3電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統(tǒng)效率。目標應用為人工智能服務器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。產(chǎn)品型號:■IMBG4
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  • 發(fā)布了文章 2024-09-26 08:05

    新品 | 用于工業(yè)和汽車應用的ISOFACE™四通道數(shù)字隔離器

    新品用于工業(yè)和汽車應用的ISOFACE四通道數(shù)字隔離器ISOFACE四通道數(shù)字隔離器系列支持高達40Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,可確保在寬環(huán)境條件下進行穩(wěn)健的數(shù)據(jù)通信。工作溫度范圍(-40°C至+125°C)。寬體DSO-16封裝中的四個數(shù)據(jù)通道可簡化高功率密度設計,并以低電流消耗提高系統(tǒng)效率。現(xiàn)在還提供4+0通道配置。產(chǎn)品型號:■4DIR0400H■4DIR0
  • 發(fā)布了文章 2024-09-20 08:06

    功率半導體讓生活更美好

    功率半導體讓生活更美好
  • 發(fā)布了文章 2024-09-19 08:03

    新品 | 英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關評估板

    新品英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關評估板英飛凌固態(tài)隔離器高壓側(cè)不需要輔助電源供電就可以驅(qū)動功率晶體管,如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飛凌SSI系列提供快速開通/關斷、過流保護和過溫保護等控制功能,驅(qū)動功率半導體實現(xiàn)固態(tài)繼電器。產(chǎn)品特點評估板用于8引腳固態(tài)隔離器的快速評估和設計評估板為交流固態(tài)開關配置快速開通過流/過
  • 發(fā)布了文章 2024-09-14 08:04

    英飛凌助力奇點能源,打造高效可靠的工商業(yè)儲能解決方案

    近日,英飛凌宣布攜手西安奇點能源股份有限公司,將為其提供業(yè)界領先的1200V450AEconoDUAL3功率模塊,用于215kW工商業(yè)及源網(wǎng)側(cè)eblock儲能應用,依托于英飛凌TRENCHSTOPIGBT7創(chuàng)新的產(chǎn)品,助力奇點能源打造高可靠、高效率的儲能PCS系統(tǒng)。英飛凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模塊封裝,自面世以來,迅速贏得業(yè)界認可,成為市場
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  • 發(fā)布了文章 2024-09-13 08:04

    英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術,推動行業(yè)變革

    ●憑借這一突破性的300mmGaN技術,英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設施,英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。這項
  • 發(fā)布了文章 2024-09-12 08:04

    直播預告 | 電氣隔離新勢力——英飛凌新型SSI系列固態(tài)隔離器的創(chuàng)新技術與應用設計

    英飛凌最新推出的SSI系列固態(tài)隔離器面向交流和直流固態(tài)繼電器、可編程邏輯控制器、智能樓宇和家庭自動化系統(tǒng)(溫控器、照明、供暖控制)、工業(yè)自動化和控制、儀器設備、電池管理系統(tǒng)、配電柜等等多個領域。其創(chuàng)新技術在兼顧可靠性和穩(wěn)定性的同時,并實現(xiàn)電路設計簡化和成本降低。通過研討會,您將了解:技術革新亮點:詳細介紹英飛凌最新固態(tài)隔離器的核心技術優(yōu)勢,以及在快速開通和關
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  • 發(fā)布了文章 2024-09-10 08:03

    新品 | 6500V、1000A 單開關 IGBT 模塊 FZ1000R65KE4

    新品6500V、1000A單開關IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A,190mmIHV單開關IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技術,是HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應用的最佳解決方案。產(chǎn)品特點低VCEsat碳化硅鋁基板存儲溫度低至-55°CCTI600應用價值實現(xiàn)緊湊型逆變器設計低功率損耗標準化封裝競爭優(yōu)勢高性能堅固可靠低功率損耗應用領
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  • 發(fā)布了文章 2024-09-05 08:03

    新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機的驅(qū)動器

    新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機的驅(qū)動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機的驅(qū)動器應用而開發(fā)的升級版逆變器和柵極驅(qū)動器板。設計用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關。驅(qū)動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI
  • 發(fā)布了文章 2024-09-04 08:02

    兩位IEEE Fellow授課│第三代半導體器件技術與應用高級研修班10月上海開班

    來源:內(nèi)容來自中國電源學會01組織機構(gòu)主辦單位:中國電源學會承辦單位:中國電源學會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨港電力電子研究院02培訓時間地點2024年10月11-13日中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學物流工程學院03培訓介紹培訓內(nèi)容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導體新技術的發(fā)展,重點講授碳

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