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• 發布了文章 2024-10-25 08:04

  英飛凌推出CoolSiC™肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC

  

  如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000V的分立碳化硅二極管。該產品系列適用于直流母線電壓高達1500VD

  直流母線 肖特基二極管 英飛凌

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• 發布了文章 2024-10-24 08:03

  新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板

  

  新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率開關和柵極驅動器接口的單半橋，可輕松構建任何基于半橋的功率拓撲。相關器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功

  MOSFET 功率 驅動器

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• 發布了文章 2024-10-22 08:01

  功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現為半導體器件發熱

  功率半導體 功率器件 熱設計 熱阻

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• 發布了文章 2024-10-17 08:03

  新品 | 3300W無橋圖騰柱PFC參考設計

  

  新品3300W無橋圖騰柱PFC參考設計REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無橋圖騰柱PFC參考設計是采用英飛凌功率半導體、驅動器和微控制器的系統解決方案。它采用無橋圖騰柱拓撲結構，非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應用。圖騰柱設計簡便易行，減少了元件數量，并充分利用了PFC電感器和功率開關，從而以有限的系統成本實現高功率密度。相關器件：RE

  PFC 功率半導體 驅動器

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• 發布了文章 2024-10-15 08:04

  10月25日｜英飛凌儲存器解決方案線上技術論壇

  

  誠邀您參加英飛凌儲存器解決方案線上技術論壇。本次論壇將由Infineon和業內專家共同主持，向您全方位展示Infineon儲存器解決方案在汽車和工業應用中的最新設計趨勢和用例。論壇面向對象：本屆論壇主要面向方案設計群體（系統架構師、設計工程師等），探討（由多種需求驅動的）設計復雜度增加，和資格認證所帶來的挑戰，以及如何減少開發成本并縮短上市時間。話題涵蓋：可

  儲存器 汽車 英飛凌

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• 發布了文章 2024-10-13 08:04

  新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

  

  新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開關IGBT模塊已采用我們最新一代的芯片，以滿足MVD、輸配電和交通行業應用當前和未來的要求。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發射極控制二極管EmCon4，標準封裝尺寸為140x190mm2，與上一代產品一樣，可提供驅動電壓VGE=25

  IGBT 二極管 芯片

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• 發布了文章 2024-10-09 08:04

  新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM

  

  新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二極管Emcon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計芯片，該產品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產品組合包括從10A，15A和20A三種新

  IGBT IPM 二極管

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• 發布了文章 2024-10-01 08:06

  采用IGBT5.XT技術的PrimePACK™為風能變流器提供卓越的解決方案

  

  本文由英飛凌科技的現場應用工程師MarcelMorisse與高級技術市場經理MichaelBusshardt共同撰寫。鑒于迫切的環境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發電功率大幅提升，不久后將突破15MW

  IGBT 變流器 風能

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• 發布了文章 2024-09-30 08:03

  新疆如何實現給全國充電？

  

  想象一下，僅僅在眨眼之間——0.01秒的瞬息，新疆的磅礴能源便能跨越千山萬水，抵達3300公里外的安徽，點亮萬家燈火。這，便是吉泉特高壓直流輸電工程——一項集電壓等級之巔、輸送能量之巨、輸電距離之遠、技術水平之先進于一身的超級工程，UHVDC！從新疆準東（昌吉）換流站啟程，這條能源動脈穿越廣袤的戈壁，翻越巍峨的天山，沿著歷史悠久的河西走廊蜿蜒前行，最終跨越奔

  清潔能源 能源 額定電壓

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• 發布了文章 2024-09-27 08:05

  新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V

  

  新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結合在一起，同時改善了系統成本。400VSiCMOSFET可在2電平和3電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統效率。目標應用為人工智能服務器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉換。產品型號：■IMBG4

  MOSFET SiC 英飛凌

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