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      新品 | CoolSiC? MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

      英飛凌工業半導體 ? 2024-11-23 01:04 ? 次閱讀
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      新品

      CoolSiC MOSFET 650V G2，

      7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

      c7dbd09e-a8f3-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      CoolSiC MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝，以第1代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的系統設計。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

      產品型號：

      ■IMW65R007M2H

      ■IMZA65R007M2H

      產品特點

      優異的性能指標（FOM）

      個位數RDS(on）

      堅固耐用，整體質量高

      靈活的驅動電壓范圍

      支持單電源驅動，VGS（off）=0

      避免誤開通

      .XT技術改進封裝互聯

      應用價值

      節省物料清單

      最大限度地提高單位成本的系統性能

      最高可靠性

      實現最高效率和功率密度

      易于使用

      與現有供應商完全兼容

      允許無需風扇或無散熱器設計

      競爭優勢

      開關損耗極低

      標桿性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V

      柵極關斷電壓為0V，可抵御寄生導通

      驅動電壓靈活，與正負電源驅動兼容

      用于硬換流的堅固體二極管

      .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能

      競爭優勢

      開關電源(SMPS)

      光伏逆變器

      儲能系統

      UPS

      電動汽車充電

      電機驅動

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