新品
750V 8mΩ CoolSiC MOSFET

采用TO-247-4封裝的新型CoolSiC MOSFET 750V G1是高度堅固的SiC MOSFET,具有最佳的系統性能和可靠性。CoolSiC MOSFET 750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優勢,并具有柵極驅動靈活性,從而簡化了系統設計,提高了成本效益,實現了最高的效率和功率密度。
產品型號:
■AIMZA75R008M1H
■IMZA75R008M1H
產品特點
高度可靠的750V技術
同類最佳RDS(on)xQfr
優秀的RonxQoss和RonxQG
低Crss和Ciss,高VGSth
100%雪崩測試
.XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能
應用價值
出色的硬開關效率
實現更高的開關頻率
更高的可靠性
可承受超過500V的母線電壓
抵御寄生導通能力
單電源驅動
競爭優勢
更強的堅固性,可承受超過500V的母線電壓
同類最佳FoM
獨特的擴散焊接技術
超低Ron
應用領域
工業
■ 單相組串逆變器解決方案
■ 用于電信基礎設施的交流-直流電源變換
■ 儲能系統
■ 電動汽車充電
■ 服務器電源
汽車
■電動汽車車載電池充電器
-
英飛凌
+關注
關注
67文章
2319瀏覽量
140201 -
MOSFET
+關注
關注
150文章
8275瀏覽量
218563 -
SiC
+關注
關注
31文章
3158瀏覽量
64460
發布評論請先 登錄
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品

英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品 | 采用CoolSiC? MOSFET的7.5kW電機驅動器評估板

新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

中恒微發布Mini Z3功率模塊:750V新技術車規級芯片引領新能源變革
DC1500V轉750V DC/DC直流變換器設備概述

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET,推動斷路器技術的革命性變革

評論