LM5104 高壓柵極驅(qū)動器旨在驅(qū)動高側(cè)和 采用同步降壓配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高邊驅(qū)動器可以 可在高達 100 V 的電源電壓下工作。高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器由 單個 input。狀態(tài)的每次變化都以自適應(yīng)方式進行控制，以防止擊穿 問題。除了自適應(yīng)過渡時序之外，還可以添加額外的延遲時間， 與外部設(shè)置電阻器成比例。提供集成高壓二極管 對高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。堅固的電平轉(zhuǎn)換器高速運行 同時功耗低，并提供從控制邏輯到 高端柵極驅(qū)動器。低側(cè)和高側(cè)均提供欠壓鎖定 電源軌。該器件采用標(biāo)準(zhǔn) SOIC 和 WSON 封裝。
*附件：lm5104.pdf

特性

• 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
• 具有可編程
  附加延遲的自適應(yīng)上升沿和下降沿
• 單輸入控制
• 自舉電源電壓范圍高達 118V DC
• 快速關(guān)斷傳播延遲（典型值為 25ns）
• 以 15ns 的上升和下降時間驅(qū)動 1000pF 負(fù)載
• 電源軌欠壓鎖定
• SOIC 和 WSON-10 4mm × 4mm 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動器具有自適應(yīng)上升和下降邊緣，可編程附加延遲，以及高達V的浮動高側(cè)驅(qū)動能力。

二、主要特性

• ?高壓能力?：支持高達V的供電電壓。
• ?自適應(yīng)延遲?：防止高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時導(dǎo)通（射通）。
• ?可編程延遲?：通過外部電阻設(shè)置附加延遲時間。
• ?集成高壓二極管?：用于為高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容充電。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：保護低側(cè)和高側(cè)電源軌。
• ?快速關(guān)斷傳播延遲?：典型值為ns。
• ?單輸入控制?：高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器由單個輸入控制。

三、引腳功能

• ?VDD?：正柵極驅(qū)動供電。
• ?HB?：高側(cè)柵極驅(qū)動器自舉軌。
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
• ?HS?：高側(cè)MOSFET源極連接。
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
• ?VSS?：地返回。
• ?IN?：控制輸入。
• ?RT?：死區(qū)時間編程引腳。
• ?NC?：未連接引腳。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB為VS+V至VS+V。
• ?UVLO閾值?：VDD的欠壓鎖定閾值為.V至.V，HB的欠壓鎖定閾值為.V至.V。
• ?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值為.V至.V，高電平輸入電壓閾值為.V至.V。
• ?輸出特性?：高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器具有高電平輸出電流和低電平輸出電流能力，峰值電流可達.A和.A。

五、功能描述

• ?自適應(yīng)射通保護?：通過監(jiān)測低側(cè)柵極電壓并在適當(dāng)時間啟用高側(cè)柵極驅(qū)動，防止射通。
• ?啟動和UVLO?：UVLO電路確保在供電電壓足夠之前不會啟用驅(qū)動器輸出。
• ?可編程死區(qū)時間?：通過RT引腳上的外部電阻設(shè)置死區(qū)時間，防止高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時導(dǎo)通。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：包括電流饋電推挽功率轉(zhuǎn)換器、高壓降壓調(diào)節(jié)器、有源鉗位正向功率轉(zhuǎn)換器等。
• ?設(shè)計指南?：提供了自舉電容選擇、死區(qū)時間設(shè)置、布局和熱管理等方面的設(shè)計建議。

七、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦使用低ESR/ESL電容靠近IC，并保持短而寬的接地路徑以減少寄生電感和電阻。
• ?熱管理?：通過估算最壞情況下的結(jié)溫來確保可靠的長期操作，利用暴露的熱焊盤進行有效散熱。

八、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供SOIC（引腳）和WSON（引腳）封裝選項。
• ?訂購代碼?：包括不同封裝選項的訂購代碼，如LMM/NOPB（SOIC封裝）和LMSD/NOPB（WSON封裝）。