這是一款高速驅動器，適用于具有自適應死區時間控制功能的 N 溝道互補驅動功率 MOSFET。該驅動器經過優化，適用于各種大電流單相和多相 DC-DC 轉換器。這是一種提供高效率、小尺寸和低 EMI 輻射的解決方案。

通過高達 8.8V 的柵極驅動電壓、14ns 自適應死區時間控制、14ns 傳播延遲以及大電流 2A 拉電流和 4A 灌電流驅動能力，實現了這一效率。較低柵極驅動器的 0.4-Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下，并確保在高 dV/dt 相節點轉換時沒有擊穿電流。由內部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
*附件：tps28226.pdf

特性

• 以 14ns 自適應死區時間驅動兩個 N 溝道 MOSFET
• 寬柵極驅動電壓：4.5 V 至 8.8 V，在 7 V 至 8 V 時效率最佳
• 寬電源系統組輸入電壓：3 V 至 27 V
• 寬輸入 PWM 信號：2.0V 至 13.2V 幅度
• 能夠以每相 ≥40A 的電流驅動 MOSFET
• 高頻作：14ns 傳播延遲和 10ns 上升/下降時間允許 F 西 南部 – 2兆赫
• 能夠傳播 <30ns 的輸入 PWM 脈沖
• 低側驅動器吸收導通電阻 （0.4 Ω） 可防止與 dV/dT 相關的擊穿電流
• 用于功率級關斷的 3 態 PWM 輸入
• 節省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號位于同一引腳上
• 熱關斷
• UVLO 保護
• 內部自舉二極管
• 經濟型 SOIC-8 和耐熱性能增強型 3mm x 3mm DFN-8 封裝
• 高性能替代流行的 3 態輸入驅動器

參數

方框圖

一、產品概述

?TPS6?是一款高性能的A同步MOSFET驅動器，專為高速、高效率的DC-DC轉換器設計。它支持多相位控制，具有寬輸入電壓范圍和自適應死區時間控制功能，適用于桌面和服務器VRM、筆記本電源適配器、同步整流隔離電源供應等多種應用。

二、主要特性

• ?雙N溝道MOSFET驅動?：可同時驅動高側和低側兩個N溝道MOSFET。
• ?高速性能?：ns傳播延遲和ns上升/下降時間，支持高達2MHz的開關頻率。
• ?寬輸入范圍?：PWM信號輸入范圍.V至.V，驅動電壓范圍.V至8.8V，最佳效率點在7V至V。
• ?自適應死區時間控制?：防止dV/dt引起的穿透電流，提升系統效率。
• ?3態PWM輸入?：支持功率級關斷，提高系統可靠性。
• ?熱關斷和欠壓鎖定保護?：增強系統安全性和穩定性。
• ?經濟封裝?：提供SOIC-8和DFN-兩種封裝選項。

三、引腳配置與功能

• ?BOOT?：自舉電源引腳，為高側柵極驅動提供電荷。
• ?EN/PG?：使能/電源良好輸入/輸出引腳，控制驅動器的工作狀態。
• ?GND?：地引腳，所有信號的參考地。
• ?LGATE?：低側柵極驅動輸出，連接至低側功率MOSFET的柵極。
• ?PHASE?：相位引腳，連接至高側MOSFET的源極和低側MOSFET的漏極。
• ?PWM?：PWM信號輸入引腳，控制驅動器的輸出。
• ?UGATE?：高側柵極驅動輸出，連接至高側功率MOSFET的柵極。
• ?VDD?：驅動器供電電壓輸入引腳。

四、電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：PWM信號輸入范圍.V至.V，VDD供電電壓范圍4.5V至.V。
• ?輸出電流?：UGATE輸出可達2A源電流和A沉電流，LGATE輸出可達4A沉電流。
• ?死區時間?：典型值為4ns，確保高側和低側MOSFET不會同時導通。
• ?熱關斷閾值?：結溫超過°C時自動關斷，低于0°C時恢復工作。

五、應用信息

• ?典型應用?：多相位DC-DC轉換器、VRM、同步整流電路等。
• ?設計考慮?：布局時應盡量減小寄生電感，驅動器應靠近MOSFET放置，旁路電容應靠近VDD引腳。
• ?系統實例?：提供了單相位POL調節器、同步整流驅動電路、多相位同步降壓轉換器等系統實例。

六、封裝與訂購信息

• ?封裝選項?：SOIC-和DFN-8兩種封裝。
• ?訂購信息?：提供了詳細的訂購代碼和封裝信息。