TPS28225 是一款高速驅(qū)動器，適用于具有自適應死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。該驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化，適用于各種大電流單相和多相 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。TPS28225 是一種提供高效率、小尺寸和低 EMI 輻射的解決方案。
*附件：tps28225.pdf

該效率是通過高達 8.8V 的柵極驅(qū)動電壓、14ns 自適應死區(qū)時間控制、14ns 傳播延遲以及大電流 2A 拉電流和 4A 灌電流驅(qū)動能力實現(xiàn)的。較低柵極驅(qū)動器的 0.4Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下，并確保在高 dV/dt 相節(jié)點轉(zhuǎn)換時沒有擊穿電流。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。

特性

• 以 14ns 自適應死區(qū)時間驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• 寬柵極驅(qū)動電壓：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 時具有最佳效率
• 寬電源系統(tǒng)組輸入電壓：3V 至 27V
• 寬輸入 PWM 信號：2.0V 至 13.2V 幅度
• 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動 MOSFET
• 高頻作：14ns 傳播延遲和 10ns 上升/下降時間允許 FSW – 2MHz
• 能夠傳播 <30ns 輸入 PWM 脈沖
• 低側(cè)驅(qū)動器吸收導通電阻 （0.4Ω） 可防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
• 用于功率級關(guān)斷的 3 態(tài) PWM 輸入
• 節(jié)省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號位于同一引腳上
• 熱關(guān)斷
• UVLO 保護
• 內(nèi)部自舉二極管
• 經(jīng)濟型 SOIC-8 和熱增強型 3mm x 3mm VSON-8 封裝
• 高性能替代流行的 3 態(tài)輸入驅(qū)動器

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

TPS 是一款高頻同步MOSFET驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動兩個N溝道MOSFET，具有自適應死區(qū)時間、寬輸入電壓范圍和高效率等特點。它適用于多種高電流單相和多相DC-DC轉(zhuǎn)換器應用。

二、主要特性

• ?高頻操作?：最高可達2MHz的開關(guān)頻率。
• ?寬輸入電壓范圍?：VDD輸入電壓范圍為V至V，PWM輸入信號幅度為.V至.V。
• ?高效率?：高達8.8V的柵極驅(qū)動電壓和ns的自適應死區(qū)時間，提高系統(tǒng)效率。
• ?低dV/dt相關(guān)穿透電流?：低側(cè)驅(qū)動器具有0.4?的阻抗，防止高dV/dt時的穿透電流。
• ?3態(tài)PWM輸入?：支持電源級關(guān)斷，具有使能（輸入）和電源良好（輸出）信號。
• ?保護功能?：包括熱關(guān)斷和欠壓鎖定（UVLO）保護。
• ?小型封裝?：提供SOIC-8和VSON-封裝選項，節(jié)省空間。

三、引腳配置與功能

• ?UGATE?：上柵極驅(qū)動輸出，連接到高側(cè)功率N溝道MOSFET的柵極。
• ?LGATE?：下柵極驅(qū)動輸出，連接到低側(cè)功率N溝道MOSFET的柵極。
• ?PWM?：PWM信號輸入，控制驅(qū)動器。
• ?EN/PG?：使能/電源良好輸入/輸出引腳。
• ?VDD?：V偏置電源輸入。
• ?GND?：地引腳，所有信號均參考此節(jié)點。
• ?PHASE?：連接到上MOSFET的源極和下MOSFET的漏極，提供上柵極驅(qū)動器的返回路徑。
• ?BOOT?：浮動自舉電源引腳，用于上柵極驅(qū)動。

四、電氣特性

• ?UVLO閾值?：VDD欠壓鎖定上升閾值典型值為.V，下降閾值典型值為3.0V。
• ?輸出阻抗?：上柵極驅(qū)動器源阻抗典型值為1.0?，沉阻抗典型值為1.0?；下柵極驅(qū)動器源阻抗典型值為1.0?，沉阻抗典型值為0.4?。
• ?傳播延遲?：UGATE和LGATE的關(guān)斷和開啟傳播延遲典型值為ns。
• ?死區(qū)時間?：LGATE關(guān)斷到UGATE開啟的死區(qū)時間典型值為ns。

五、功能描述

• ?UVLO保護?：當VDD電壓低于UVLO閾值時，驅(qū)動器禁用，外部功率FET處于關(guān)閉狀態(tài)。
• ?3態(tài)PWM輸入?：當PWM輸入信號處于高阻抗狀態(tài)時，驅(qū)動器將兩個柵極驅(qū)動輸出設置為低電平，關(guān)閉外部功率FET。
• ?使能/電源良好信號?：EN/PG引腳允許驅(qū)動器根據(jù)外部信號啟用或禁用，并提供電源良好狀態(tài)反饋。
• ?自適應死區(qū)時間?：確保在高低側(cè)MOSFET之間切換時不會產(chǎn)生穿透電流。
• ?熱關(guān)斷?：當結(jié)溫超過°C時，驅(qū)動器關(guān)閉輸出，防止過熱損壞。

六、應用信息

• ?典型應用?：包括多相DC-DC轉(zhuǎn)換器、桌面和服務器VRM、便攜式和筆記本調(diào)節(jié)器、隔離電源的同步整流等。
• ?設計要點?：包括自舉電容和VDD電容的選擇、柵極驅(qū)動電阻的選取、布局和接地考慮等。
• ?系統(tǒng)示例?：提供了單相POL調(diào)節(jié)器、同步整流驅(qū)動器和多相同步降壓轉(zhuǎn)換器的應用示例。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SOIC-和VSON-8。
• ?訂購代碼?：提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼選項。

八、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供了應用筆記、數(shù)據(jù)手冊和其他相關(guān)文檔的鏈接。
• ?社區(qū)資源?：鏈接到TI的EE在線社區(qū)，用戶可以在此獲取技術(shù)支持和與其他工程師交流。

九、其他信息

• ?安全警示?：提醒用戶注意靜電放電（ESD）防護。
• ?商標與版權(quán)?：聲明了TI的商標和版權(quán)信息。