在半導體制造中,工藝溫度的精確控制直接關系到晶圓加工的良率與器件性能。傳統的測溫技術(如有線測溫)易受環境干擾,難以在等離子刻蝕環境中實現實時監測。On Wafer WLS無線晶圓測溫系統通過自主研發的傳感器集成技術,將微型溫度傳感器直接嵌入晶圓載體(wafer),實現了對制程溫度的原位、實時、全流程監控。

該系統的核心突破在于DUAL SHIELD技術,解決了在干法刻蝕工藝中監測溫度的難題,DUAL SHIELD技術具有強抗干擾能力,在干法刻蝕(如等離子體刻蝕)等高電磁噪聲環境中,確保信號傳輸穩定性。系統通過無線傳輸溫度數據,無需改造設備硬件,即可為工藝工程師提供動態溫度曲線,幫助優化刻蝕溫度均勻性等關鍵參數。溫度波動對臨界尺寸(CD)的影響可通過該系統實現閉環控制,顯著提升工藝窗口(Process Window)的穩定性。
【On Wafer WLS-EH無線晶圓測溫系統系列產品】
On Wafer WLS-EH 刻蝕無線晶圓測溫系統
On Wafer WLS-CR-EH 低溫刻蝕無線晶圓測溫系統
【應用場景】干法刻蝕

【產品優勢】
1. 無線測溫采集:傳感器無需有線連接即可傳輸數據,滿足晶圓在復雜性狀況下通過無線通信方式進行溫度測量。
2. 實時測溫監測:系統可以提供實時溫度讀數,通過測溫數據觀察晶圓在工藝過程中的溫度變化過程。
3. 滿足高精度測量:采用高精度溫度傳感器確保數據的準確性,晶圓生產過程中精確控制工藝條件至關重要。
4. 測溫數據分析能力:測量后的數據通過軟件分析和優化工藝參數,提高產量和產品質量。
5. 支持過程調整與驗證:通過分析在產品工藝條件下收集的溫度數據實現調整蝕刻和其他關鍵工藝步驟的條件,以確保最佳性能。
6. 全面熱分布區監測:在晶圓上支持多達12寸128個位置同時進行溫度監測,從而獲得全面的熱分布圖。
【參數配置】
Wafer尺寸 | 8”、12” | 厚度 | 1.2mm |
測溫點數 | 53 點 /65點/81 點 / 可定制測溫點 | 晶圓材質 | 硅片 |
溫度范圍 | 干法刻蝕15-100℃ 低溫刻蝕-40-40℃ | 通信方式 | 無線通信傳輸 |
溫度精度 | ±0.1℃/±0.2℃ | 充電方式 | |
sensor tosensor | <0.2℃ | 采樣頻率 | 1-4Hz |
測溫元件 | IC | 配套主機 | 測溫系統配套主機 |
測溫軟件 | 無線測溫專用軟件,實時顯示溫度場剖面圖及實時升溫曲線圖 |
On Wafer WLS-EH無線晶圓測溫系統在半導體制程干法刻蝕工藝中溫度監測的應用,為智能制造中的實時反饋控制提供了數據基礎,是推動半導體工藝走向高精度與高可靠性的重要工具。
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