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瑞樂半導(dǎo)體——On Wafer WLS-WET 濕法無線晶圓測溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體先進(jìn)制程監(jiān)控領(lǐng)域的重要創(chuàng)新成果

瑞樂半導(dǎo)體 ? 2025-04-22 11:34 ? 次閱讀

On Wafer WLS-WET無線晶圓測溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體先進(jìn)制程監(jiān)控領(lǐng)域的重要創(chuàng)新成果。該系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù),將溫度傳感器嵌入晶圓集成,實現(xiàn)了晶圓本體與傳感單元的無縫融合。傳感器采用IC傳感器,具備±0.1℃的測量精度和10ms級快速響應(yīng)特性,可實時捕捉濕法工藝中瞬態(tài)溫度場分布。

相較于傳統(tǒng)熱電偶接觸式測溫,該系統(tǒng)實現(xiàn)了非接觸、全域化、原位測量,可完整記錄從化學(xué)藥液注入、高速旋轉(zhuǎn)清洗到氮氣吹掃全過程的溫度梯度變化。結(jié)合配套的統(tǒng)計分析軟件,能夠建立溫度參數(shù)與缺陷率、關(guān)鍵尺寸的相關(guān)性模型,為先進(jìn)制程的工藝窗口優(yōu)化提供量化依據(jù)。

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該系統(tǒng)的核心突破在于DUAL SHIELD技術(shù),該技術(shù)突破性地解決了離心力導(dǎo)致的傳感器位移偏差和電磁干擾的問題,解決了濕法清洗設(shè)備監(jiān)測溫度的難題,在濕法清洗設(shè)備(如單片清洗機(jī))的高速旋轉(zhuǎn)(通常超過1000 RPM)狀態(tài)下,仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)采集的精準(zhǔn)性。 系統(tǒng)搭載的抗干擾無線傳輸模塊,確保在復(fù)雜設(shè)備環(huán)境中的數(shù)據(jù)傳輸可靠性,數(shù)據(jù)采樣頻率最高可達(dá)1kHz。

On Wafer WLS-WET濕法無線晶圓測溫系統(tǒng)系列產(chǎn)品包括:

On Wafer WLS-WET 濕法無線晶圓測溫系統(tǒng)

On Wafer WLS-WET-H 濕法無線晶圓測溫系統(tǒng)

【應(yīng)用場景】濕法清洗

【產(chǎn)品優(yōu)勢】

1. 無線測溫采集:傳感器無需有線連接即可傳輸數(shù)據(jù),滿足晶圓在復(fù)雜性狀況下通過無線通信方式進(jìn)行溫度測量。

2. 實時測溫監(jiān)測:系統(tǒng)可以提供實時溫度讀數(shù),通過測溫數(shù)據(jù)觀察晶圓在工藝過程中的溫度變化過程。

3. 滿足高精度測量:采用高精度溫度傳感器確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,晶圓生產(chǎn)過程中精確控制工藝條件至關(guān)重要。

4. 測溫數(shù)據(jù)分析能力:測量后的數(shù)據(jù)通過軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù),提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。

5. 支持過程調(diào)整與驗證:通過分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實現(xiàn)調(diào)整濕法和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件,以確保最佳性能。

6. 全面熱分布區(qū)監(jiān)測:在晶圓上支持多達(dá)12寸128個位置同時進(jìn)行溫度監(jiān)測,從而獲得全面的熱分布圖。

【參數(shù)配置】

Wafer尺寸

8”、12”

厚度

濕法清洗1.4mm

高溫版清洗2.3mm

測溫點數(shù)

53 點 /65點/81 點 / 可定制測溫點

晶圓材質(zhì)

硅片

溫度范圍

濕法清洗15-120℃

高溫版清洗15-160℃

通信方式

無線通信傳輸

溫度精度

濕法清洗±0.1℃/0.2℃

高溫版清洗±0.2℃/±0.3℃/±0.5℃

充電方式

無線充電

sensor tosensor

濕法清洗<0.2℃

高溫版清洗≤0.3℃

采樣頻率

1-4Hz

測溫元件

IC

配套主機(jī)

測溫系統(tǒng)配套主機(jī)

測溫軟件

無線測溫專用軟件,實時顯示溫度場剖面圖及實時升溫曲線圖

On Wafer WLS-WET濕法無線晶圓測溫系統(tǒng)系列在半導(dǎo)體制程濕法清洗工藝中溫度監(jiān)測的應(yīng)用,顯著增強(qiáng)半導(dǎo)體制造的工藝控制能力,減少溫度不均勻?qū)е虑逑葱Ч灰恢碌膯栴},進(jìn)一步提升產(chǎn)品良率百分比,減少缺陷率,提高生產(chǎn)效率,實現(xiàn)降本增效。


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