陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管
新品推薦
YGK40N120TMA1 GEN3—IGBT單管
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)，TO263封裝；產(chǎn)品外觀和示意圖如下
產(chǎn)品特點(diǎn)
LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)，低導(dǎo)通壓降Vcesat=1.4V@40A
短路能力Tsc>10us
最高結(jié)溫Tjmax=175℃
出色的開關(guān)波形，兼容性高，易于調(diào)試
優(yōu)異的參數(shù)一致性，易于并聯(lián)
推薦工作頻率0~10kHz，優(yōu)異的性價(jià)比
市場(chǎng)應(yīng)用
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1277文章
4026瀏覽量
253399 -
陸芯科技
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
15瀏覽量
184
原文標(biāo)題：陸芯新品 | YGK40N120TMA1 GEN3 IGBT單管
文章出處：【微信號(hào)：lu-semi，微信公眾號(hào)：上海陸芯】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生
（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)
發(fā)表于 05-07 10:56
?455次閱讀
龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用效率
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推
NGW40T65M3DFP 40A溝槽場(chǎng)停止IGBT與全額定硅二極管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NGW40T65M3DFP 40A溝槽場(chǎng)停止IGBT與全額定硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-18 16:58
?0次下載
高速Gen3快速基因MOSFET提供同類最佳性能
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高速Gen3快速基因MOSFET提供同類最佳性能.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-24 14:00
?0次下載
新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊
3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過(guò)了重大改進(jìn)，以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用（如中壓傳動(dòng)或HVDC）當(dāng)前和未來(lái)的要求。其最新推出的產(chǎn)品組合
芯達(dá)茂國(guó)產(chǎn)IGBT模塊，國(guó)產(chǎn)IBGT單管 全系列型號(hào)
深圳市三佛科技有限公司介紹芯達(dá)茂國(guó)產(chǎn)IGBT模塊，國(guó)產(chǎn)IBGT單管
提供樣品，技術(shù)支持。
國(guó)產(chǎn)IBGT+FRD單
發(fā)表于 12-19 15:03
森國(guó)科推出全新1200V/25A IGBT
森國(guó)科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒
長(zhǎng)晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布
長(zhǎng)晶科技本次推出了FST3.0（對(duì)標(biāo)國(guó)際Gen7.0） 650V和1200V系列的三款IGBT單
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V
深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，
Xilinx 7系列FPGA PCIe Gen3的應(yīng)用接口及特性
Xilinx7系列FPGA集成了新一代PCI Express集成塊，支持8.0Gb/s數(shù)據(jù)速率的PCI Express 3.0。本文介紹了7系列FPGA PCIe Gen3的應(yīng)用接口及一些特性。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論