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      新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊

      英飛凌工業半導體 ? 2025-01-02 17:41 ? 次閱讀

      新品

      3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊

      b24aa1c8-c8ed-11ef-9434-92fbcf53809c.png

      知名的IHV B 3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。

      其最新推出的產品組合類型是經過優化的IGBT和二極管比率，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A 3.3kV單開關。

      它采用TRENCHSTOP IGBT4和發射極可控EC4二極管，具有更強的功率循環能力，標準封裝為IHV B 190x140mm2。

      與前幾代產品相比，客戶可以輕松切換，同時節省成本。

      產品型號：

      ■FZ1200R33HE4D_B9

      產品特點

      高短路能力

      開關損耗低

      低VCEsat

      Tvj op max=150°C

      無與倫比的動態魯棒性

      火災和煙霧EN45545 R22、R23:HL3

      CTI>600

      與最先進型號比有2倍功率循環

      用于發電工況的擴大二極管

      矩形RBSOA

      應用價值

      2xPC，可實現200%的使用壽命或在相同壽命下，實現110%的輸出功率或8K溫度余量

      故障電流RBSOA高達3000A

      性能與任何1500A 3.3kV相同

      與190x140毫米模塊1:1尺寸互換

      在惡劣環境條件下的使用壽命為30年

      競爭優勢

      與IGBT3 3.3kV競爭類型相比200%功率循環，可在大多數應用中實現200%的使用壽命，或在相同使用壽命內實現110%的輸出功率，或在相同使用壽命內增加8K溫度余量

      足以替代任何1500A 3.3kV型產品

      比IGBT3便宜10%

      應用領域

      機車牽引

      工業驅動器

      輸配電

      CAV

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