在追求極致駕駛體驗的今天,高效功耗控制已成為衡量汽車技術先進性的重要標尺。它不僅關乎長距離無憂行駛的能力,更是降低碳排放、實現綠色出行的關鍵所在。東芝,作為半導體領域的佼佼者,深刻洞察行業趨勢,近期對旗下的40V N溝道功率MOSFET產品線進行了重要拓展,推出了三款采用先進SOP Advance(WF)封裝的新品——XPHR9904PS、XPH2R404PS與XPH3R304PS,旨在通過技術創新,為汽車行業帶來前所未有的節能效率與駕駛樂趣的雙重提升。
這三款新品均采用了東芝獨家的U-MOSIX工藝,這一突破性技術顯著降低了漏源導通電阻,從而實現了車載設備功耗的進一步優化。具體而言,XPH2R404PS以其低至2.4mΩ(最大值)的漏源導通電阻,相比東芝現有的TPCA8083產品,電阻值減少了約27%,為汽車電子系統的高效運行奠定了堅實基礎。而XPH3R304PS則更進一步,其3.3mΩ(最大值)的漏源導通電阻相比TPCA8085降低了驚人的42%,展現了東芝在功耗控制領域的深厚造詣。至于XPHR9904PS,其漏源導通電阻更是低至0.99mΩ(最大值),無疑是追求極致能效用戶的理想之選。
這一系列產品的問世,不僅是對東芝技術實力的有力證明,更是對全球汽車行業節能減排承諾的積極響應。通過降低車載設備的功耗,這些MOSFET能夠有效延長電動汽車的續航里程,減少充電頻次,同時顯著降低碳排放,為用戶帶來更加環保、經濟的駕駛體驗。東芝的這一舉措,無疑將推動汽車行業向更加綠色、高效的方向發展,開啟汽車節能技術的新篇章。
-
東芝
+關注
關注
6文章
1434瀏覽量
122327 -
封裝
+關注
關注
128文章
8497瀏覽量
144784 -
功率MOSFET
+關注
關注
0文章
352瀏覽量
22367
發布評論請先 登錄
CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數據手冊

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

LTH004SQJ 40V互補增強型功率MOSFET規格書
LTH004SQ-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書
LTH004SQ 40V互補增強型功率MOSFET規格書
LTH004SQ-Z 40V互補增強型功率MOSFET規格書
LTH004SRU-4L 40V互補增強型功率MOSFET規劃書
BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規格書

BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規格書

銳駿新款超低導通MOSRUH4040M、80M更適用于新產品研發
Nexperia、東芝和Navitas擴展MOSFET產品線以應對高效能需求

評論