這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。
*附件：CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率 MOSFET 數據表.pdf

特性

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS（ON）
• 低熱阻
• 雪崩評級
• 無鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 規范
• 無鹵素
• TO-220 塑料封裝

參數

方框圖

1. 產品特性

• ?低柵極電荷?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為118nC，有助于減少開關損耗。
• ?低導通電阻?：RDS(on)（漏源導通電阻）在VGS=10V時為1.4mΩ，有助于降低傳導損耗。
• ?低熱阻?：結到殼熱阻RθJC為0.6°C/W，有利于散熱。
• ?雪崩能力?：支持雪崩模式工作，具有較高的耐雪崩能量。
• ?環保特性?：無鉛端子鍍層，符合RoHS標準，無鹵素。

2. 應用領域

• ?次級側同步整流?：適用于DC-DC轉換器中的次級側同步整流，提高效率。
• ?電機控制?：可用于各種電機控制應用，如直流電機、步進電機等。

3. 產品描述

CSD18510KCS是一款40V、1.4mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，采用TO-220塑料封裝。該器件專為最小化功率轉換應用中的損耗而設計，具有低柵極電荷和低導通電阻等特性。

4. 規格參數

4.1 電氣特性

• ?漏源電壓?：VDS最大值為40V。
• ?柵源閾值電壓?：VGS(th)的典型值為1.7V。
• ?漏源導通電阻?：RDS(on)在VGS=4.5V時為2.0mΩ，在VGS=10V時為1.4mΩ。
• ?柵極電荷?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為118nC。

4.2 熱信息

• ?結到殼熱阻?：RθJC為0.6°C/W。
• ?結到環境熱阻?：RθJA為62°C/W。

5. 典型MOSFET特性

• ?瞬態熱阻抗?：展示了器件在脈沖條件下的熱阻抗特性。
• ?飽和特性?：展示了在不同柵源電壓下的漏源電流與漏源電壓關系。
• ?轉移特性?：展示了柵源電壓與漏極電流的關系。
• ?柵極電荷?：展示了柵極電荷與柵源電壓的關系。
• ?電容特性?：展示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容與柵源電壓的關系。

6. 設備與文檔支持

• ?文檔更新通知?：用戶可以通過TI官網的產品文件夾接收文檔更新通知。
• ?社區資源?：提供了TI E2E?在線社區的鏈接，供工程師交流問題和解決方案。
• ?靜電放電警示?：提醒用戶注意靜電放電保護，以防損壞MOS柵極。

7. 包裝與訂購信息

• ?封裝類型?：TO-220塑料封裝。
• ?訂購信息?：提供了器件的訂購編號、封裝類型、引腳數、包裝數量等信息。