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數(shù)據(jù): CSD18502KCS 40V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. B)
這款2.4mΩ,40V,TO-220 NexFET功率MOSFET被設(shè)計成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。
要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。最大R θJC =0.6oC/W,脈沖持續(xù)時間≤100μs,占空比
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VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
? |
CSD18502KCS |
---|
40 ? ? |
Single ? ? |
4.3 ? ? |
2.9 ? ? |
400 ? ? |
52 ? ? |
8.4 ? ? |
TO-220 ? ? |
20 ? ? |
1.8 ? ? |
212 ? ? |
100 ? ? |
Yes ? ? |