這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。
*附件：CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表 .pdf

特性

• 低 RDS（開(kāi)啟）
• 低熱阻
• 雪崩評(píng)級(jí)
• 邏輯電平
• 無(wú)鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 規(guī)范
• 無(wú)鹵素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：CSD18512Q5B
• ?類型?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET
• ?封裝?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝
• ?特點(diǎn)?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無(wú)鉛端子鍍層、RoHS合規(guī)、無(wú)鹵素

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• DC-DC轉(zhuǎn)換
• 次級(jí)側(cè)同步整流
• 電機(jī)控制

3. 產(chǎn)品特性

• ? 典型值（T_A = 25°C） ?：
  • 漏源電壓（V_DS）：40V
  • 柵極總電荷（Q_g）：75nC（10V）
  • 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：1.3mΩ（V_GS = 10V）
  • 閾值電壓（V_GS(th)）：1.6V

4. 絕對(duì)最大額定值

• 漏源電壓（V_DS）：40V
• 柵源電壓（V_GS）：±20V
• 連續(xù)漏電流（I_D）：100A（封裝限制），211A（硅限制，T_C = 25°C）
• 脈沖漏電流（I_DM）：400A
• 功率耗散（P_D）：3.1W（封裝限制），139W（T_C = 25°C）
• 工作結(jié)溫（T_J）、存儲(chǔ)溫度（T_stg）：-55°C 至 150°C
• 雪崩能量（E_AS）：205mJ（單脈沖，I_D = 64A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

5. 電氣特性

• ?靜態(tài)特性?：
  • 漏源泄漏電流（I_DSS）：1μA（V_GS = 0V, V_DS = 32V）
  • 柵源泄漏電流（I_GSS）：100nA（V_DS = 0V, V_GS = 20V）
  • 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：1.3mΩ 至 1.6mΩ（V_GS = 10V, I_D = 30A）
• ?動(dòng)態(tài)特性?：
  • 輸入電容（C_iss）：5480pF 至 7120pF（V_GS = 0V, V_DS = 20V, f = 1MHz）
  • 輸出電容（C_oss）：537pF 至 699pF
  • 反向傳輸電容（C_rss）：256pF 至 333pF
  • 柵極總電荷（Q_g）：75nC 至 98nC（V_DS = 20V, I_D = 30A）
  • 開(kāi)啟延遲時(shí)間（t_d(on)）：7ns
  • 上升時(shí)間（t_r）：16ns
  • 關(guān)斷延遲時(shí)間（t_d(off)）：31ns
  • 下降時(shí)間（t_f）：7ns
• ?二極管特性?：
  • 二極管正向電壓（V_SD）：0.75V 至 1.0V（I_SD = 30A, V_GS = 0V）
  • 反向恢復(fù)電荷（Q_rr）：22nC（V_DS = 20V, I_F = 30A, di/dt = 300A/μs）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（t_rr）：17ns

6. 熱信息

• ?熱阻?：
  • 結(jié)到殼熱阻（R_θJC）：0.9°C/W
  • 結(jié)到環(huán)境熱阻（R_θJA）：50°C/W（安裝在1in2 2oz Cu板上），125°C/W（安裝在最小2oz Cu板上）

7. 封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝尺寸?：詳細(xì)尺寸圖見(jiàn)數(shù)據(jù)表第8-9頁(yè)
• ?訂購(gòu)信息?：
  • CSD18512Q5B：2500片/13英寸卷帶
  • CSD18512Q5BT：250片/7英寸卷帶

8. 支持與文檔

• 提供文檔更新通知、社區(qū)資源、設(shè)計(jì)支持、靜電放電（ESD）注意事項(xiàng)等信息。