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CSD18509Q5B 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,CSD18509Q5B

數據:

描述

這個40V,1mΩ,SON5x6 NexFET?功率MOSFET的設計旨在追求以最大限度降低功率轉換應用中的功率損耗。

< /DIV>

特性

  • 超低導通電阻
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • < li>邏輯電平
  • 無鉛引腳鍍層
  • 符合RoHS標準
  • 無鹵素
  • SON 5mm×6mm塑料封裝< /li>

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18509Q5B
40 ? ?
Single ? ?
1.7 ? ?
1.2 ? ?
400 ? ?
150 ? ?
17 ? ?
SON5x6 ? ?
20 ? ?
1.9 ? ?
299 ? ?
100 ? ?
Yes ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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