女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

對DDR3/4控制器進行探討

FPGA之家 ? 來源:CSDN技術社區 ? 作者:meper ? 2021-09-22 10:28 ? 次閱讀

參考資料

《pg150-ultrascale-memory-ip》

以該手冊的脈絡為主線,對DDR3/4控制器進行探討。

1.IP核結構

69c40eea-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

根據官方提供的資料,IP核主要劃分為三個部分,分別是用戶接口,內存控制器以及物理層接口。對于用戶來說,我們需要研究清楚的是用戶接口部分內容,其余兩部分只需了解即可,這里就不展開論述。

讀寫效率

69d65938-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

X8是表示,該內存顆粒的數據總線為8bit。常見的還有x4/x16。

2.讀寫時序userinterface操作

整個DDR的IP核應用,主要都是圍繞這以下幾個路徑進行,開發者直接打交道的是IP_core的userinterface。其他物理底層的內容,由IP自行完成。主要指令路徑包括:Command Path、write_Path、read_Path以及維護指令(Maintenance Commands)。

Command Path

顧名思義,就是讀寫操作指令寫入的路徑。當app_rdy與app_en都有效的時候,新的指令才能寫入命令FIFO里,并被執行。

69e3d0ea-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Write Path

數據內容寫入IP核的路徑。

69ef09ba-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

從上述的時序圖看來,與寫入路徑相關的信號有app_adf_data、app_wdf_wren以及app_wdf_end。雖然說,寫入的數據路徑與指令路徑可以不對齊,但實際應用過程中,建議還是對齊操作,要不然容易出問題(后續調試測試的內容有提到)。

6a141cd2-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

pp_wdf_end為高,表示該數據這次寫入請求的最后一個數。以上圖為例,4:1mode是指用戶接口時鐘與物理層驅動DDR的時鐘之比為1:4。比如用戶接口的數據總線為64bit,物理層驅動DDR芯片位寬為8bit ,BL=8, 在4:1mode下,那么正好一個用戶clk可以執行完一次突發傳輸(DDR是在時鐘上升沿和下降沿都傳輸數據)。所以在執行傳輸的過程中,app_wdf_end為高。

Read Path

數據從IP核中讀出來的路徑。

6a36983e-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Maintenance Commands(維護指令)

6a4e6b1c-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

6a69369a-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

這里可以解析為什么讀寫效率不能夠達到百分百,由于ddr需要刷新等導致。其中啟動刷新有兩種模式,一種是自動刷新,即IP核自己產生滿足時序的刷新請求,另外一種是通過選中“啟用用戶刷新和ZQCS輸入”選項來啟用用戶模式。在此模式下,當init_calib_complete有效之后,由用戶負責發出Refresh和ZQCS命令以滿足DRAM組件規范所要求的速率。ZQCS是用于ZQ 校準,這個與ODT相關。

擴展一下:

ODT(On-Die Termination),是從DDR2 SDRAM時代開始新增的功能。其允許用戶通過讀寫MR1寄存器,來控制DDR3 SDRAM中內部的終端電阻的連接或者斷開。

為什么要用ODT?一個DDR通道,通常會掛接多個Rank,這些Rank的數據線、地址線等等都是共用;數據信號也就依次傳遞到每個Rank,到達線路末端的時候,波形會有反射,從而影響到原始信號;因此需要加上終端電阻,吸收余波。之前的DDR,終端電阻做在板子上,但是因為種種原因,效果不是太好,到了DDR2,把終端電阻做到了DDR顆粒內部,也就稱為On Die Termination,Die上的終端電阻,Die是硅片的意思,這里也就是DDR顆粒。

所以,使用ODT的目的很簡單,是為了讓DQS、RDQS、DQ和DM信號在終結電阻處消耗完,防止這些信號在電路上形成反射,進而增強信號完整性。

3.對IP核進行二次封裝

建議對IP核的User_interface再封裝一層,對外只需預留例如wr_en/wr_data以及rd_en/rd_data等信號,類似于讀寫FIFO的端口,提高模塊的后期復用。

6a7c62ce-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

4.調試與測試記錄

手冊梳理得差不多了,寫個簡單的程序仿真測試。期間碰到了些問題,分享出來記錄一下。

cmd_path與write_path沒對齊。

6a9364e2-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

圖中所示,app_rdy為低,但是wdf_wren仍然為高,短期的話應該沒有什么問題,但是如果持續一段時間,必然會導致IP核中fifo被寫滿,導致異常。

解決辦法:

令指令與數據路徑命令對齊。在寫入的時候,當app_rdy與app_wdf_rdy都有效的時候,才觸發相應的動作。

數據沒有寫入,導致回讀出來的數據不對。

6a9fee92-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

從時序上來看,寫入沒有問題。但是我當初忽略了app_wdf_mask,這個沒有賦值(正常應該賦0),導致仿真的時候,該信號一致顯示高阻態。然后發現ddr4_dm_dbi_n(雙向信號)信號異常。

6aabe008-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

讀出來的數據一直是0.

6ab813c8-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

修改過來后,問題解決。

6acce384-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

讀寫效率測試

6ae0ebfe-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Wr:

6aef68c8-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Rd:

6aff46bc-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

MEM_ADDR_ORDER = "ROW_COLUMN_BANK";

Wr:

6b254cea-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Rd:

6b3337f6-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

仔細的話,可以觀察clk與app_rdy之間的關系,不難發現為什么兩者的讀寫效率會相差這么大。不同的地址排列,在每次讀寫過程中,IP的效率有很大的關系,這個與DDR的實現機制有關。詳細情況在PG150里有相關說明。

編輯:jq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 控制器
    +關注

    關注

    114

    文章

    16972

    瀏覽量

    182923
  • DDR3
    +關注

    關注

    2

    文章

    283

    瀏覽量

    42939

原文標題:DDR3/4_IP核應用--vivado

文章出處:【微信號:zhuyandz,微信公眾號:FPGA之家】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    在Vivado調用MIG產生DDR3的問題解析

    下面是調用的DDR3模塊的,模塊的倒數第二行是,模塊的時鐘輸入,時鐘源來自PLL產生的系統時鐘的倍頻。
    的頭像 發表于 05-03 10:21 ?441次閱讀
    在Vivado調用MIG產生<b class='flag-5'>DDR3</b>的問題解析

    TPS51116 完整的DDRDDR2、DDR3DDR3L、LPDDR3DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數據手冊

    TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3
    的頭像 發表于 04-29 16:38 ?297次閱讀
    TPS51116 完整的<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR4</b> 電源解決方案同步降壓<b class='flag-5'>控制器</b>數據手冊

    TPS59116 完整的 DDRDDR2 和 DDR3 存儲電源解決方案,用于嵌入式計算的同步降壓控制器數據手冊

    TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內存提供完整的電源 系統。它將同步降壓控制器3A 灌
    的頭像 發表于 04-28 13:54 ?195次閱讀
    TPS59116 完整的 <b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2 和 <b class='flag-5'>DDR3</b> 存儲<b class='flag-5'>器</b>電源解決方案,用于嵌入式計算的同步降壓<b class='flag-5'>控制器</b>數據手冊

    TPS51916 DDR2/3/3L/4 內存電源解決方案同步降壓控制器數據手冊

    TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3DDR3L 和 DDR4 內存系統提供完整的電源。它集成了同步降壓穩壓控制器
    的頭像 發表于 04-28 10:58 ?187次閱讀
    TPS51916 <b class='flag-5'>DDR</b>2/<b class='flag-5'>3</b>/<b class='flag-5'>3</b>L/<b class='flag-5'>4</b> 內存電源解決方案同步降壓<b class='flag-5'>控制器</b>數據手冊

    TPS51716 完整的 DDR2/3/3L/4 存儲電源解決方案同步降壓控制器數據手冊

    TPS51716為 DDR2、DDR3DDR3L、LPDDR3DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現內存系統。它集成
    的頭像 發表于 04-27 11:36 ?207次閱讀
    TPS51716 完整的 <b class='flag-5'>DDR</b>2/<b class='flag-5'>3</b>/<b class='flag-5'>3</b>L/<b class='flag-5'>4</b> 存儲<b class='flag-5'>器</b>電源解決方案同步降壓<b class='flag-5'>控制器</b>數據手冊

    TPS51216-EP 增強型產品 完整的 DDR2、DDR3DDR3L 內存電源解決方案 同步降壓控制器數據手冊

    TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3DDR3L 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓控制器 (VDDQ) 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO (
    的頭像 發表于 04-26 11:12 ?235次閱讀
    TPS51216-EP 增強型產品 完整的 <b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR3</b>L 內存電源解決方案 同步降壓<b class='flag-5'>控制器</b>數據手冊

    DDR3 SDRAM配置教程

    DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產品,相較于DDR2,
    的頭像 發表于 04-10 09:42 ?2070次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR3</b> SDRAM配置教程

    燦芯半導體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

    燦芯半導體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協議兼容性
    的頭像 發表于 03-21 16:20 ?359次閱讀

    DDR內存控制器的架構解析

    DDR內存控制器是一個高度集成的組件,支持多種DDR內存類型(DDR2、DDR3DDR3L、L
    的頭像 發表于 03-05 13:47 ?1379次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR</b>內存<b class='flag-5'>控制器</b>的架構解析

    三大內存原廠或將于2025年停產DDR3/DDR4

    據報道,業內人士透露,全球三大DRAM內存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內正式停產已有多年歷史的DDR3DDR4兩代內存。 隨著技術的不斷進步和消費級平臺的更新換代
    的頭像 發表于 02-19 11:11 ?1262次閱讀

    DDR3DDR4DDR5的性能對比

    DDR3DDR4DDR5是計算機內存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲(SDRAM)。以下是它們之間的性能對比: 一、速度與帶寬
    的頭像 發表于 11-29 15:08 ?8930次閱讀

    如何選擇DDR內存條 DDR3DDR4內存區別

    隨著技術的不斷進步,計算機內存技術也在不斷發展。DDR(Double Data Rate)內存條作為計算機的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運行速度和穩定性。DDR3DDR4是目前市場上最常
    的頭像 發表于 11-20 14:24 ?5320次閱讀

    DDR4 SDRAM控制器的主要特點

    DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory)控制器作為現代計算系統中的重要組成部分,其
    的頭像 發表于 09-04 12:55 ?1175次閱讀

    DDR3寄存和PLL數據表

    電子發燒友網站提供《DDR3寄存和PLL數據表.pdf》資料免費下載
    發表于 08-23 11:06 ?2次下載
    <b class='flag-5'>DDR3</b>寄存<b class='flag-5'>器</b>和PLL數據表

    基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設計

    DDR3存儲管理系統。DDR3存儲控制模塊使用MIG生成DDR3控制器,只需通過用戶接口信號
    發表于 06-26 18:13